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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de funciones Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
CDS3028B-1/TR Microchip Technology CDS3028B-1/TR -
RFQ
 ECAD 6866 0.00000000 Tecnología de Microchip * Tape & Reel (TR) Activo - Alcanzar sin afectado 150-CDS3028B-1/TR EAR99 8541.10.0050 50
JANS1N4115-1 Microchip Technology Jans1n4115-1 33.7800
RFQ
 ECAD 2848 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 16.8 V 22 V 150 ohmios
JANS1N6329CUS/TR Microchip Technology Jans1n6329cus/tr 527.7150
RFQ
 ECAD 8870 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/533 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 500 MW B, SQ-Melf - 150-jans1n6329cus/tr EAR99 8541.10.0050 50 1.4 v @ 1 a 50 na @ 12 V 16 V 12 ohmios
APTGF150H120G Microchip Technology APTGF150H120G -
RFQ
 ECAD 4696 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Obsoleto - Monte del Chasis Sp6 961 W Estándar Sp6 descascar 1 (ilimitado) APTGF150H120GMP-ND EAR99 8541.29.0095 1 Inversor de puente entero Escrutinio 1200 V 200 A 3.7V @ 15V, 150a 350 µA No 10.2 NF @ 25 V
JANTX1N984CUR-1 Microchip Technology Jantx1n984cur-1 15.5700
RFQ
 ECAD 8275 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/117 Una granela Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N984 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 69 V 91 V 400 ohmios
JANTXV1N6326D Microchip Technology Jantxv1n6326d 45.0600
RFQ
 ECAD 4162 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Alcanzar sin afectado 150-Jantxv1n6326d EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 1 µA @ 9 V 12 V 7 ohmios
JAN1N967DUR-1/TR Microchip Technology Jan1n967dur-1/TR 12.7680
RFQ
 ECAD 6944 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/117 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-ENERO1N967DUR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 14 V 18 V 21 ohmios
1N5236BUR-1/TR Microchip Technology 1N5236BUR-1/TR 3.0900
RFQ
 ECAD 2089 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA 500 MW DO-213AA - EAR99 8541.10.0050 323 1.1 V @ 200 Ma 3 µA @ 6 V 7.5 V 6 ohmios
JANTX2N6301P Microchip Technology Jantx2n6301p 40.5517
RFQ
 ECAD 1808 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO13AA, TO-66-2 75 W TO-66 (TO-213AA) - Alcanzar sin afectado 150-Jantx2n6301p 1 80 V 8 A 500 µA NPN - Darlington 3V @ 80MA, 8A 750 @ 4a, 3V -
1N4766A/TR Microchip Technology 1N4766A/TR 88.7100
RFQ
 ECAD 5682 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-1N4766A/TR EAR99 8541.10.0050 1 9.1 V 350 ohmios
JAN1N3044CUR-1 Microchip Technology Jan1n3044cur-1 32.5950
RFQ
 ECAD 9577 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/115 Una granela Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1N3044 1 W DO-213AB (Melf, LL41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 76 V 100 V 350 ohmios
1N4532UR/TR Microchip Technology 1N4532ur/TR 2.9000
RFQ
 ECAD 7869 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo - 345
JANSM2N5002 Microchip Technology Jansm2n5002 -
RFQ
 ECAD 9446 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/534 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje TO10AA, TO-59-4, Stud 2 W TO-59 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 80 V 50 µA 50 µA NPN 1.5V @ 500mA, 5A 30 @ 2.5a, 5V -
JANTX1N3347B Microchip Technology Jantx1n3347b -
RFQ
 ECAD 3569 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/358 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje Do-203ab, do-5, semental 50 W Do-5 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 121.6 V 160 V 80 ohmios
TP2104K1-G Microchip Technology TP2104K1-G 0.8100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 TP2104 Mosfet (Óxido de metal) TO36AB (SOT23) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 40 V 160MA (TJ) 4.5V, 10V 6ohm @ 500 mA, 10V 2v @ 1 mapa ± 20V 60 pf @ 25 V - 360MW (TA)
JANTXV1N3349RB Microchip Technology Jantxv1n3349rb -
RFQ
 ECAD 6670 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/358 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje Do-203ab, do-5, semental 50 W Do-5 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 136.8 V 180 V 90 ohmios
1N6776 Microchip Technology 1N6776 302.0100
RFQ
 ECAD 6247 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo A Través del Aguetero Un 257-3 Estándar Un 257 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 1.15 v @ 15 a 35 ns 10 µA @ 800 MV -65 ° C ~ 150 ° C 15A 300pf @ 5V, 1MHz
JANTXV1N4577AUR-1 Microchip Technology Jantxv1n4577aur-1 13.8900
RFQ
 ECAD 9799 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/452 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 1N4577 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 V 50 ohmios
1N3168R Microchip Technology 1N3168R 201.6150
RFQ
 ECAD 3170 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-205AB, DO-9, Semento 1N3168 Estándar DO-205AB (DO-9) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N3168RMS EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.55 V @ 940 A 10 Ma @ 400 V -65 ° C ~ 200 ° C 300A -
1N5119/TR Microchip Technology 1N5119/TR 23.3550
RFQ
 ECAD 9280 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% - A Través del Aguetero E, axial 5 W E, axial - Alcanzar sin afectado 150-1N5119/TR EAR99 8541.10.0050 100 40 V 14 ohmios
1N3322A Microchip Technology 1N3322A 49.3800
RFQ
 ECAD 8236 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental 1N3322 50 W Do-5 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 18.2 V 25 V 2.7 ohmios
APTM100A23STG Microchip Technology Aptm100a23stg 191.2800
RFQ
 ECAD 2777 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp4 Aptm100 Mosfet (Óxido de metal) 694W Sp4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 2 Canales N (Medio Puente) 1000V (1kV) 36A 270mohm @ 18a, 10v 5V @ 5MA 308nc @ 10V 8700pf @ 25V -
1N5272B Microchip Technology 1N5272B 2.7265
RFQ
 ECAD 8552 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-1N5272B EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 84 V 110 V 750 ohmios
LSM545G/TR13 Microchip Technology LSM545G/TR13 1.5300
RFQ
 ECAD 6640 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-215AB, Ala de Gaviota SMC LSM545 Schottky DO-215AB descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 520 MV @ 5 A 2 Ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
UFS315JE3/TR13 Microchip Technology UFS315JE3/TR13 1.3200
RFQ
 ECAD 2737 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC UFS315 Estándar DO-214AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 3 A 30 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
1N4480USE3 Microchip Technology 1N4480USE3 10.0681
RFQ
 ECAD 2825 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Sq-melf, un 1.5 W A, SQ-Melf descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-1N4480USE3 EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 50 na @ 34.4 V 43 V 40 ohmios
UFS310JE3/TR13 Microchip Technology UFS310JE3/TR13 1.3050
RFQ
 ECAD 7680 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC UFS310 Estándar DO-214AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 950 MV @ 3 A 30 ns 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
JAN1N5196 Microchip Technology Jan1n5196 17.1600
RFQ
 ECAD 4750 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/118 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Estándar DO-35 (DO-204AH) - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 225 V 1 V @ 100 Ma 1 µA @ 250 V -65 ° C ~ 175 ° C 100mA -
JANS1N6318/TR Microchip Technology Jans1n6318/tr 107.0906
RFQ
 ECAD 3226 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW Do-35 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jans1n6318/tr EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 5 µA @ 2.5 V 5.6 V 8 ohmios
JANSR2N2221A Microchip Technology Jansr2n2221a 91.0606
RFQ
 ECAD 2203 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/255 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-206AA, a 18-3 Lata de metal 500 MW TO-18 (TO-206AA) - Alcanzar sin afectado 150-JANSR2N2221A 1 50 V 800 Ma 50NA NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 40 @ 150mA, 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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