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Productos de semiconductoros discretos (6133)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Estatus de Alcance	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Current - Hold (IH) (Max)	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	TUPO TRIAC	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Figura de ruido	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - PrueBa	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
BZB84-B15,215	1.0000	RFQ	9395	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo	± 2%		-	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3				300 MW	Sot-23	descascar			EAR99	8541.10.0050	1	1 par Ánodo Común																												900 MV @ 10 Ma		50 na @ 10.5 V					15 V	30 ohmios
BAS40,215	0.0200	RFQ	29	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						BAS40					descascar	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0070	3.000
BUK9Y11-30B, 115	-	RFQ	7160	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						Buk9					-	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	1.500
BZB84-C16,215	-	RFQ	2598	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo	± 5%		-	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3				300 MW	Sot-23	descascar			EAR99	8541.10.0050	1	1 par Ánodo Común																												900 MV @ 10 Ma		50 na @ 11.2 V					16 V	40 ohmios
BT138-600D, 127	0.4300	RFQ	1	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo			125 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3					Un 220b	descascar			EAR99	8541.30.0080	704	Soltero				10 Ma														Lógica - Puerta sensible	600 V	12 A	1.5 V	95a, 105a	5 Ma
BZV85-C43,113	0.0400	RFQ	35	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo	± 5%		-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial				1.3 W	Do-41	descascar			EAR99	8541.10.0050	1																													1 V @ 50 Ma		50 na @ 30 V					43 V	75 ohmios
A2T20H160W04NR3528	94.8200	RFQ	3	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo											descascar			EAR99	8541.29.0075	1
BZV55-B6V8,115	-	RFQ	6927	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo	± 2%		-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80				500 MW	Llds; Mínimo	descascar				0000.00.0000	1																													900 MV @ 10 Ma		2 µA @ 4 V					6.8 V	15 ohmios
BAV99W/DG/B3135	1.0000	RFQ	4333	NXP USA Inc.	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo				Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	BAV99		Estándar		Sot-323	descascar				0000.00.0000	1		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad																								Conexión de la Serie de 1 par	100 V	150 mA (DC)	1.25 V @ 150 Ma	4 ns	500 na @ 80 V	150 ° C (Máximo)
BZX79-B75,133	-	RFQ	9428	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						BZX79					-	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	10,000
BZX585-C2V4135	0.0300	RFQ	104	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo											descascar			EAR99	8541.10.0050	10,764
BZB84-C5V6,215	0.0200	RFQ	6363	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						BZB84					descascar	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000
BZV55-C43135	-	RFQ	3147	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo											descascar			EAR99	8541.10.0050	1
BUK7610-100B, 118	-	RFQ	4013	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						Buk76					-	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	800
BYC8-600,127	0.3800	RFQ	14	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						Byc8					descascar	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	1,000
BYC8X-600P, 127	-	RFQ	6393	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo				A Través del Aguetero	To20-2 paqueto entero			Estándar		Un 220F	descascar			EAR99	8541.10.0080	1		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																									600 V		1.9 v @ 8 a	18 ns	20 µA @ 600 V	175 ° C (Máximo)	8A	-
BZX84-C15,215	-	RFQ	5976	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						BZX84					descascar	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000
NZX11C, 133	0.0200	RFQ	19	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo	± 2%		-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial				500 MW	ALF2	descascar			EAR99	8541.10.0050	1																													1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 8 V					11 V	25 ohmios
2N7002CK, 215	-	RFQ	7064	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						2N70					descascar	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.21.0095	3.000
BZX84-C36,215	0.0200	RFQ	513	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						BZX84					descascar	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000
PZU3.3B2,115	0.0400	RFQ	16	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						PZU3.3					descascar	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000
PMEG060V050EPD139	-	RFQ	2450	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo											descascar				0000.00.0000	1
BUK953R2-40B, 127	0.9400	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	Tubo	Activo						Buk95					-	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	1,000
BSP100,135	1.0000	RFQ	2686	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Una granela	Obsoleto			-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA			Mosfet (Óxido de metal)		SOT-223	descascar	ROHS3 Cumplante		EAR99	8541.29.0095	4.000			N-canal						30 V	3.2a (TA)	4.5V, 10V	100mohm @ 2.2a, 10V	2.8V @ 1MA	6 NC @ 10 V	± 20V	250 pf @ 20 V	-	8.3W (TC)
BLA1011S-200,112	353.1400	RFQ	48	NXP USA Inc.	-	Una granela	Obsoleto		75 V		Monte del Chasis	Sot-502b		1.03GHz ~ 1.09GHz	Ldmos		Sot502b	descascar	ROHS3 Cumplante		EAR99	8541.29.0075	20				-		150 Ma	200W	13dB																	-										36 V
BLF6G27-75,112	87.5700	RFQ	4	NXP USA Inc.	-	Banda	Obsoleto		65 V		Monte del Chasis	Sot-502a		-	Ldmos		Sot502a	descascar	ROHS3 Cumplante		5A991G	8541.29.0075	20				18A		600 mA	9W	-																	-										28 V
BUK9540-100A, 127	1.0000	RFQ	9551	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tubo	Obsoleto			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3			Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal						100 V	39A (TC)	4.5V, 10V	39mohm @ 25A, 10V	2v @ 1 mapa	48 NC @ 5 V	± 15V	3072 pf @ 25 V	-	158W (TC)
PMZB380XN, 315	0.0900	RFQ	243	NXP USA Inc.	-	Una granela	Obsoleto			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-101, SOT-883			Mosfet (Óxido de metal)		DFN1006B-3	descascar	ROHS3 Cumplante		EAR99	8541.21.0095	10,000			N-canal						30 V	930 mA (TA)	2.5V, 4.5V	460mohm @ 200Ma, 4.5V	1.5V @ 250 µA	0.87 NC @ 4.5 V	± 12V	56 pf @ 25 V	-	360MW (TA), 2.7W (TC)
BAV99/8,215	-	RFQ	3957	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, BAV99	Una granela	Activo				Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BAV99		Estándar		To-236ab	-	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0070	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																								Conexión de la Serie de 1 par	100 V	215MA (DC)	1.25 V @ 150 Ma	4 ns	500 na @ 80 V	150 ° C (Máximo)
PLVA2656A, 215	0.0900	RFQ	11	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						PLVA2					descascar	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000