- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estonio
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Productos de semiconductoros discretos (6133)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (AMP) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PSMN4R3-100ES, 127 | - |  | 2460 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 100 V | 120a (TC) | 4.5V, 10V | 4.3mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 170 NC @ 10 V | ± 20V | 9900 pf @ 50 V | - | 338W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | PSMN4R3-80ES, 127 | 1.1900 | | 540 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Tubo | Activo | PSMN4 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTA420Y-800BT127 | - | | 4668 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFG540,215 | - | | 5084 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Un 253-4, un 253AA | Bfg54 | 400MW | Sot-143b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - | 15V | 120 Ma | NPN | 60 @ 40mA, 8V | 9 GHz | 1.3db ~ 1.8db @ 900MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | 2pc1815gr, 412 | - | | 5581 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 2pc18 | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 10 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 6V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | PVR100AD-B12V, 115 | - | | 7991 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | PVR10 | 300 MW | SC-74 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 45 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | Npn + zener | - | 160 @ 100mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC143ZK, 115 | - | | 8618 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTC143 | 250 MW | Smt3; Mpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 9,000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pre -Sesgado | 100mv @ 250 µA, 5 mA | 100 @ 10mA, 5V | 4.7 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
| BLF888D112 | 250.9600 | | 122 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PhD55N03LTA, 118 | - | | 2500 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Phd55 | Mosfet (Óxido de metal) | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 V | 55A (TC) | 5V, 10V | 14mohm @ 25A, 10V | 2v @ 1 mapa | 20 NC @ 5 V | ± 20V | 950 pf @ 25 V | - | 85W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | BUK752R3-40C, 127 | - | | 1858 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Buk75 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 40 V | 100A (TC) | 10V | 2.3mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 175 NC @ 10 V | ± 20V | 11323 pf @ 25 V | - | 333W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| Php63nq03lt, 127 | - | | 6309 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Php63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 68.9a (TC) | 5V, 10V | 13mohm @ 25A, 10V | 2.5V @ 1MA | 9.6 NC @ 5 V | ± 20V | 920 pf @ 25 V | - | 111W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| BZT52H-C33,115 | - | | 2920 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZT52 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BLF7G22L-130112 | 80.9000 | | 21 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 5A991G | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN9R0-30YL, 115 | - | | 3614 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | PSMN9 | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK56, POWER-SO8 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 30 V | 61a (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 15a, 10v | 2.15V @ 1MA | 17.8 NC @ 10 V | ± 20V | 1006 pf @ 12 V | - | 46W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | AFIC31025NR1 | 45.0303 | | 8614 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 32 V | Montaje en superficie | Variante A 270-17, Plana Plana | AFIC31025 | 2.7GHz ~ 3.1GHz | Ldmos | Un 270WB-17 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 935343962528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 25W | 30dB | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | MRF24300NR3 | - | | 4591 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | OM-780-2 | MRF24 | 2.45 GHz | Ldmos | OM-780-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 100 mA | 330W | 13.1db | - | 32 V | ||||||||||||||||||||||||||
| Buk7y25-60e/gfx | - | | 8189 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Buk7 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMDPB95XNE, 115 | - | | 6669 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-udfn almohadilla exposición | PMDPB95 | Mosfet (Óxido de metal) | 475MW | 6-Huson (2x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 2.4a | 120mohm @ 2a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 2.5nc @ 4.5V | 143pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||
 | MRF8P20165WHR3 | - | | 7118 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | NI-780-4 | MRF8P20165 | 1.98GHz ~ 2.01GHz | Ldmos | NI-780-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 935314476128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | Dual | - | 550 Ma | 37w | 14.8db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||
| PSMN012-25YLC, 115 | - | | 1882 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | PSMN0 | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK56, POWER-SO8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 25 V | 33A (TC) | 4.5V, 10V | 12.6mohm @ 10a, 10v | 1.95V @ 1MA | 8.3 NC @ 10 V | ± 20V | 528 pf @ 12 V | - | 26W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| MRF6S9125MBR1 | - | | 7183 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 68 V | Un 272-4 | MRF6 | 880MHz | Ldmos | Un 272 WB-4 | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 950 Ma | 27W | 20.2db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||
| MRF8S9232NR3 | - | | 3622 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 70 V | Montaje en superficie | OM-780-2 | MRF8S9232 | 960MHz | Mosfet | OM-780-2 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 935310851528 | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | - | 1.4 A | 63W | 18.1db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||
 | ON5224,118 | - | | 4710 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-5, d²pak (4 cables + pestaña), un 263bb | ON52 | - | - | D2pak | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934056731118 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
| BUK9524-55A, 127 | - | | 7249 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Buk95 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 46a (TC) | 4.5V, 10V | 21.7mohm @ 25A, 10V | 2v @ 1 mapa | ± 10V | 1815 pf @ 25 V | - | 105W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | MRFE6S9160HSR3 | - | | 1316 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 66 V | Monte del Chasis | Ni-780s | Mrfe6 | 880MHz | Ldmos | Ni-780s | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 935319257128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.2 A | 35W | 21db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||
| MRF6S19060MR1 | - | | 7994 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 68 V | Un 270-4 | MRF6 | 1.93GHz | Ldmos | Un 270 WB-4 | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 610 Ma | 12W | 16dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6S27050HR3 | - | | 7271 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 68 V | Monte del Chasis | Sot-957a | MRF6 | 2.62 GHz | Ldmos | NI-780H-2L | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 250 | - | 500 mA | 7W | 16dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||
| PMN22XN, 115 | - | | 6116 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | PMN2 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-74 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 5.7a (TA) | 2.5V, 4.5V | 27mohm @ 5.7a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 10 NC @ 4.5 V | ± 12V | 585 pf @ 15 V | - | 545MW (TA), 6.25W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| Php96nq03lt, 127 | - | | 8301 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Php96 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 25 V | 75A (TC) | 5V, 10V | 4.95mohm @ 25A, 10V | 2v @ 1 mapa | 26.7 NC @ 5 V | ± 20V | 2200 pf @ 25 V | - | 115W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| Php45nq10ta, 127 | - | | 7128 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Php45 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934059957127 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 47a (TC) | 25mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 61 NC @ 10 V | 2600 pf @ 25 V | - | - |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)