SIC
close

Productos de semiconductoros discretos (6133)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
BC557,112 NXP USA Inc. BC557,112 -
RFQ
 ECAD 4278 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC55 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 125 @ 2mA, 5V 100MHz
PSMN4R3-80PS NXP USA Inc. PSMN4R3-80PS -
RFQ
 ECAD 5756 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar 0000.00.0000 1
2PD601AS,115 NXP USA Inc. 2PD601As, 115 -
RFQ
 ECAD 6266 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2PD60 250 MW Smt3; Mpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 15,000 50 V 100 mA 10NA (ICBO) NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 290 @ 2mA, 10V 100MHz
NZX11B,133 NXP USA Inc. NZX11B, 133 0.0200
RFQ
 ECAD 108 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo NZX1 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000
BZX79-B39,133 NXP USA Inc. BZX79-B39,133 0.0200
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo BZX79 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000
PBSS5240Y,115 NXP USA Inc. PBSS5240Y, 115 0.0700
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PBSS5 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000
1N4731A,133 NXP USA Inc. 1N4731A, 133 0.0300
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1 W Do-41 descascar EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 1 V 4.3 V 9 ohmios
BUK9508-55A,127 NXP USA Inc. BUK9508-55A, 127 -
RFQ
 ECAD 7557 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Buk95 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 75A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 25A, 10V 2v @ 1 mapa 92 NC @ 5 V ± 15V 6021 pf @ 25 V - 253W (TC)
MMRF1311HR5 NXP USA Inc. Mmrf1311hr5 -
RFQ
 ECAD 1220 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 50 V Monte del Chasis Sot-979a Mmrf1 470MHz ~ 860MHz Ldmos NI-1230-4H descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 935312262178 EAR99 8541.29.0075 50 - 140W 20dB -
BFG520/X,235 NXP USA Inc. BFG520/X, 235 -
RFQ
 ECAD 2660 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Un 253-4, un 253AA Bfg52 300MW Sot-143b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 934018810235 EAR99 8541.21.0075 10,000 - 15V 70 Ma NPN 60 @ 20MA, 6V 9 GHz 1.1db ~ 2.1db @ 900MHz
PHB160NQ08T,118 NXP USA Inc. PHB160NQ08T, 118 -
RFQ
 ECAD 4796 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab PHB16 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 75 V 75A (TC) 10V 5.6mohm @ 25A, 10V 4V @ 1MA 91 NC @ 10 V ± 20V 5585 pf @ 25 V - 300W (TC)
PDTC115EEF,115 NXP USA Inc. PDTC115EEF, 115 -
RFQ
 ECAD 9960 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-89, SOT-490 PDTC115 250 MW SC-89 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000 50 V 20 Ma 1 µA NPN - Pre -Sesgado 150mv @ 250 µA, 5 mA 80 @ 5MA, 5V 100 kohms 100 kohms
PDTC144ES,126 NXP USA Inc. PDTC144ES, 126 -
RFQ
 ECAD 2926 0.00000000 NXP USA Inc. - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PDTC144 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 50 V 100 mA 1 µA NPN - Pre -Sesgado 150mv @ 500 µA, 10 mA 80 @ 5MA, 5V 47 kohms 47 kohms
BLS3135-20,114 NXP USA Inc. BLS3135-20,114 -
RFQ
 ECAD 6192 0.00000000 NXP USA Inc. - Banda Obsoleto 200 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-422a BLS3 80W CDFM2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 4 8db 75V 2A NPN 40 @ 1.5a, 5V 3.5 GHz -
MRF7S21150HSR5 NXP USA Inc. MRF7S21150HSR5 -
RFQ
 ECAD 6668 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis Ni-780s MRF7 2.11GHz ~ 2.17GHz Ldmos Ni-780s descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 - 1.35 A 44W 17.5dB - 28 V
AFT31150NR5 NXP USA Inc. Aft31150nr5 193.8900
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 65 V Montaje en superficie OM-780-2 AFT31150 2.7GHz ~ 3.1GHz Ldmos OM-780-2 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 10 µA 100 mA 150W 17.2db - 32 V
MRF8S9100HR5 NXP USA Inc. MRF8S9100HR5 -
RFQ
 ECAD 2498 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 70 V Monte del Chasis Sot-957a MRF8 920MHz Ldmos NI-780H-2L descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 935314124178 5A991G 8541.29.0075 50 - 500 mA 72W 19.3db - 28 V
PDTA124XS,126 NXP USA Inc. PDTA124XS, 126 -
RFQ
 ECAD 2982 0.00000000 NXP USA Inc. - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PDTA124 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 50 V 100 mA 1 µA PNP - Pre -Sesgado 150mv @ 500 µA, 10 mA 80 @ 5MA, 5V 22 kohms 47 kohms
BUK9635-55,118 NXP USA Inc. BUK9635-55,118 -
RFQ
 ECAD 8948 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Buk96 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 55 V 34a (TC) 5V 35mohm @ 17a, 5V 2v @ 1 mapa ± 10V 1400 pf @ 25 V - 85W (TC)
MRF6S27085HSR5 NXP USA Inc. MRF6S27085HSR5 -
RFQ
 ECAD 7051 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 68 V Monte del Chasis Ni-780s MRF6 2.66GHz Ldmos Ni-780s descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 - 900 mA 20W 15.5dB - 28 V
PMBT5551,215 NXP USA Inc. PMBT5551,215 -
RFQ
 ECAD 6613 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PMBT5 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000
BFG520,215 NXP USA Inc. BFG520,215 -
RFQ
 ECAD 2668 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Un 253-4, un 253AA Bfg52 300MW Sot-143b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 - 15V 70 Ma NPN 60 @ 20MA, 6V 9 GHz 1.1db ~ 2.1db @ 900MHz
PDTA144TK,115 NXP USA Inc. PDTA144TK, 115 -
RFQ
 ECAD 3546 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PDTA144 250 MW Smt3; Mpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 1 µA PNP - Pre -Sesgado 150mv @ 500 µA, 10 mA 100 @ 1 mapa, 5v 47 kohms
PBLS4002V,115 NXP USA Inc. PBLS4002V, 115 -
RFQ
 ECAD 2375 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 PBLS4002 300MW Sot-666 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000 50V, 40V 100 Ma, 500 Ma 1 µA 1 NPN Pre-Sesgado, 1 PNP 150mv @ 500 µA, 10 mm / 350mv @ 50 mm, 500 mA 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100 mm, 2V 300MHz 4.7 kohms 4.7 kohms
BUK9Y07-30B115 NXP USA Inc. Buk9y07-30b115 -
RFQ
 ECAD 6231 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar EAR99 8541.29.0095 1
BYD17K,135 NXP USA Inc. BYD17K, 135 -
RFQ
 ECAD 4686 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie Sod-87 BYD17 Avalancha Asignar descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 8,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.05 v @ 1 a 3 µs 1 µA @ 800 V -65 ° C ~ 175 ° C 1.5a 21pf @ 0v, 1 MHz
PN2907A,116 NXP USA Inc. PN2907A, 116 -
RFQ
 ECAD 2751 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PN29 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 60 V 600 mA 10NA (ICBO) PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
BFU760F,115 NXP USA Inc. BFU760F, 115 0.5400
RFQ
 ECAD 643 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-343f BFU760 220MW 4-DFP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 - 2.8V 70 Ma NPN 155 @ 10mA, 2V 45 GHz 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5Ghz ~ 2.4GHz
BC327,116 NXP USA Inc. BC327,116 -
RFQ
 ECAD 3354 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC32 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 80MHz
1PS226,135 NXP USA Inc. 1PS226,135 -
RFQ
 ECAD 8224 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 1PS22 Estándar Smt3; Mpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 80 V 215MA (DC) 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 500 na @ 80 V 150 ° C (Máximo)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar