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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) | Corriente del Regulador (Max) | Voltaje - Limitante (Max) |
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![]() | Jantxv1n4116cur-1/tr | 25.6690 | ![]() | 2642 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N4116CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 18.3 V | 24 V | 150 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n5554 | 11.4300 | ![]() | 1097 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/420 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | B, axial | 1N5554 | Estándar | B, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.3 V @ 9 A | 2 µs | 1 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 5A | - | ||||||||||||||||||||||||
Jan1N7053-1/TR | 7.8000 | ![]() | 8695 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | - | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 250 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N7053-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 1.5 V | 4.8 V | 35 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jankca1N4132 | - | ![]() | 6658 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANKCA1N4132 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 62.32 V | 82 V | 800 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCGLQ50X065CTYZBNMG | - | ![]() | 1202 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | 210 W | Rectificador de Puente Trifásico | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 | Inversor trifásico con freno | - | 650 V | 70 A | 2.3V @ 15V, 50A | 50 µA | Si | 3100 pf @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMAJ5920E3/TR13 | 0.6450 | ![]() | 7970 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaj5920 | 3 W | DO-214AC (SMAJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 4 V | 6.2 V | 2 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
2N2219AE4 | 9.2169 | ![]() | 6707 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N2219 | 800 MW | TO-39 (TO-205Ad) | descascar | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 Ma | 10NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv2n6308 | 59.1717 | ![]() | 3771 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/498 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | 2N6308 | 125 W | TO-204AA (TO-3) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 350 V | 8 A | 50 µA | NPN | 5V @ 2.67a, 8a | 12 @ 3a, 5v | - | ||||||||||||||||||||||||
Jantxv1n483b/tr | - | ![]() | 5744 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/118 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n483b/tr | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 70 V | 1 V @ 100 Ma | 25 na @ 60 V | 175 ° C (Máximo) | 200 MMA | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n3019bur-1/tr | 13.0739 | ![]() | 2757 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N3019Bur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 25 µA @ 6.9 V | 9.1 V | 6 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N825AUR-1 | 5.8500 | ![]() | 5972 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N825 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
Jans1n6327us/tr | 125.9508 | ![]() | 2157 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n6327us/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 9.9 V | 13 V | 8 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2n3499ub/tr | 20.6150 | ![]() | 2170 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/366 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 1 W | UB | - | Alcanzar sin afectado | 150-Enero2n3499ub/TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | 100 V | 500 mA | 10 µA (ICBO) | NPN | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4751APE3/TR12 | 0.9450 | ![]() | 7336 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4751 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 22.8 V | 30 V | 40 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5309ur-1 | 21.8250 | ![]() | 6586 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5309 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.3MA | 2.25V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx2n3501l | 7.8204 | ![]() | 3947 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/366 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 2N3501 | 1 W | A-5 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 V | 300 mA | 10 µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 15 mA, 150 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5995B | 2.0700 | ![]() | 6548 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5995 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1N5995BMS | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 4 V | 6.2 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n6331 | 12.5550 | ![]() | 5410 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | B, axial | 500 MW | B, axial | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 15 V | 20 V | 18 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N3291 | - | ![]() | 9543 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/246 | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | Estándar | DO-205AA (DO-8) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.55 V @ 310 A | 10 Ma @ 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 100A | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5357Be3/TR13 | 0.9900 | ![]() | 2784 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5357 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.250 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 14.4 V | 20 V | 3 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5945E3/TR13 | - | ![]() | 8840 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5945 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 51.2 V | 68 V | 120 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | R5380TS | 158.8200 | ![]() | 4495 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-R5380TS | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1n6626ue3/tr | 12.2250 | ![]() | 10000 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | Polaridad Inversa Estándar | B, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-1n6626ue3/tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 220 V | 1.35 v @ 2 a | 45 ns | 2 µA @ 220 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1.75a | 40pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6563 | 755.0400 | ![]() | 4184 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje | TO11MA, TO-210AC, TO-61-4, STARD | 100 W | TO-61 | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N6563 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 10 A | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
Jantx1n6318d | 39.7950 | ![]() | 6391 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N6318 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 5 µA @ 2.5 V | 5.6 V | 8 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R3440 | 36.6600 | ![]() | 9999 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | R34 | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | R344 | Estándar | Do-5 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.15 V @ 90 A | 10 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 45a | - | ||||||||||||||||||||||||||
Jantxv1n754d-1 | 14.2500 | ![]() | 2968 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N754 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 V | 5 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | R30420 | 40.6350 | ![]() | 4531 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | R304 | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | R304 | Estándar | Do-5 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.19 v @ 90 A | 5 µs | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 40A | - | |||||||||||||||||||||||||
Jantxv2n1613 | 124.4880 | ![]() | 2397 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/181 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 800 MW | TO-39 (TO-205Ad) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 30 V | 500 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 1.5V @ 15 Ma, 150 Ma | 40 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||
Jan1n4466 | 8.4300 | ![]() | 7286 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4466 | 1.5 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 300 na @ 8.8 V | 11 V | 6 ohmios |
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