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Productos de semiconductoros discretos (6133)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Pumb18,115 | - |  | 6889 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | Pumb18 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
 | BZX585-B62,115 | - | | 1828 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX585 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
 | PDTC123TT, 215 | 0.0200 | | 42 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTC123 | 250 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 20MA, 5V | 2.2 kohms | ||||||||||||
| Pimh9,115 | 1.0000 | | 4063 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | Pimh9 | 600MW | 6-TSOP | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 50V | 100mA | 1 µA | 2 NPN - Precializado (dual) | 100mv @ 250 µA, 5 mA | 100 @ 5 MMA, 5V | - | 10 kohms | 47 kohms | |||||||||||
 | NZH5V1B, 115 | - | | 6065 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | NZH5 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
 | Pumh10,115 | - | | 6356 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | Pumh10 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
 | PBSS5112PAP | 1.0000 | | 4335 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
| BZB84-B51,215 | 0.0300 | | 17 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,823 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 35.7 V | 51 V | 180 ohmios | |||||||||||||
| BAT46WH/DG/B2115 | 0.0300 | | 5431 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 2.590 | ||||||||||||||||||||||||
| BZX84-C68,235 | - | | 8597 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 47.6 V | 68 V | 240 ohmios | ||||||||||||||
 | PZU12B2A115 | - | | 7938 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
 | BZT52H-B75,115 | 0.0200 | | 40 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montaje en superficie | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 52.5 V | 75 V | 175 ohmios | |||||||||||||
 | PDTC143TMB, 315 | 0.0300 | | 117 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-101, SOT-883 | PDTC143 | 250 MW | DFN1006B-3 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pre -Sesgado | 100mv @ 250 µA, 5 mA | 200 @ 1 mapa, 5v | 230 MHz | 4.7 kohms | |||||||||||
| BZX79-B16,133 | 0.0200 | | 2344 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX79 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||
 | 2PB1219AQ, 115 | 0.0200 | | 113 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 200 MW | Sot-323 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 85 @ 150mA, 10V | 100MHz | ||||||||||||
 | BZX79-B24,113 | 0.0200 | | 111 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 16.8 V | 24 V | 70 ohmios | ||||||||||||||
| BZV55-C12,135 | - | | 2755 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 8 V | 12 V | 25 ohmios | |||||||||||||||
 | 1N4730A, 133 | 0.0400 | | 41 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 50 µA @ 1 V | 3.9 V | 9 ohmios | ||||||||||||||
 | PMMT591A, 235 | - | | 8661 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PMMT5 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | |||||||||||||||||||||
 | PDTC143ZU, 115 | - | | 3260 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PDTC14 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
| NZX3V6A, 133 | 0.0200 | | 151 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | NZX3 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||
 | PZU13B2A, 115 | - | | 9845 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | PZU13 | 320 MW | Sod-323 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 100 na @ 10 V | 13 V | 10 ohmios | ||||||||||||||
| BC817-25,215 | 0.0200 | | 452 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BC817 | 250 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 160 @ 100mA, 1V | 100MHz | |||||||||||
| PDZ27BGW115 | 1.0000 | | 2903 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
| NZX13B133 | 1.0000 | | 6981 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
 | PZU5.1B1,115 | 0.0400 | | 230 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU5.1 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
| PZU11B3A115 | 0.0300 | | 30 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
| PMST4403,115 | 0.0200 | | 179 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PMST4 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
| PBSS5260PAP, 115 | 1.0000 | | 5054 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-Ufdfn Pad Expunesta | PBSS5260 | 510MW | 6-Huson (2x2) | descascar | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 60V | 2A | 100NA (ICBO) | 2 PNP (dual) | 500mv @ 200MA, 2a | 110 @ 1a, 2v | 100MHz | |||||||||||
| NZX6V2B, 133 | 0.0200 | | 37 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | NZX6 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 |
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