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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de funciones Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
1N6487 Microchip Technology 1N6487 13.0950
RFQ
 ECAD 8370 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do041, axial 1N6487 1.5 W Do-41 descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 35 µA @ 1 V 3.9 V 9 ohmios
1N6489 Microchip Technology 1N6489 10.9950
RFQ
 ECAD 4268 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do041, axial 1N6489 1.5 W Do-41 descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 4 µA @ 1 V 4.7 V 8 ohmios
1N648UR-1 Microchip Technology 1N648ur-1 4.1250
RFQ
 ECAD 9877 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo 1N648 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1
1N1206B Microchip Technology 1N1206B 34.7100
RFQ
 ECAD 4884 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-203AA, DO-4, semento 1N1206 Estándar DO-4 (DO-203AA) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N1206BMS EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.2 V @ 30 A 10 µA @ 600 V -65 ° C ~ 200 ° C 12A -
1N3263 Microchip Technology 1N3263 151.2750
RFQ
 ECAD 4709 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-205AB, DO-9, Semento 1N3263 Estándar DO-205AB (DO-9) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N3263MS EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 300 A 75 µA @ 200 V -65 ° C ~ 190 ° C 275a -
1N3272R Microchip Technology 1N3272R 158.8200
RFQ
 ECAD 4617 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-205AB, DO-9, Semento 1N3272 Polaridad Inversa Estándar DO-205AB (DO-9) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N3272RMS EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 900 V 1.3 V @ 300 A 75 µA @ 900 V -65 ° C ~ 190 ° C 275a -
1N5827 Microchip Technology 1N5827 45.6750
RFQ
 ECAD 8145 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-203AA, DO-4, semento 1N5827 Schottky DO-4 (DO-203AA) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N5827MS EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 770 MV @ 40 A 2 Ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 15A -
JANTXV1N4481 Microchip Technology Jantxv1n4481 12.8850
RFQ
 ECAD 3759 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do041, axial 1N4481 1.5 W Do-41 descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 50 na @ 37.6 V 47 V 50 ohmios
JANTXV1N6341US Microchip Technology Jantxv1n6341us 22.3050
RFQ
 ECAD 6511 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 1N6341 500 MW B, SQ-Melf descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 50 na @ 39 V 51 V 85 ohmios
JANTXV1N6343 Microchip Technology Jantxv1n6343 14.6700
RFQ
 ECAD 4324 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/533 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero B, axial 1N6343 500 MW B, axial descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 50 na @ 47 V 62 V 125 ohmios
1N1184 Microchip Technology 1N1184 74.5200
RFQ
 ECAD 5429 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje Do-203ab, do-5, semental 1N1184 Estándar DO-203AB (DO-5) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N1184MS EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.4 V @ 110 A 10 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 35a -
1N1187R Microchip Technology 1N1187R 74.5200
RFQ
 ECAD 5442 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje Do-203ab, do-5, semental 1N1187 Polaridad Inversa Estándar DO-203AB (DO-5) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N1187RMS EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.19 v @ 90 A 10 µA @ 300 V -65 ° C ~ 200 ° C 40A -
1N3211 Microchip Technology 1N3211 65.8800
RFQ
 ECAD 9086 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje Do-203ab, do-5, semental 1N3211 Estándar DO-203AB (DO-5) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N3211ms EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.19 v @ 90 A 10 µA @ 300 V -65 ° C ~ 200 ° C 40A -
1N3290 Microchip Technology 1N3290 93.8550
RFQ
 ECAD 1512 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-205AA, DO-8, Semento 1N3290 Estándar DO-205AA (DO-8) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N3290 MS EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.2 v @ 200 a 50 µA @ 300 V -65 ° C ~ 200 ° C 100A -
1N3293A Microchip Technology 1N3293A 93.8550
RFQ
 ECAD 7815 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-205AA, DO-8, Semento 1N3293 Estándar DO-205AA (DO-8) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N3293ams EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 200 a 50 µA @ 600 V -65 ° C ~ 200 ° C 150a -
1N3881R Microchip Technology 1N3881R 50.8800
RFQ
 ECAD 5240 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-203AA, DO-4, semento 1N3881 Polaridad Inversa Estándar DO-4 (DO-203AA) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N3881RMS EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.4 V @ 20 A 200 ns 15 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 6A 115pf @ 10V, 1 MHz
85HQ035 Microchip Technology 85HQ035 117.7800
RFQ
 ECAD 8688 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje Do-203ab, do-5, semental 85HQ035 Schottky Do-5 descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 85HQ035MS EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 35 V 740 MV @ 80 A 2 Ma @ 35 V -65 ° C ~ 175 ° C 80A -
1N485B Microchip Technology 1N485B 3.5850
RFQ
 ECAD 1978 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N485 Estándar DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N485bms EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 200 V 1 V @ 100 Ma 1 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 200 MMA -
1N5230B Microchip Technology 1N5230B 2.7150
RFQ
 ECAD 7483 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5230 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N5230bms EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 Ma 50 µA @ 2 V 4.7 V 19 ohmios
1N5235B Microchip Technology 1N5235B 3.9150
RFQ
 ECAD 5794 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5235 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N5235bms EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 Ma 3 µA @ 5 V 6.8 V 5 ohmios
1N5238B Microchip Technology 1N5238B 1.8600
RFQ
 ECAD 3132 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5238 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N5238BMS EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 Ma 3 µA @ 6.5 V 8.7 V 8 ohmios
1N5243B Microchip Technology 1N5243B 2.0700
RFQ
 ECAD 6451 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5243 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N5243BMS EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 Ma 500 na @ 9.9 V 13 V 13 ohmios
1N5249B Microchip Technology 1N5249B 2.0700
RFQ
 ECAD 1608 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5249 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N5249BMS EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 14 V 19 V 23 ohmios
1N5252B Microchip Technology 1N5252B 4.2300
RFQ
 ECAD 3669 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5252 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N5252BMS EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 18 V 24 V 33 ohmios
1N5255B Microchip Technology 1N5255B 2.1000
RFQ
 ECAD 2060 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5255 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 21 V 28 V 44 ohmios
1N5256B Microchip Technology 1N5256B 2.1000
RFQ
 ECAD 1674 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5256 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N5256BMS EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 23 V 30 V 49 ohmios
1N5258B Microchip Technology 1N5258B 2.1000
RFQ
 ECAD 3457 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5258 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N5258BMS EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 27 V 36 V 70 ohmios
1N5259B Microchip Technology 1N5259B 2.1000
RFQ
 ECAD 1595 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5259 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N5259BMS EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 30 V 39 V 80 ohmios
1N5261B Microchip Technology 1N5261B 2.1000
RFQ
 ECAD 3160 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5261 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N5261BMS EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 36 V 47 V 105 ohmios
2N2904 Microchip Technology 2N2904 12.8079
RFQ
 ECAD 9355 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 2N2904 600 MW To-39 descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2n2904ms EAR99 8541.21.0095 1 40 V 600 mA 1 µA PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 35 @ 10mA, 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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