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Productos de semiconductoros discretos (6133)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Figura de ruido Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
PHU101NQ03LT,127 NXP USA Inc. PHU101NQ03LT, 127 -
RFQ
 ECAD 8691 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Phu10 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 30 V 75A (TC) 5V, 10V 5.5mohm @ 25A, 10V 2.5V @ 1MA 23 NC @ 5 V ± 20V 2180 pf @ 25 V - 166W (TC)
MRF8P9300HR6 NXP USA Inc. MRF8P9300HR6 -
RFQ
 ECAD 1620 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 70 V Monte del Chasis NI-1230 MRF8 960MHz Ldmos NI-1230 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 935321416128 EAR99 8541.29.0075 150 Dual - 2.4 A 100W 19.4db - 28 V
MRF6S9060NBR1 NXP USA Inc. MRF6S9060NBR1 -
RFQ
 ECAD 8198 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 68 V Monte del Chasis Un 272bc MRF6 880MHz Ldmos Un 272-2 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 - 450 Ma 14W 21.4db - 28 V
PDTC144VE,115 NXP USA Inc. PDTC144VE, 115 -
RFQ
 ECAD 2590 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-75, SOT-416 PDTC144 150 MW SC-75 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 1 µA NPN - Pre -Sesgado 150mv @ 500 µA, 10 mA 40 @ 5MA, 5V 47 kohms 10 kohms
MRF5P20180HR5 NXP USA Inc. MRF5P20180HR5 -
RFQ
 ECAD 1260 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V NI-1230 MRF5 1.93GHz ~ 1.99GHz Ldmos NI-1230 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 - 1.6 A 38w 14dB - 28 V
MRF6V3090NR1 NXP USA Inc. MRF6V3090NR1 -
RFQ
 ECAD 4392 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 110 V Montaje en superficie Un 270ab MRF6 860MHz Ldmos Un 270 WB-4 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 - 350 Ma 18W 22dB - 50 V
MRF6S9160HSR5 NXP USA Inc. MRF6S9160HSR5 -
RFQ
 ECAD 3160 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 68 V Monte del Chasis Ni-780s MRF6 880MHz Ldmos Ni-780s descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 - 1.2 A 35W 20.9db - 28 V
BF370,112 NXP USA Inc. BF370,112 -
RFQ
 ECAD 1465 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BF370 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 15 V 100 mA 400NA (ICBO) NPN - 40 @ 10mA, 1V 500MHz
2PC4617Q,115 NXP USA Inc. 2PC4617Q, 115 -
RFQ
 ECAD 8755 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-75, SOT-416 2PC46 150 MW SC-75 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 200 MV a 5 mm, 50 Ma 120 @ 1 MMA, 6V 100MHz
MRF8P23080HR3 NXP USA Inc. MRF8P23080HR3 -
RFQ
 ECAD 3999 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis NI-780-4 MRF8 2.3GHz Ldmos NI-780-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 935314247128 EAR99 8541.29.0075 250 Dual - 280 Ma 16W 14.6db - 28 V
MRF5S21090HR5 NXP USA Inc. MRF5S21090HR5 -
RFQ
 ECAD 4248 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis Sot-957a MRF5 2.11GHz Ldmos NI-780H-2L descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 5A991G 8541.29.0075 50 - 850 Ma 19W 14.5dB - 28 V
PH7030L,115 NXP USA Inc. PH7030L, 115 -
RFQ
 ECAD 6336 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-100, SOT-669 PH70 Mosfet (Óxido de metal) LFPAK56, POWER-SO8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 68a (TC) 4.5V, 10V 7.9mohm @ 10a, 10v 2v @ 1 mapa 12 NC @ 5 V ± 20V 1362 pf @ 10 V - 62.5W (TC)
PSMN004-55W,127 NXP USA Inc. PSMN004-55W, 127 -
RFQ
 ECAD 8607 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 PSMN0 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 55 V 100A (TC) 4.5V, 10V 4.2mohm @ 25A, 10V 2v @ 1 mapa 226 NC @ 5 V ± 15V 13000 pf @ 25 V - 300W (TC)
MRF6S27050HSR5 NXP USA Inc. MRF6S27050HSR5 -
RFQ
 ECAD 8775 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 68 V Monte del Chasis Ni-780s MRF6 2.62 GHz Ldmos Ni-780s descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 50 - 500 mA 7W 16dB - 28 V
PMGD400UN,115 NXP USA Inc. PMGD400UN, 115 -
RFQ
 ECAD 8557 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 PMGD4 Mosfet (Óxido de metal) 410MW 6-TSOP - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 710 Ma 480mohm @ 200Ma, 4.5V 1V @ 250 µA 0.89NC @ 4.5V 43pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
PHW80NQ10T,127 NXP USA Inc. PHW80NQ10T, 127 -
RFQ
 ECAD 9408 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 PHW80 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 80a (TC) 10V 15mohm @ 25A, 10V 4V @ 1MA 109 NC @ 10 V ± 20V 4720 pf @ 25 V - 263W (TC)
MRF6V4300NR5 NXP USA Inc. MRF6V4300NR5 -
RFQ
 ECAD 9285 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 110 V Montaje en superficie Un 270ab MRF6 450MHz Ldmos Un 270 WB-4 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 935310007578 EAR99 8541.29.0075 50 - 900 mA 300W 22dB - 50 V
MRFE6VP6300HR3 NXP USA Inc. MRFE6VP6300HR3 -
RFQ
 ECAD 6973 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 130 V Monte del Chasis NI-780-4 Mrfe6 230MHz Ldmos NI-780-4 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 935317343128 EAR99 8541.29.0075 250 Dual - 100 mA 300W 26.5db - 50 V
BF1211,215 NXP USA Inc. BF1211,215 -
RFQ
 ECAD 2570 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 6 V Montaje en superficie Un 253-4, un 253AA BF121 400MHz Mosfet Sot-143b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal de Puerta de Doble 30mera 15 Ma - 29dB 0.9db 5 V
BUK951R6-30E,127 NXP USA Inc. BUK951R6-30E, 127 -
RFQ
 ECAD 6871 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Buk95 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 120a (TC) 5V, 10V 1.4mohm @ 25A, 10V 2.1V @ 1MA 113 NC @ 5 V ± 10V 16150 pf @ 25 V - 349W (TC)
MRF18085BLR3 NXP USA Inc. MRF18085BLR3 -
RFQ
 ECAD 2443 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Ni-780 MRF18 1.93GHz ~ 1.99GHz Ldmos Ni-780 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 250 - 800 Ma 90W 12.5dB - 26 V
A2G26H280-04SR3 NXP USA Inc. A2G26H280-04SR3 -
RFQ
 ECAD 7593 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo A2G26 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 935318614128 0000.00.0000 250
PDTC115TE,115 NXP USA Inc. PDTC115TE, 115 -
RFQ
 ECAD 4771 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-75, SOT-416 PDTC115 150 MW SC-75 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 1 µA NPN - Pre -Sesgado 150mv @ 250 µA, 5 mA 100 @ 1 mapa, 5v 100 kohms
PMST5550,135 NXP USA Inc. PMST5550,135 -
RFQ
 ECAD 5130 0.00000000 NXP USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 200 MW Sot-323 descascar 0000.00.0000 1 140 V 300 mA 100NA (ICBO) NPN 250 MV a 5 mm, 50 Ma 60 @ 10mA, 5V 300MHz
PHB222NQ04LT,118 NXP USA Inc. PHB222NQ04LT, 118 -
RFQ
 ECAD 4382 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab PHB22 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 75A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 25A, 10V 2v @ 1 mapa 93.6 NC @ 5 V ± 15V 7880 pf @ 25 V - 300W (TC)
1N4742A,133 NXP USA Inc. 1N4742A, 133 0.0400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1 W Do-41 descascar EAR99 8541.10.0050 7,969 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 9.1 V 12 V 9 ohmios
MRF6V2300NBR1 NXP USA Inc. MRF6V2300NBR1 -
RFQ
 ECAD 1329 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 110 V Monte del Chasis Un 272bb MRF6 220MHz Ldmos Un 272 WB-4 descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 500 - 900 mA 300W 25.5db - 50 V
MRF6S19200HSR5 NXP USA Inc. MRF6S19200HSR5 -
RFQ
 ECAD 7514 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 66 V Monte del Chasis Ni-780s MRF6 1.93GHz ~ 1.99GHz Ldmos Ni-780s descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 - 1.6 A 56W 17.9dB - 28 V
BT138-800/DG,127 NXP USA Inc. BT138-800/DG, 127 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Un 220b descascar EAR99 8541.30.0080 642 Soltero 30 Ma Estándar 800 V 12 A 1.5 V 95a, 105a 35 Ma
BC817-40/DG/B2215 NXP USA Inc. BC817-40/DG/B2215 1.0000
RFQ
 ECAD 9598 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo BC817 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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