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Productos de semiconductoros discretos (6960)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Real - Corte de Coleción (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)
RT1C060UNTR	0.2213	RFQ	7445	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SMD, Plomo Plano	RT1C060	Mosfet (Óxido de metal)		8-TSST	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.21.0095	3.000			N-canal	20 V	6a (TA)	1.5V, 4.5V	28mohm @ 6a, 4.5V	1V @ 1MA	11 NC @ 4.5 V	± 10V	870 pf @ 10 V	-	650MW (TA)
Dtb113zkt146	0.3900	RFQ	8	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	Dtb113		200 MW	Smt3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.21.0075	3.000																					50 V	500 mA	500NA			PNP - Pre -Sesgado	300mv @ 2.5 mA, 50 mA	56 @ 50 mm, 5V	200 MHz	1 kohms	10 kohms
Rp1e090xntcr	-	RFQ	8243	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-smd, planos de cables	RP1E090	Mosfet (Óxido de metal)		Mpt6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal	30 V	9a (TA)	4V, 10V	17mohm @ 9a, 10v	2.5V @ 1MA	6.8 NC @ 5 V	± 20V	440 pf @ 10 V	-	2W (TA)
Dtc043zubtl	0.3000	RFQ	25	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SC-85	DTC043		200 MW	UMT3F	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.21.0075	3.000																					50 V	100 mA	-			NPN - Pre -Sesgado	150mv @ 500 µA, 5 mA	80 @ 5 MMA, 10V	250 MHz	4.7 kohms	47 kohms
RUC002N05T116	0.3200	RFQ	672	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	Ruc002	Mosfet (Óxido de metal)		SST3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.21.0095	3.000			N-canal	50 V	200MA (TA)	1.2V, 4.5V	2.2ohm @ 200 MMA, 4.5V	1V @ 1MA		± 8V	25 pf @ 10 V	-	200MW (TA)
RP1E100RPTR	-	RFQ	1906	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-smd, planos de cables	RP1E0100	Mosfet (Óxido de metal)		Mpt6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	1,000			Canal P	30 V	10a (TA)	10V	12.6mohm @ 10a, 10v	2.5V @ 1MA	39 NC @ 5 V	± 20V	3600 pf @ 10 V	-	2W (TA)
Dta015eBtl	0.0351	RFQ	1768	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SC-89, SOT-490	DTA015		150 MW	EMT3F (SOT-416FL)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.21.0075	3.000																					50 V	20 Ma	-			PNP - Pre -Sesgado	150mv @ 500 µA, 5 mA	80 @ 5 MMA, 10V	250 MHz	100 kohms	100 kohms
RLZTE-119.1C	-	RFQ	7006	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 3%	-	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	LLDS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	2.500																	500 na @ 6 V							8.8 V	8 ohmios
Sp8k2tb	1.0000	RFQ	35	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	SP8K2	Mosfet (Óxido de metal)	2W	8-SOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canal N (Dual)			30V	6A		30mohm @ 6a, 10v	2.5V @ 1MA	10.1NC @ 5V		520pf @ 10V	Puerta de Nivel Lógico
Rtf015p02tl	0.7500	RFQ	5	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	3-SMD, planos de cables	RTF015	Mosfet (Óxido de metal)		Tumt3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.21.0095	3.000			Canal P	20 V	1.5a (TA)	2.5V, 4.5V	135mohm @ 1.5a, 4.5V	2v @ 1 mapa	5.2 NC @ 4.5 V	± 12V	560 pf @ 10 V	-	800MW (TA)
BZX84C33VLT116	0.2300	RFQ	3	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	± 6.06%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		250 MW	SSD3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000																	100 na @ 23 V							33 V	80 ohmios
Sp8j2tb	1.3800	RFQ	1	Semiconductor rohm	*	Cinta de Corte (CT)	Activo					Sp8j2	-			descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.21.0095	2.500												-
RB150M-30TR	0.2280	RFQ	8949	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	RB150	Schottky		PMDS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												30 V	480 MV @ 1 A		50 µA @ 30 V	150 ° C (Máximo)	1.5a	-
RDR005N25TL	0.7000	RFQ	1	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-96	RDR005	Mosfet (Óxido de metal)		TSMT3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.21.0095	3.000			N-canal	250 V	500 mA (TA)	4V, 10V	8.8ohm @ 250 mA, 10v	3V @ 1MA	3.5 NC @ 10 V	± 20V	70 pf @ 25 V	-	540MW (TA)
2SK2103T100	0.7700	RFQ	72	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-243AA	2SK2103	Mosfet (Óxido de metal)		MPT3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.21.0095	1,000			N-canal	30 V	2a (TA)	4V, 10V	400mohm @ 1a, 10v	2.5V @ 1MA		± 20V	230 pf @ 10 V	-	500MW (TA)
Dtd743xetl	0.4600	RFQ	3	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños			Montaje en superficie	SC-75, SOT-416	Dtd743		150 MW	EMT3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.21.0075	3.000																					30 V	200 MA	500NA			NPN - Pre -Sesgado	300mv @ 2.5 mA, 50 mA	140 @ 100mA, 2V	260 MHz	4.7 kohms	10 kohms
RSF015N06TL	0.4400	RFQ	2	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	3-SMD, planos de cables	RSF015	Mosfet (Óxido de metal)		Tumt3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.21.0095	3.000			N-canal	60 V	1.5a (TA)	4V, 10V	290mohm @ 1.5a, 10V	2.5V @ 1MA	2 NC @ 5 V	± 20V	110 pf @ 10 V	-	800MW (TA)
RW1A0303030APT2CR	-	RFQ	3626	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-smd, planos de cables	RW1A030	Mosfet (Óxido de metal)		6-wemt	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.21.0095	8,000			Canal P	12 V	3a (TA)	1.5V, 4.5V	42mohm @ 3a, 4.5V	1V @ 1MA	22 NC @ 4.5 V	-8v	2700 pf @ 6 V	-	700MW (TA)
RJK005N03T146	0.3900	RFQ	2	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	RJK005	Mosfet (Óxido de metal)		Smt3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.21.0095	3.000			N-canal	30 V	500 mA (TA)	2.5V, 4.5V	580mohm @ 500 mA, 4.5V	1.5V @ 1MA	4 NC @ 4 V	± 12V	60 pf @ 10 V	-	200MW (TA)
RTQ035N03TR	0.6500	RFQ	659	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	RTQ035	Mosfet (Óxido de metal)		TSMT6 (SC-95)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal	30 V	3.5a (TA)	2.5V, 4.5V	54mohm @ 3.5a, 4.5V	1.5V @ 1MA	6.4 NC @ 4.5 V	± 12V	285 pf @ 10 V	-	1.25W (TA)
2SC5732TLQ	-	RFQ	1218	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				CPT3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados	EAR99	8541.21.0095	2.500																					30 V	5 A	-			NPN	-	-	-
Dta143ekat246	-	RFQ	2382	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	DTA143		200 MW	Smt3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.21.0075	10,000																					50 V	100 mA	500NA			PNP - Pre -Sesgado	300mv @ 500 µA, 10 mA	30 @ 10mA, 5V	250 MHz	4.7 kohms	4.7 kohms
Dtc115tmt2l	0.3700	RFQ	8378	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	Sot-723	DTC115		150 MW	VMT3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.21.0075	8,000																					50 V	100 mA	500NA (ICBO)			NPN - Pre -Sesgado	300mV @ 100 µA, 1 mA	100 @ 1 mapa, 5v	250 MHz	100 kohms
QS6J1TR	0.6300	RFQ	6	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	QS6J1	Mosfet (Óxido de metal)	1.25W	TSMT6 (SC-95)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal P (Dual)			20V	1.5a		215mohm @ 1.5a, 4.5V	2v @ 1 mapa	3NC @ 4.5V		270pf @ 10V	Puerta de Nivel Lógico
SCS212AGC	-	RFQ	2801	Semiconductor rohm	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2	SCS212	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	1,000		Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)												650 V	1.55 V @ 12 A	0 ns	240 µA @ 600 V	175 ° C (Máximo)	12A	438pf @ 1V, 1 MHz
Rcd075n20tl	0.6045	RFQ	4169	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	RCD075	Mosfet (Óxido de metal)		CPT3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal	200 V	7.5a (TC)	10V	325mohm @ 3.75a, 10V	5.25V @ 1MA	15 NC @ 10 V	± 30V	755 pf @ 25 V	-	850MW (TA), 20W (TC)
2sar543rtl	0.6700	RFQ	310	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-96	2Sar543		1 W	TSMT3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0075	3.000																					50 V	3 A	1 µA (ICBO)			PNP	400mv @ 100 mm, 2a	180 @ 100 mm, 3V	300MHz
2SA1514KT146R	0.4200	RFQ	3	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	2SA1514		200 MW	Smt3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.21.0075	3.000																					120 V	50 Ma	500NA (ICBO)			PNP	500mv @ 1 mapa, 10 ma	180 @ 2mA, 6V	140MHz
RB162MM-60TFTR	0.4100	RFQ	2	Semiconductor rohm	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SOD-123F	RB162	Schottky		Pmdu	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												60 V	650 MV @ 1 A		100 µA @ 60 V	150 ° C (Máximo)	1A	-
R6004cndtl	2.3100	RFQ	100	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	R6004	Mosfet (Óxido de metal)		CPT3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal	600 V	4A (TA)	10V	1.8ohm @ 2a, 10v	4.5V @ 1MA	11 NC @ 10 V	± 25V	280 pf @ 25 V	-	40W (TC)