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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Current - Max | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia - RDS (ON) | Resistencia @ if, f | Relación de la capacidad | Condición de Relación de Capacitancia | Q @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GCX1204-23-0 | 6.0300 |  | 60 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | GCX1204 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | GCX1204 | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 1.8pf @ 4V, 1 MHz | Soltero | 30 V | 3.5 | C0/C30 | 3000 @ 4V, 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
| LXP1004-23-2/TR | 5.1300 | | 525 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | LXP1004 | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0060 | 1,000 | 10 Ma | 250 MW | 0.75pf @ 20V, 1MHz | Pin - Conexión de la Serie de 1 par | 20V | 600mohm @ 10 Ma, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | GMP4235-GM1 | 3.5700 | | 381 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Gigamite® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | 0805 (Métrica de 2012) | GMP4235 | 0805 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 0.6pf @ 10V, 1 MHz | PIN - Single | 250V | 800mohm @ 20 mm, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | GC1213-23-0/TR | 6.6750 | | 7566 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | GC1213 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0060 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KVX3901A-23-0 | 5.6000 | | 140 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | KVX3901 | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 32pf @ 3V, 1MHz | Soltero | 27 V | - | 500 @ 4V, 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | MPP4204-206 | 5.6850 | | 3236 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | 0402 (1005 Métrica) | MPP4204 | 0402 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 100 | 0.15pf @ 10V, 1MHz | PIN - Single | 25V | 2ohm @ 10mA, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MPV1965-206/TR | 4.7850 | | 2252 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MPV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 0402 (1005 Métrica) | MPV1965 | 0402 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1,000 | 3.8pf @ 1v, 1 MHz | Soltero | 15 V | 3.6 | C1/C6 | 1500 @ 4V, 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
| MPL4703-406 | 9.0600 | | 101 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | 0402 (1005 Métrica) | MPL4703 | 0402 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 100 | 10 W | 0.3pf @ 10V, 1 MHz | PIN - Single | 25V | 3ohm @ 10mA, 1 GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LXS201-143-5 | - | | 4591 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | LXS201 | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 A | 250 MW | 0.3pf @ 0V, 1MHz | - | 3V | ||||||||||||||||||||||||||||||
| GMP4201-GM1/TR | 3.8100 | | 1428 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Gigamite® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | 0805 (Métrica de 2012) | GMP4201 | 0805 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1,000 | 0.18pf @ 10V, 1MHz | PIN - Single | 75V | 1.2ohm @ 100 mm, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMP4405-GM2/TR | 13.8750 | | 7612 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MMP4400 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | 0805 (Métrica de 2012) | MMP4405 | 0805 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0060 | 1,000 | 8 W | 0.6pf @ 50V, 1MHz | PIN - Single | 1000V | 750mohm @ 100 mm, 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MPP4205A-206/TR | 4.3800 | | 1 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | 0402 (1005 Métrica) | MPP4205 | 0402 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-MPP4205A-206/TR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1,000 | 0.15pf @ 10V, 1MHz | PIN - Single | 70V | 5ohm @ 10mA, 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | MML4403-GM3 | 7.3400 | | 90 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MML4400 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | 4-SMD, sin Plomo | MML4403 | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 1.5pf @ 0v, 1 MHz | PIN - 2 Independiente | 75V | 1ohm @ 100 mm, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mic94030ym4tr | - | | 5977 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Un 253-4, un 253AA | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-143 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P | 16 V | 1a (TA) | 450mohm @ 100 mA, 10V | 1.4V @ 250 µA | ± 16V | 100 pf @ 12 V | - | 568MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||
 | Jans1n4481us/tr | 151.3604 | | 5375 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | A, SQ-Melf | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jans1n4481us/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 na @ 37.6 V | 47 V | 50 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Jan1N967CUR-1/TR | 10.2410 | | 1658 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N967CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 14 V | 18 V | 21 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 2n5114ub/tr | 55.2349 | | 6557 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 500 MW | UB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-2n5114ub/tr | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | Canal P | 30 V | 25pf @ 15V | 30 V | 90 mA @ 18 V | 10 V @ 1 Na | 75 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
| CDLL4781A/TR | 38.1900 | | 9978 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4781A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 8.5 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N944A/TR | 22.7850 | | 3460 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N944A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 11.7 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Janhca1n751a | 7.2618 | | 7695 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N751A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 V | 17 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4712/TR | 3.6575 | | 7216 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4712/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 21.2 V | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n989b-1/tr | - | | 3421 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N989B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 Ma | 500 na @ 114 V | 150 V | 1.5 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
 | LXP1000-23-4 | 5.6400 | | 4663 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-LXP1000-23-4 | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 1 A | 250 MW | 0.28pf @ 5V, 1MHz | Pin - 1 par Cátodo Común | 5V | 2.5ohm @ 5 mm, 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Jans1n937b-1/tr | - | | 1962 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/156 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n937b-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 9 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV55C2V7/TR | 2.7664 | | 6888 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 7% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-BZV55C2V7/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 20 µA @ 1 V | 2.7 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5276B | 2.7664 | | 1467 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5276B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 114 V | 150 V | 1500 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
| Jans1n4581a-1/tr | 142.4850 | | 7373 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jans1n4581a-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 25 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Jans1n4101ur-1/tr | 46.3100 | | 6177 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jans1n4101ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 6.24 V | 8.2 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
 | CD4756A | 1.8354 | | 4043 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 1 W | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD4756A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 35.8 V | 47 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n6941utk3as/tr | 506.5350 | | 9446 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Thinkey ™ 3 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Thinkey ™ 3 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n6941utk3as/tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 500 MV @ 50 A | 5 Ma @ 30 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 150a | 7500pf @ 5V, 1MHz |
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