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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Current - Max | Actual | Voltaje | Voltaje - Aislamiente | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Resistencia @ if, f | Relación de la capacidad | Condición de Relación de Capacitancia | Q @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MSCDC50X1201AG | 139.6500 |  | 1966 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | MSCDC50 | Silicon Carbide Schottky | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-MSCDC50X1201AG | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.8 V @ 50 A | 200 µA @ 1200 V | 50 A | Fase triple | 1.2 kV | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Apt60d100sg/tr | 7.3800 | | 7377 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Apt60d100 | Estándar | D3pak | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-ACT60D100SG/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 2.5 V @ 60 A | 280 ns | 250 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 60A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | MSCSM120AM027CT6AG | 1.0000 | | 5319 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | MSCSM120 | CARBURO DE SILICIO (SIC) | 2.97kW (TC) | SP6C | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-MSCSM120AM027CT6AG | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 N Canal (Pierna de Fase) | 1200V (1.2kv) | 733a (TC) | 3.5mohm @ 360a, 20V | 2.8V @ 9MA | 2088nc @ 20V | 27000pf @1000V | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | MSCDC150KK70D1PAG | 153.6500 | | 34 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Caja | Activo | Monte del Chasis | Módulo | MSCDC150 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | D1P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-MSCDC150KK70D1PAG | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1 par Cátodo Común | 700 V | 150a | 1.8 V @ 150 A | 0 ns | 600 µA @ 700 V | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
 | MSC40SM120JCU2 | 45.0700 | | 5301 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | MSC40SM120 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | SOT-227 (ISOTOP®) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-MSC40SM120JCU2 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1200 V | 55A (TC) | 20V | 50mohm @ 40a, 20V | 2.7V @ 1MA | 137 NC @ 20 V | +25V, -10V | 1990 pf @ 1000 V | - | 245W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | MSCSM70TAM05TPAG | 855.8100 | | 7106 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | Monte del Chasis | Módulo | Mosfet | MSCSM70 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-MSCSM70TAM05TPAG | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Inversor de 3 fase | 273 A | 700 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSC50DC70HJ | 55.1600 | | 3 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | MSC50DC70 | Silicon Carbide Schottky | SOT-227 (ISOTOP®) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-MSC50DC70HJ | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.8 V @ 50 A | 200 µA @ 700 V | 50 A | Fase única | 700 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | MSCSM70AM07CT3AG | 362.4800 | | 4277 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | MSCSM70 | CARBURO DE SILICIO (SIC) | 988W (TC) | SP3F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-MSCSM70AM07CT3AG | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 N Canal (Pierna de Fase) | 700V | 353A (TC) | 6.4mohm @ 120a, 20V | 2.4V @ 12MA | 645nc @ 20V | 13500pf @ 700V | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | MSCSM120TAM11CTPAG | 1.0000 | | 3 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | MSCSM120 | CARBURO DE SILICIO (SIC) | 1.042kw (TC) | SP6-P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-MSCSM120TAM11CTPAG | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 Canal N (Puente 3 Formas) | 1200V (1.2kv) | 251a (TC) | 10.4mohm @ 120a, 20V | 2.8V @ 3MA | 696nc @ 20V | 9060pf @ 1000V | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | TP5335K1-G-VAO | - | | 5577 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | TP5335 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-TP5335K1-G-VAOTR | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 350 V | 85MA (TJ) | 4.5V, 10V | 30OHM @ 200MA, 10V | 2.4V @ 1MA | ± 20V | 110 pf @ 25 V | - | 360MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | SMX0502-M1/TR | - | | 5722 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | 1208 (3020 Métrica) | SMX0502 | M1 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-SMX0502-M1/TR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 1 A | 0.5pf @ 50V, 1MHz | PIN - Single | 500V | 700mohm @ 100 mm, 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MSC020SDA120K | 10.6800 | | 15 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | MSC020 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 220-2 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.8 V @ 20 A | 0 ns | 200 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 49A | 1130pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| LSP1011-454-2/TR | - | | 8116 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 125 ° C | 3-SMD, sin Plomo | LSP1011 | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-LSP1011-454-2/TR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 1 A | 500 MW | 0.35pf @ 50V, 1MHz | Pin - Conexión de la Serie de 1 par | 200V | 2ohm @ 100 mm, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SMX0508-M1/TR | - | | 2244 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | 1208 (3020 Métrica) | SMX0508 | M1 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-SMX0508-M1/TR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 1 A | 0.9pf @ 50V, 1MHz | PIN - Single | 500V | 400mohm @ 100 mm, 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| GC4490-150B/TR | - | | 4488 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | Morir | GC4490 | Chip | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-GC4490-150B/TR | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 0.1pf @ 50V, 1MHz | PIN - Single | 750V | 1.5ohm @ 100 mA, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SM0504-M1/TR | - | | 1463 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | 1208 (3020 Métrica) | SM0504 | M1 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-SM0504-M1/TR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 1 A | 0.6pf @ 50V, 1MHz | PIN - Single | 500V | 600mohm @ 100 mm, 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SM0511-M1/TR | - | | 8400 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | 1208 (3020 Métrica) | SM0511 | M1 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-SM0511-M1/TR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 1 A | 1.25pf @ 50V, 1MHz | PIN - Single | 500V | 300mohm @ 100 mA, 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| GC15009-450A/TR | - | | 3986 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 2-smd, sin plomo | GC15009 | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-GC15009-450A/TR | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 0.9pf @ 20V, 1 MHz | Soltero | 22 V | 13 | C0/C20 | 800 @ 4V, 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| GC15012-150D/TR | - | | 3173 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | Morir | GC15012 | Chip | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-GC15012-150D/TR | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 6.8pf @ 20V, 1 MHz | Soltero | 22 V | 13 | C0/C20 | 400 @ 4V, 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| GC2532-150A/TR | - | | 4803 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | Morir | GC2532 | Chip | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-GC2532-150A/TR | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 0.8pf @ 6V, 1MHz | Soltero | 30 V | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Cmavc60vrm99t3amg | - | | 2479 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Banda | Obsoleto | - | 150-CMAVC60VRM99T3AMG | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMSDC60H19B3G | - | | 8142 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Banda | Obsoleto | - | 150-CMSDC60H19B3G | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UMX9401 | - | | 6459 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Bolsa | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | Axial | Axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UMX9401 | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 5.5 W | 1.5pf @ 0V, 100MHz | PIN - Single | 50V | 1ohm @ 50 mm, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UMX4310B | - | | 3715 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Bolsa | Activo | - | Axial | Axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UMX4310B | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UMX6001B | - | | 3478 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Bolsa | Activo | - | Axial | Axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UMX6001B | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UMX9415SM | - | | 6914 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | Mel | - | - | Alcanzar sin afectado | 150-UMX9415SMTR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 10 W | 4PF @ 0V, 100MHz | PIN - Single | 50V | 1ohm @ 50 mm, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UMX6602SM | - | | 6775 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Mel | - | - | Alcanzar sin afectado | 150-UMX6602SMTR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UX9401F | - | | 7710 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | 2-SMD | - | - | Alcanzar sin afectado | 150-UX9401FTR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 4 W | 0.9pf @ 50V, 1MHz | PIN - Single | 50V | 750mohm @ 50 mm, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UMX9701 | - | | 5101 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Bolsa | Activo | - | Axial | Axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UMX9701 | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MG1010-M11 | - | | 4632 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Activo | - | Semental | MG1010 | - | - | Alcanzar sin afectado | 150-mg1010-m11 | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 800 Ma | 100 MW | - | PIN - Single | 8V | - |
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