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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de funciones Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) Corriente del Regulador (Max) Voltaje - Limitante (Max)
HS2907A Microchip Technology HS2907A 8.1529
RFQ
 ECAD 9022 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo HS2907 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1
JANS1N5293UR-1/TR Microchip Technology Jans1n5293ur-1/tr 130.3050
RFQ
 ECAD 7420 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/463 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 500MW DO-213AB (Melf, LL41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Jans1n5293ur-1/TR EAR99 8541.10.0070 1 100V 748 µA 1.15V
1PMT5943/TR13 Microchip Technology 1 PMT5943/TR13 2.2200
RFQ
 ECAD 7139 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 20% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-216AA 1pmt5943 3 W DO-216AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 12,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 42.6 V 56 V 86 ohmios
JANTXV1N5284UR-1 Microchip Technology Jantxv1n5284ur-1 40.2450
RFQ
 ECAD 8719 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/463 Una granela Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1N5284 500MW DO-213AB (Melf, LL41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 100V 264 µA 1V
1N5929BE3/TR13 Microchip Technology 1N5929Be3/TR13 -
RFQ
 ECAD 1950 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5929 1.5 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 11.4 V 15 V 9 ohmios
1N4754AUR/TR Microchip Technology 1N4754AUR/TR 3.6200
RFQ
 ECAD 8971 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1 W DO-213AB (Melf, LL41) - EAR99 8541.10.0050 272 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 29.7 V 39 V 60 ohmios
2N5469 Microchip Technology 2N5469 40.8150
RFQ
 ECAD 7834 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo - A Través del Aguetero TO13AA, TO-66-2 70 W TO-66 (TO-213AA) - Alcanzar sin afectado 150-2N5469 EAR99 8541.29.0095 1 400 V 3 A - NPN - - -
1N3893R Microchip Technology 1N3893R 50.8800
RFQ
 ECAD 4444 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/304 Una granela Activo Montaje DO-203AA, DO-4, semento 1N3893 Polaridad Inversa Estándar DO-203AA (DO-4) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N3893RMS EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.5 V @ 38 A 150 ns 10 µA @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C 12A -
JANS1N3595-1 Microchip Technology Jans1n3595-1 52.1850
RFQ
 ECAD 4851 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N3595 Estándar Do-35 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 125 V 1 V @ 200 Ma 3 µs 1 na @ 125 V -65 ° C ~ 175 ° C 200 MMA -
JANSM2N3500 Microchip Technology Jansm2n3500 41.5800
RFQ
 ECAD 1824 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/366 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 1 W TO-39 (TO-205Ad) - Alcanzar sin afectado 150-Jansm2n3500 1 150 V 300 mA 10 µA (ICBO) NPN 400mv @ 15 mA, 150 mA 40 @ 150mA, 10V -
1N4686 Microchip Technology 1N4686 3.9300
RFQ
 ECAD 8766 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N4686 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 5 µA @ 2 V 3.9 V
1N1185R Microchip Technology 1N1185R 74.5200
RFQ
 ECAD 9688 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje Do-203ab, do-5, semental 1N1185 Polaridad Inversa Estándar DO-203AB (DO-5) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N1185RMS EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 150 V 1.19 v @ 90 A 10 µA @ 150 V -65 ° C ~ 200 ° C 40A -
APT10M11JVRU2 Microchip Technology Apt10m11jvru2 31.4600
RFQ
 ECAD 3369 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Apt10m11 Mosfet (Óxido de metal) Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 100 V 142a (TC) 10V 11mohm @ 71a, 10v 4V @ 2.5MA 300 NC @ 10 V ± 30V 8600 pf @ 25 V - 450W (TC)
2N6215 Microchip Technology 2N6215 755.0400
RFQ
 ECAD 4434 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo - Montaje Un stud de 211 MB, TO-63-4 35 W TO-63 - Alcanzar sin afectado 150-2N6215 EAR99 8541.29.0095 1 80 V 2 A - PNP - - -
2N5881 Microchip Technology 2N5881 41.7354
RFQ
 ECAD 2279 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo 2N5881 160 W - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 60 V 15 A NPN
JAN1N4995C Microchip Technology Jan1N4995C -
RFQ
 ECAD 7616 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero E, axial 5 W E, axial - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 274 V 360 V 1400 ohmios
1N5247B Microchip Technology 1N5247B 3.9150
RFQ
 ECAD 1234 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5247 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N5247BMS EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 13 V 17 V 19 ohmios
UFS550GE3/TR13 Microchip Technology UFS550GE3/TR13 2.3700
RFQ
 ECAD 1761 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-215AB, Ala de Gaviota SMC UFS550 Estándar DO-215AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.2 v @ 5 a 50 ns 10 µA @ 500 V -55 ° C ~ 175 ° C 5A -
JANTXV1N3890 Microchip Technology Jantxv1n3890 366.6000
RFQ
 ECAD 1536 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/304 Una granela Activo Montaje DO-203AA, DO-4, semento Estándar DO-203AA (DO-4) - Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.5 V @ 20 A 200 ns -65 ° C ~ 175 ° C 12A 115pf @ 10V, 1 MHz
JAN2N1480 Microchip Technology Jan2n1480 131.4040
RFQ
 ECAD 9414 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-S-19500/207 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 1 W A-5 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 55 V 1.5 A 5 µA (ICBO) NPN 750mv @ 20 mm, 200 ma 20 @ 200Ma, 4V -
1N3893A Microchip Technology 1N3893A 44.6400
RFQ
 ECAD 6531 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/304 Una granela Activo Montaje DO-203AA, DO-4, semento 1N3893 Estándar DO-203AA (DO-4) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.5 V @ 38 A 150 ns 10 µA @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C 20A -
2N2369AUA Microchip Technology 2369aua -
RFQ
 ECAD 9666 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Descontinuado en sic -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD 360 MW SMD descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 15 V 400NA NPN 450mv @ 10 Ma, 100 Ma 20 @ 100 maja, 1v -
1N6004A Microchip Technology 1N6004A 1.9950
RFQ
 ECAD 6506 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N6004 500 MW Do-35 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 9.1 V 15 V 42 ohmios
2N1479 Microchip Technology 2N1479 25.4429
RFQ
 ECAD 9270 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 2N1479 1 W A-5 descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 40 V 1.5 A 5 µA (ICBO) NPN 750mv @ 20 mm, 200 ma 20 @ 200Ma, 4V -
2N6514 Microchip Technology 2N6514 78.7200
RFQ
 ECAD 4211 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo - A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 120 W TO-204AD (TO-3) - Alcanzar sin afectado 150-2N6514 EAR99 8541.29.0095 1 300 V 7 A - PNP - - -
JANTXV2N3507U4 Microchip Technology Jantxv2n3507u4 -
RFQ
 ECAD 5196 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/349 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 1 W U4 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 50 V 1 µA 1 µA NPN 1.5V @ 250 Ma, 2.5a 35 @ 500mA, 1V -
JANTXV1N971D-1/TR Microchip Technology Jantxv1n971d-1/tr 10.0149
RFQ
 ECAD 3146 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/117 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jantxv1n971d-1/tr EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 21 V 27 V 41 ohmios
JANTXV1N5524BUR-1 Microchip Technology Jantxv1n5524bur-1 20.6400
RFQ
 ECAD 1642 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/437 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 1N5524 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 3 µA @ 3.5 V 5.6 V 30 ohmios
APT1201R5BVRG Microchip Technology APT1201R5BVRG 35.8600
RFQ
 ECAD 2045 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo - A Través del Aguetero TO-247-3 APT1201 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-ACT1201R5BVRG EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 1200 V 10a (TC) 10V 1.5ohm @ 5a, 10v 4V @ 1MA 28 NC @ 10 V - 4440 pf @ 25 V - -
JANTX1N4109D-1 Microchip Technology Jantx1n4109d-1 14.9100
RFQ
 ECAD 3163 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N4109 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 50 na @ 11.4 V 15 V 100 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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