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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jan1n6779 | - |  | 6081 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 257-3 | Estándar | Un 257 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.6 v @ 15 a | 60 ns | 10 µA @ 480 V | 150 ° C (Máximo) | 15A | 300pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||||
 | Jan1n6864us | - | | 9335 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/620 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | Schottky | B, SQ-Melf | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 80 V | 700 MV @ 3 A | 150 µA @ 80 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||
| Jan1n6910utk2 | - | | 2914 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/723 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Thinkey ™ 2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Thinkey ™ 2 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 15 V | 520 MV @ 25 A | 1.2 Ma @ 15 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 25A | 2000pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||||||
 | Jan1n935bur-1 | - | | 2306 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/156 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 9 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||
| Jan1n988bur-1 | - | | 7020 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 Ma | 500 na @ 99 V | 130 V | 1100 ohmios | |||||||||||||||||
| Jan1n988cur-1 | - | | 2683 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 Ma | 500 na @ 99 V | 130 V | 1100 ohmios | |||||||||||||||||
 | Jan1N989C-1 | - | | 7809 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 Ma | 500 na @ 114 V | 150 V | 1500 ohmios | |||||||||||||||||
| Jan1N990CUR-1 | - | | 5669 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 Ma | 500 na @ 122 V | 160 V | 1700 ohmios | |||||||||||||||||
| Jan1n990d-1 | - | | 9004 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 Ma | 500 na @ 122 V | 160 V | 1700 ohmios | |||||||||||||||||
| Jan1n991bur-1 | - | | 7961 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 Ma | 500 na @ 137 V | 180 V | 2200 ohmios | |||||||||||||||||
| Jan1n991cur-1 | - | | 3899 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 Ma | 500 na @ 137 V | 180 V | 2200 ohmios | |||||||||||||||||
| Jan2n1724 | - | | 4048 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/262 | Una granela | Activo | 175 ° C | Montaje | TO11MA, TO-210AC, TO-61-4, STARD | 3 W | TO-61 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 300 µA | 300 µA | NPN | 600mv @ 200Ma, 2a | 30 @ 2a, 15V | - | |||||||||||||||
 | 1N7050-1 | 7.1700 | | 8476 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N7050 | 250 MW | Do-7 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 4.8 V | 35 ohmios | ||||||||||||||||||
| 1N7053-1 | 7.1700 | | 2671 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N7053 | 250 MW | Do-7 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 4.8 V | 35 ohmios | ||||||||||||||||||
| 1N747AUR-1 | 3.0300 | | 5110 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 1N747 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 1 V | 3.6 V | 22 ohmios | ||||||||||||||||
| 1N748 | 2.1600 | | 3738 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N748 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 1 V | 3.9 V | 23 ohmios | ||||||||||||||||
| 1N749 | 2.1600 | | 8112 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N749 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 1 V | 4.3 V | 22 ohmios | ||||||||||||||||
| 1N751AUR-1 | 3.0300 | | 8000 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 1N751 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 V | 14 ohmios | ||||||||||||||||
| 1N755AUR-1 | 3.0300 | | 5804 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 1N755 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 5 V | 7.5 V | 4 ohmios | ||||||||||||||||
| 1N756AUR-1 | 3.0300 | | 3754 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 1N756 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 6 V | 8.2 V | 5 ohmios | |||||||||||||||
| 1N757AUR-1 | 3.0300 | | 3279 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 1N757 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 7 V | 9.1 V | 6 ohmios | ||||||||||||||||
| 1N759AUR-1 | 3.0300 | | 6094 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 1N759 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 9 V | 12 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||
| 1N821 | 3.7600 | | 245 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N821 | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| 1N938 | 9.7350 | | 5712 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N938 | 500 MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 9 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||
| 1N941 | 5.4000 | | 3741 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N941 | 500 MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 11.7 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||
| 2N1717 | 18.0747 | | 4931 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 2N1717 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
| 2N2880 | 137.8412 | | 1671 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje | TO10AA, TO-59-4, Stud | 2N2880 | 2 W | TO-59 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 5 A | 20 µA | NPN | 1.5V @ 500mA, 5A | 40 @ 1a, 2v | - | ||||||||||||||
 | 2N3420S | 17.7422 | | 4325 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N3420 | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 3 A | 5 µA | NPN | 500mv @ 200MA, 2a | 40 @ 1a, 2v | - | ||||||||||||||
| 1N4580AUR-1 | 5.4300 | | 5774 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 1N4580 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 25 ohmios | ||||||||||||||||||
| 1N4584A-1 | 26.9100 | | 6522 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4584 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 25 ohmios |
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