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Productos de semiconductoros discretos (6133)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Figura de Ruido (db typ @ f)
BC846T, 115	-	RFQ	7863	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-75, SOT-416	BC84			150 MW	SC-75	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																								65 V	100 mA		15NA (ICBO)			NPN	400mv @ 5 Ma, 100 Ma	110 @ 2mA, 5V	100MHz
BZX84-C15/LF1R	-	RFQ	9298	NXP USA Inc.	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84-C15			250 MW	SOT-23 (TO-236AB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	934069441215	EAR99	8541.10.0050	3.000																					900 MV @ 10 Ma	50 na @ 10.5 V						15 V	30 ohmios
MRF7S21170HR3	-	RFQ	9394	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		65 V		Monte del Chasis	Sot-957a	MRF7	2.17GHz	Ldmos		NI-880H-2L	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	250			-	1.4 A	50W	16dB											-									28 V
PZU15B1115	1.0000	RFQ	7689	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo	± 2%		-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F				310 MW	Sod-323f	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.10.0050	3.000																					1.1 V @ 100 Ma	50 na @ 11 V						15 V	15 ohmios
MRFG35010R5	-	RFQ	3303	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		15 V		Monte del Chasis	Ni-360HF	MRFG35	3.55 GHz	fet fet		Ni-360HF	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	50			-	180 Ma	10W	10dB											-									12 V
BC847BT, 115	-	RFQ	7937	NXP USA Inc.	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-75, SOT-416	BC84			150 MW	SC-75	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																								45 V	100 mA		15NA (ICBO)			NPN	400mv @ 5 Ma, 100 Ma	200 @ 2mA, 5V	100MHz
MRF7S19170HR5	-	RFQ	4331	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		65 V		Monte del Chasis	Sot-957a	MRF7	1.99 GHz	Ldmos		NI-880H-2L	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	50			-	1.4 A	50W	17.2db											-									28 V
Pdtc114tef, 115	-	RFQ	1331	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto				Montaje en superficie	SC-89, SOT-490	PDTC114			150 MW	SC-89	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	4.000																								50 V	100 mA		1 µA			NPN - Pre -Sesgado	150mv @ 500 µA, 10 mA	200 @ 1 mapa, 5v		10 kohms
PBSS4130QA147	-	RFQ	8105	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo											descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.21.0075	5,000
MRF5S21090HSR5	-	RFQ	9089	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		65 V		Monte del Chasis	Ni-780s	MRF5	2.11GHz	Ldmos		Ni-780s	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		5A991G	8541.29.0075	50			-	850 Ma	19W	14.5dB											-									28 V
BZX79-B4V3,143	0.0200	RFQ	5374	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo	± 2%		-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial				400 MW	ALF2	descascar					EAR99	8541.10.0050	14,048																					900 MV @ 10 Ma	3 µA @ 1 V						4.3 V	90 ohmios
BLF4G20-110B, 112	-	RFQ	8688	NXP USA Inc.	-	Banda	Obsoleto		65 V		Monte del Chasis	Sot-502a	BLF4	1.93GHz ~ 1.99GHz	Ldmos		Más	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	60			12A	700 Ma	100W	13.5dB											-									28 V
BUJ302AD, 118	1.0000	RFQ	9938	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo			150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				80 W	Dpak	descascar					EAR99	8541.29.0095	1																								400 V	4 A		250 Ma			NPN	1.5V @ 1a, 3.5a	25 @ 800 Ma, 3V	-
BFQ19,115	-	RFQ	5940	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-243AA	BFQ19			1W	SOT-89-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	1,000						-																		15V	100mA					NPN		25 @ 70 mm, 10v	5.5 GHz		3.3dB @ 500MHz
BC327,126	-	RFQ	9029	NXP USA Inc.	-	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales	BC32			625 MW	Un 92-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	2,000																								45 V	500 mA		100NA (ICBO)			PNP	700mv @ 50 mm, 500 mA	100 @ 100 maja, 1v	80MHz
Pdta144te, 115	-	RFQ	1239	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto				Montaje en superficie	SC-75, SOT-416	PDTA144			150 MW	SC-75	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000																								50 V	100 mA		1 µA			PNP - Pre -Sesgado	150mv @ 500 µA, 10 mA	100 @ 1 mapa, 5v		47 kohms
PDTA143TK, 115	-	RFQ	5976	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto				Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	PDTA143			250 MW	Smt3; Mpak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000																								50 V	100 mA		1 µA			PNP - Pre -Sesgado	150mv @ 250 µA, 5 mA	200 @ 1 mapa, 5v		4.7 kohms
Phe13003a, 412	-	RFQ	7567	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo			150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA)				2.1 W	Un 92-3	descascar					EAR99	8541.29.0095	950																								400 V	1 A		1mera			NPN	1.5V @ 250 mA, 750 mA	10 @ 400mA, 5V	-
BZX284-B51,115	-	RFQ	6601	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%		-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD -10	BZX284			400 MW	SOD -10	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																					1.1 V @ 100 Ma	50 na @ 35.7 V						51 V	110 ohmios
PZU10B3A115	-	RFQ	5800	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo											descascar					EAR99	8541.10.0050	1
BZV55-B5V1,115	-	RFQ	4161	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						BZV55					descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500
1N4749A, 113	-	RFQ	6614	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						1N47					descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000
BFG310/XR, 215	-	RFQ	5560	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sot-143r	BFG31			60MW	Sot-143r	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000						18dB																		6V	10 Ma					NPN		60 @ 5MA, 3V	14GHz		1db @ 2ghz
BAS40-06/ZLVL	-	RFQ	6516	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto				Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BAS40		Schottky		SOT-23 (TO-236AB)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad																	1 par Ánodo Común	40 V	120 mA (DC)	1 V @ 40 Ma	10 µA @ 40 V	150 ° C (Máximo)
BCM847DS/DG/B2 115	0.0600	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						BCM847					descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.21.0075	3.000
PSMN035-150P	1.0000	RFQ	2084	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo											descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.29.0095	1
PDTC114TMB315	0.0200	RFQ	40	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo											descascar					EAR99	8541.21.0075	1
BLF6G27LS-100,118	-	RFQ	3304	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		65 V		Monte del Chasis	Sot-502a	BLF6	2.5Ghz ~ 2.7GHz	Ldmos		Más	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	934064318118	EAR99	8541.29.0095	100			29a	900 mA	14W	17dB											-									28 V
Si9410dy, 518	-	RFQ	8384	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si9		Mosfet (Óxido de metal)		8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	2 (1 Año)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal					30 V	7a (TJ)	4.5V, 10V	30mohm @ 7a, 10v	1V @ 250 µA	50 NC @ 10 V	± 20V		-	2.5W (TA)
PhT4NQ10LT, 135	-	RFQ	1796	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	Ft4		Mosfet (Óxido de metal)		SC-73	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000		N-canal					100 V	3.5A (TC)	5V	250mohm @ 1.75a, 5V	2v @ 1 mapa	12.2 NC @ 5 V	± 16V	374 pf @ 25 V	-	6.9W (TC)