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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Relación de la capacidad Condición de Relación de Capacitancia Q @ VR, F
FR606-T Diodes Incorporated FR606-T -
RFQ
 ECAD 5002 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero R-6, axial FR606 Estándar R-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.3 V @ 6 A 500 ns 10 µA @ 800 V -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
SBR30E45CTB Diodes Incorporated SBR30E45CTB -
RFQ
 ECAD 1634 0.00000000 Diodos incorporados SBR® Tubo Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SBR30 Super Barrera Un 263 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados SBR30E45CTBDI EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 15A 550 MV @ 15 A 480 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C
DXTN06080BFG-7 Diodes Incorporated DXTN06080BFG-7 0.4000
RFQ
 ECAD 2171 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn 1 W PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2,000 80 V 1 A 20NA NPN 500mv @ 50 mm, 800 mA 100 @ 150mA, 2V 130MHz
DDTC143XKA-7-F Diodes Incorporated DDTC143XKA-7-F -
RFQ
 ECAD 9665 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC143 200 MW SC-59-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 10mA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 10 kohms
DMN3042L-7 Diodes Incorporated DMN3042L-7 0.4300
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3042 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 5.8a (TA) 2.5V, 10V 26.5mohm @ 5.8a, 10V 1.4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 12V 860 pf @ 15 V - 720MW (TA)
MJD31CHQ-13 Diodes Incorporated MJD31CHQ-13 0.5300
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 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MJD31 1.45 W TO-252, (D-Pak) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 2.500 100 V 3 A 1 µA NPN 400mv @ 500 µA, 50 mA 120 @ 100 mapa, 3V
SBL2030PT Diodes Incorporated SBL2030PT -
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 ECAD 9995 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 SBL2030 Schottky Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 30 V 20A 550 MV @ 10 A 1 ma @ 30 V -65 ° C ~ 150 ° C
RDBF36-13 Diodes Incorporated RDBF36-13 0.2456
RFQ
 ECAD 6483 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-smd, planos de cables RDBF36 Estándar DBF - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 3.000 1.3 V @ 2.5 A 5 µA @ 600 V 3 A Fase única 600 V
SBR20100CTFP-G Diodes Incorporated SBR20100CTFP-G -
RFQ
 ECAD 8362 0.00000000 Diodos incorporados SBR Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SBR20100 Super Barrera ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-SBR20100CTFP-G EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 10A 820 MV @ 10 A 100 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C
DDZ16B-7 Diodes Incorporated DDZ16B-7 0.0435
RFQ
 ECAD 2446 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 DDZ16 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 12 V 16 V 18 ohmios
B360BQ-13-F Diodes Incorporated B360BQ-13-F 0.5000
RFQ
 ECAD 5120 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB B360 Schottky SMB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 3 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 200pf @ 4V, 1MHz
FRS1JE Diodes Incorporated FRS1JE 0.3000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AA Estándar F1A (DO219AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 1 A 250 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7pf @ 4V, 1 MHz
BS250P Diodes Incorporated BS250P 0.8700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BS250 Mosfet (Óxido de metal) Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000 Canal P 45 V 230 mA (TA) 10V 14ohm @ 200 MMA, 10V 3.5V @ 1MA ± 20V 60 pf @ 10 V - 700MW (TA)
ZVP1320ASTOB Diodes Incorporated ZVP1320TOB -
RFQ
 ECAD 2275 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 Mosfet (Óxido de metal) Línea electálica (compatible con 92) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 Canal P 200 V 70MA (TA) 10V 80ohm @ 50 mm, 10v 3.5V @ 1MA ± 20V 50 pf @ 25 V - 625MW (TA)
1N4002GL-T Diodes Incorporated 1N4002GL-T -
RFQ
 ECAD 9044 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4002 Estándar Do-41 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8PF @ 4V, 1MHz
MBR30H100CTF-G1 Diodes Incorporated MBR30H100CTF-G1 -
RFQ
 ECAD 2568 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Schottky Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 15A 800 MV @ 15 A 4.5 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C
DDZ9711Q-7 Diodes Incorporated DDZ9711Q-7 -
RFQ
 ECAD 6872 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 DDZ9711 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 20.4 V 27 V
TT6M Diodes Incorporated TT6M 0.2185
RFQ
 ECAD 6851 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Estándar TTL descascar Alcanzar sin afectado 31-TT6MTR EAR99 8541.10.0080 1.500 1 v @ 3 a 5 µA @ 1000 V 6 A Fase única 1 kV
MMSZ5252B-7 Diodes Incorporated MMSZ5252B-7 -
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 ECAD 9273 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ5252B 500 MW SOD-123 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 18 V 24 V 33 ohmios
ZC835BTA Diodes Incorporated ZC835BTA -
RFQ
 ECAD 1206 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 ZC835B Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 71.4pf @ 2v, 1 MHz Soltero 25 V 6.5 C2/C20 100 @ 3V, 50mhz
BAS70-05-7-F-79 Diodes Incorporated BAS70-05-7-F-79 -
RFQ
 ECAD 9073 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAS70 Schottky Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-BAS70-05-7-F-79TR EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Cátodo Común 70 V 70MA (DC) 1 V @ 15 Ma 5 ns 100 na @ 50 V -55 ° C ~ 125 ° C
DMTH10H009LPS-13 Diodes Incorporated DMTH10H009LPS-13 0.3849
RFQ
 ECAD 8311 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH10 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados DMTH10H009LPS-13DI EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 14A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 40.2 NC @ 10 V ± 20V 2309 pf @ 50 V - 1.5W (TA), 125W (TC)
B250-13-F-2477 Diodes Incorporated B250-13-F-2477 -
RFQ
 ECAD 5961 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela La Última Vez Que Compre Montaje en superficie DO-214AA, SMB Schottky SMB - 31-B250-13-F-2477 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 2 A 500 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 2a 200pf @ 4V, 1MHz
ZXMN2F34MATA Diodes Incorporated ZXMN2F34MATA -
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 ECAD 1685 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) DFN322 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 4A (TA) 2.5V, 4.5V 60mohm @ 2.5a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 2.8 NC @ 4.5 V ± 12V 277 pf @ 10 V - 1.35W (TA)
SBRT30A100CT Diodes Incorporated SBRT30A100CT -
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 ECAD 2045 0.00000000 Diodos incorporados Trenchsbr Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 SBRT30 Super Barrera Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SBRT30A100CTDI EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 15A 800 MV @ 15 A 150 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
DMT4031LFDF-7 Diodes Incorporated Dmt4031lfdf-7 0.1162
RFQ
 ECAD 8864 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO F) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMT4031LFDF-7TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 6.8a (TA) 4.5V, 10V 26mohm @ 6a, 10v 2.5V @ 250 µA 7 NC @ 10 V ± 16V 362 pf @ 20 V - 1.2W (TA)
FZT795AQTA Diodes Incorporated Fzt795aqta 0.3800
RFQ
 ECAD 6219 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA 2 W SOT-223-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-FZT795AQTATR EAR99 8541.29.0075 1,000 140 V 500 mA 100na PNP 300mv @ 5 mm, 200 mmA 300 @ 10mA, 2V 100MHz
DMN65D8LW-7 Diodes Incorporated DMN65D8LW-7 0.4800
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DMN65 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 300 mA (TA) 5V, 10V 3OHM @ 115MA, 10V 2V @ 250 µA 0.87 NC @ 10 V ± 20V 22 pf @ 25 V - 300MW (TA)
MBR180S1-7 Diodes Incorporated MBR180S1-7 0.3500
RFQ
 ECAD 2323 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 MBR180 Schottky SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 80 V 800 MV @ 1 A 5 µA @ 80 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 20pf @ 5V, 1 MHz
DMTH43M8LFGQ-13 Diodes Incorporated DMTH43M8LFGQ-13 1.1600
RFQ
 ECAD 2237 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMTH43 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 24a (TA), 100a (TC) 5V, 10V 3mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 40.1 NC @ 10 V ± 20V 2798 pf @ 20 V - 2.62W (TA), 65.2W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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AD9208BBPZ-3000

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