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Productos de semiconductoros discretos (6133)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Max Current - Hold (IH) (Max) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Figura de ruido Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Resistencia @ if, f Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
MRF6VP3450HR6 NXP USA Inc. MRF6VP3450HR6 -
RFQ
 ECAD 3489 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 110 V Monte del Chasis NI-1230 MRF6 860MHz Ldmos NI-1230 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 150 Dual - 1.4 A 90W 22.5db - 50 V
PMN35EN,115 NXP USA Inc. Pmn35en, 115 -
RFQ
 ECAD 2233 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-74, SOT-457 PMN3 Mosfet (Óxido de metal) SC-74 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 5.1a (TA) 4.5V, 10V 31mohm @ 5.1a, 10V 2.5V @ 250 µA 9.3 NC @ 10 V ± 20V 334 pf @ 15 V - 500MW (TA)
MHT1803A NXP USA Inc. MHT1803A 18.9000
RFQ
 ECAD 7515 0.00000000 NXP USA Inc. * Banda Activo MHT1803 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 240
BF423,116 NXP USA Inc. BF423,116 -
RFQ
 ECAD 7864 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BF423 830 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 250 V 50 Ma 10NA (ICBO) PNP 600mv @ 5 mm, 30 mA 50 @ 25 mm, 20V 60MHz
BZX84-C3V6/LF1VL NXP USA Inc. BZX84-C3V6/LF1VL -
RFQ
 ECAD 4185 0.00000000 NXP USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-C3V6 250 MW SOT-23 (TO-236AB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 934069476235 EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 3.6 V 90 ohmios
MRFX600HSR5 NXP USA Inc. MRFX600HSR5 140.6500
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 179 V Montaje en superficie Ni-780S-4L MRFX600 1.8MHz ~ 400MHz Ldmos Ni-780S-4L descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 Dual 10 µA 100 mA 600W 26.4db - 65 V
PDTC123JM,315 NXP USA Inc. PDTC123JM, 315 0.0200
RFQ
 ECAD 2672 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo Montaje en superficie SC-101, SOT-883 PDTC123 250 MW DFN1006-3 descascar EAR99 8541.21.0075 10,000 50 V 100 mA 1 µA NPN - Pre -Sesgado 100mv @ 250 µA, 5 mA 100 @ 10mA, 5V 2.2 kohms 47 kohms
A2T18H100-25SR3 NXP USA Inc. A2T18H100-25SR3 141.2360
RFQ
 ECAD 6878 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 65 V Monte del Chasis NI-780-4S4 A2T18 1.81GHz Ldmos NI-780-4S4 - ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 935312027128 EAR99 8541.29.0075 250 Dual - 230 Ma 18W 18.1db - 28 V
BLF8G20LS-400PVQ NXP USA Inc. BLF8G20LS-400PVQ -
RFQ
 ECAD 4489 0.00000000 NXP USA Inc. - Tubo Activo 65 V Monte del Chasis SOT-1242B BLF8G20 1.81GHz ~ 1.88GHz Ldmos CDFM8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 934067803127 EAR99 8541.29.0075 15 Dual - 3.4 A 95w 19dB - 28 V
MMRF1008HSR5 NXP USA Inc. MMRF1008HSR5 -
RFQ
 ECAD 7453 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 100 V Monte del Chasis Ni-780s Mmrf1 1.03GHz Ldmos Ni-780s - ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 935311734178 EAR99 8541.29.0075 50 - 100 mA 275W 20.3db - 50 V
MRF7S19100NR1 NXP USA Inc. MRF7S19100NR1 -
RFQ
 ECAD 1651 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Montaje en superficie Un 270ab MRF7 1.93GHz ~ 1.99GHz Ldmos Un 270 WB-4 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 935322766528 EAR99 8541.29.0075 500 - 1 A 29w 17.5dB - 28 V
MRF5S19130HR3 NXP USA Inc. MRF5S19130HR3 -
RFQ
 ECAD 9790 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis Sot-957a MRF5 1.99 GHz Ldmos NI-880H-2L descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 5A991G 8541.29.0075 250 - 1.2 A 26W 13dB - 28 V
MRF9045LR5 NXP USA Inc. MRF9045LR5 -
RFQ
 ECAD 2873 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V NI-360 MRF90 945MHz Ldmos NI-360 Plomo Corto descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 50 - 350 Ma 45W 18.8db - 28 V
BF1101WR,115 NXP USA Inc. BF1101WR, 115 -
RFQ
 ECAD 5654 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 7 V Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 BF110 800MHz Mosfet CMPAK-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal de Puerta de Doble 30mera 12 MA - - 1.7db 5 V
BUK653R4-40C,127 NXP USA Inc. Buk653r4-40c, 127 -
RFQ
 ECAD 1638 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Buk65 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 100A (TC) 4.5V, 10V 3.6mohm @ 25A, 10V 2.8V @ 1MA 125 NC @ 10 V ± 16V 8020 pf @ 25 V - 204W (TC)
PMWD15UN,518 NXP USA Inc. PMWD15UN, 518 -
RFQ
 ECAD 8556 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) PMWD15 Mosfet (Óxido de metal) 4.2W 8-TSOP - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 20V 11.6a 18.5mohm @ 5a, 4.5V 700mv @ 1 MMA 22.2NC @ 4.5V 1450pf @ 16V Puerta de Nivel Lógico
BTA212-600B/DG,127 NXP USA Inc. BTA212-600B/DG, 127 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Un 220b descascar EAR99 8541.30.0080 756 Soltero 60 Ma Estándar 600 V 12 A 1.5 V 95a, 105a 50 Ma
BUK6207-30C,118 NXP USA Inc. BUK6207-30C, 118 -
RFQ
 ECAD 7428 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Buk62 Mosfet (Óxido de metal) Dpak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 90A (TC) 4.5V, 10V 5.2mohm @ 15a, 10v 2.8V @ 1MA 54.8 NC @ 10 V ± 16V 3470 pf @ 25 V - 128W (TC)
MRF5S21045NBR1 NXP USA Inc. MRF5S21045NBR1 -
RFQ
 ECAD 6626 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 68 V Monte del Chasis Un 272bb MRF5 2.12 GHz Ldmos Un 272 WB-4 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 - 500 mA 10W 14.5dB - 28 V
MRF8HP21080HSR3 NXP USA Inc. MRF8HP21080HSR3 -
RFQ
 ECAD 1619 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Montaje en superficie Ni-780S-4L MRF8 2.17GHz Ldmos Ni-780S-4L - ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 935324468128 EAR99 8541.29.0075 250 Dual - 150 Ma 16W 14.4db - 28 V
MRF8P23080HSR5 NXP USA Inc. MRF8P23080HSR5 -
RFQ
 ECAD 3843 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 65 V Montaje en superficie Ni-780S-4L MRF8 2.3GHz Ldmos Ni-780S-4L - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 Dual - 280 Ma 16W 14.6db - 28 V
BAP64-06,215 NXP USA Inc. BAP64-06,215 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAP64 SOT-23 (TO-236AB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 100 mA 250 MW 0.35pf @ 20V, 1MHz Pin - 1 Par Ánodo Común 175V 1.35ohm @ 100 mm, 100MHz
PMEG3005ESFC315 NXP USA Inc. PMEG3005ESFC315 0.0400
RFQ
 ECAD 207 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PMEG3005 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0070 3.000
BLF4G10LS-160,112 NXP USA Inc. BLF4G10LS-160,112 -
RFQ
 ECAD 6550 0.00000000 NXP USA Inc. - Banda Obsoleto 65 V Monte del Chasis Sot-502b BLF4 894.2MHz Ldmos Sot502b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 60 15A 900 mA 160W 19.7dB - 28 V
2PC4617R,115 NXP USA Inc. 2PC4617R, 115 -
RFQ
 ECAD 9396 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-75, SOT-416 2PC46 150 MW SC-75 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 200 MV a 5 mm, 50 Ma 180 @ 1 MMA, 6V 100MHz
BF820W,115 NXP USA Inc. BF820W, 115 0.0400
RFQ
 ECAD 143 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo BF820 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000
BUK9611-55A,118 NXP USA Inc. BUK9611-55A, 118 -
RFQ
 ECAD 8772 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Buk96 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 55 V 75A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 25A, 10V 2v @ 1 mapa ± 10V 4230 pf @ 25 V - 166W (TC)
BZX84J-B11,115 NXP USA Inc. BZX84J-B11,115 -
RFQ
 ECAD 4936 0.00000000 NXP USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-90, SOD-323F BZX84J-B11 550 MW Sod-323f descascar 0000.00.0000 1 1.1 V @ 100 Ma 100 na @ 8 V 11 V 10 ohmios
ON5520,215 NXP USA Inc. ON5520,215 -
RFQ
 ECAD 3450 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 ON5520 - - SOT-23 (TO-236AB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 934063418215 EAR99 8541.29.0095 3.000 - - - - -
PDTC114YE,115 NXP USA Inc. Pdtc114ye, 115 -
RFQ
 ECAD 7763 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-75, SOT-416 PDTC114 150 MW SC-75 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 1 µA NPN - Pre -Sesgado 100mv @ 250 µA, 5 mA 100 @ 5 MMA, 5V 10 kohms 47 kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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