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Productos de semiconductoros discretos (6960)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Voltaje - Calificación | Temperatura de funciones | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RSS105N03TB | - |  | 8424 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | RSS105 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 10.5a (TA) | 4V, 10V | 11.7mohm @ 10.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 15 NC @ 5 V | 20V | 1130 pf @ 10 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB521S-30G9JTE61 | - | | 5761 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | RB521 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-RB521S-30G9JTE61TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Edz9hkte615.6b | - | | 6844 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Edz | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Edz9hkt | 100 MW | EMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-edz9hkte615.6btr | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Edzvfht2r4.7b | 0.2800 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2.15% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Edzvfht2 | 150 MW | EMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 2 µA @ 1 V | 4.65 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Umf9ntr | 0.1495 | | 2604 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | NPN DE 12V, 30V N-CANAL | Propósito general | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | UMF9 | UMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | NPN DE 500 MA, 100 MA-CANAL | NPN, N-Canal | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dtc143tetl | 0.3500 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | DTC143 | 150 MW | EMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 150mv @ 250 µA, 5 mA | 100 @ 1 mapa, 5v | 250 MHz | 4.7 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | R6002ENDTL | 0.2832 | | 3999 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | R6002 | Mosfet (Óxido de metal) | CPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 V | 1.7a (TC) | 10V | 3.4ohm @ 500 mA, 10V | 4V @ 1MA | 6.5 NC @ 10 V | ± 20V | 65 pf @ 25 V | - | 20W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Rbr5lam30btftr | 0.6500 | | 11 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | RBR5LAM30 | Schottky | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 150 µA @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | 5A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dtc015tebtl | 0.1900 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | DTC015 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 150mv @ 250 µA, 5 mA | 100 @ 5 MMA, 10V | 250 MHz | 100 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mtzjt-773.6b | - | | 7760 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | 500 MW | MSD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 10 µA @ 1 V | 3.6 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SB1184TLR | 0.3320 | | 3570 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 2SB1184 | 1 W | CPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 50 V | 3 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 1V @ 200Ma, 2a | 180 @ 500 Ma, 3V | 70MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Baw156hyt116 | 0.3700 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Baw156 | Estándar | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 80 V | 215MA (DC) | 1.25 V @ 150 Ma | 3 µs | 5 na @ 75 V | 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SD1857ATV2Q | - | | 2811 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 3-SIP | 2SD1857 | 1 W | Canal de televisión Británnico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 160 V | 1.5 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 2v @ 100 ma, 1a | 120 @ 100 mapa, 5V | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dtd114ekt146 | 0.4500 | | 96 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Dtd114 | 200 MW | Smt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 500 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 2.5 mA, 50 mA | 56 @ 50 mm, 5V | 200 MHz | 10 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Edzvt2r2.7b | 0.2800 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Edzv | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Edzvt2 | 150 MW | EMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 120 µA @ 500 MV | 2.7 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RRH100P03TB1 | 0.7669 | | 3569 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | RRH100 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 10a (TA) | 4V, 10V | 12.6mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 1MA | 39 NC @ 5 V | ± 20V | 3600 pf @ 10 V | - | 650MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RK7002AT116 | - | | 1406 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | RK7002 | Mosfet (Óxido de metal) | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 300 mA (TA) | 4V, 10V | 1ohm @ 300mA, 10V | 2.5V @ 1MA | 6 NC @ 10 V | ± 20V | 33 pf @ 10 V | - | 200MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | IMB2AT110 | 0.1277 | | 1308 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | IMB2 | 300MW | Smt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 PNP - Precializado (dual) | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5MA, 5V | 250MHz | 47 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RF4C100BCTCR | 0.8500 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powerudfn | RF4C100 | Mosfet (Óxido de metal) | Huml2020l8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 10a (TA) | 1.8V, 4.5V | 15.6mohm @ 10a, 4.5V | 1.2V @ 1MA | 23.5 NC @ 4.5 V | ± 8V | 1660 pf @ 10 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RDX100N60FU6 | - | | 2763 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RDX100 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 10a (TA) | 10V | 650mohm @ 5a, 10v | 4V @ 1MA | 45 NC @ 10 V | ± 30V | 1600 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
| Rsd201n10tl | - | | 2012 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RSD201 | Mosfet (Óxido de metal) | CPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 20A (TC) | 4V, 10V | 46mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 1MA | 55 NC @ 10 V | ± 20V | 2100 pf @ 25 V | - | 850MW (TA), 20W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Ptzte255.1a | 0.5200 | | 383 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 6% | - | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Ptzte255.1 | 1 W | PMDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 20 µA @ 1 V | 5.1 V | 8 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | EMZ1T2R | 0.3900 | | 15 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | EMZ1T2 | 150MW | EMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | NPN, PNP | 400mv @ 5 mm, 50 mm / 500mv @ 5 mm, 50 mA | 120 @ 1 MMA, 6V | 180MHz, 140MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| RRS075P03FD5TB1 | - | | 8191 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-RRS075P03FD5TB1TR | Obsoleto | 2.500 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RLZTE-1127A | - | | 3209 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 3% | - | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Rlzte-1127 | 500 MW | LLDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 200 na @ 21 V | 25.6 V | 45 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RZM001P02T2L | 0.2600 | | 296 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-723 | RZM001 | Mosfet (Óxido de metal) | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | Canal P | 20 V | 100 mA (TA) | 1.2V, 4.5V | 3.8ohm @ 100 mm, 4.5V | 1V @ 100 µA | ± 10V | 15 pf @ 10 V | - | 150MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SD1468STPR | - | | 8495 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | SC-72 Peques Formados | 300 MW | SPT | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 15 V | 1 A | 500NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 50 mA, 500 mA | 120 @ 100 mapa, 3V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | QS8J11TCR | 0.2327 | | 8818 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | QS8J11 | Mosfet (Óxido de metal) | 550MW | TSMT8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 12V | 3.5a | 43mohm @ 3.5a, 4.5V | 1V @ 1MA | 22NC @ 4.5V | 2600pf @ 6V | Puerta de Nivel Lógico, Transmisión de 1.5V | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Dta114tcat116 | 0.0488 | | 9887 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Dta114 | 200 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 1 mapa, 10 ma | 100 @ 1 mapa, 5v | 250 MHz | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SD1949T106R | 0.3900 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 2SD1949 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 500 mA | 500NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 15 mA, 150 mA | 180 @ 10mA, 3V | 250MHz |
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