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Productos de semiconductoros discretos (6133)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Current - Max | Current - Hold (IH) (Max) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TUPO TRIAC | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Figura de ruido | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BT136S-800F, 118 | - |  | 6941 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Dpak | descascar | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | Soltero | 15 Ma | Estándar | 800 V | 4 A | 1.5 V | 25a, 27a | 25 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZM3.0NB1,115 | - | | 3742 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PZM3.0 | 300 MW | Smt3; Mpak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 100 Ma | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PZM18NB2,115 | - | | 7838 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PZM18 | 300 MW | Smt3; Mpak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 100 Ma | 70 na @ 13 V | 18 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMSTA3904,115 | 0.0200 | | 8177 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Pmsta | 200 MW | SC-70 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 200 MA | 50NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 5 Ma, 50 Ma | 100 @ 10mA, 1V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBLS2003D, 115 | - | | 7127 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PBLS20 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-C3V6,113 | 0.0200 | | 220 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.6 V | 90 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAP50-05W, 115 | - | | 6725 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | BAP50 | SC-70 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 50 Ma | 240 MW | 0.5pf @ 5V, 1MHz | Pin - 1 par Cátodo Común | 50V | 5ohm @ 10mA, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6V13250HR5 | - | | 3701 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 120 V | Monte del Chasis | Sot-957a | MRF6 | 1.3GHz | Ldmos | NI-780H-2L | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 935314557178 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 100 mA | 250W | 22.7db | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMSTA3904,135 | - | | 6870 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | PMSTA3904 | 200 MW | SC-70 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934061808135 | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 40 V | 200 MA | 50NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 5 Ma, 50 Ma | 100 @ 10mA, 1V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6S23100HSR3 | - | | 8454 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 68 V | Monte del Chasis | Ni-780s | MRF6 | 2.4GHz | Ldmos | Ni-780s | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 5A991G | 8541.29.0075 | 250 | - | 1 A | 20W | 15.4db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6S9125NBR1 | - | | 5330 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 68 V | Monte del Chasis | Un 272bb | MRF6 | 880MHz | Ldmos | Un 272 WB-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 950 Ma | 27W | 20.2db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF6S9160HR3 | - | | 6875 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 68 V | Monte del Chasis | Sot-957a | MRF6 | 880MHz | Ldmos | NI-780H-2L | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.2 A | 35W | 20.9db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | A2I25H060GNR1 | - | | 9763 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | Variatura A 270-17, Ala de la Gaviota | A2I25 | 2.59 GHz | Ldmos | Un 270WBG-17 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 935316196528 | EAR99 | 8542.33.0001 | 500 | Dual | - | 26 MA | 10.5w | 26.1db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK961R7-40E, 118 | - | | 7882 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Buk96 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 120a (TC) | 5V, 10V | 1.5mohm @ 25A, 10V | 2.1V @ 1MA | 105.4 NC @ 5 V | ± 10V | 15010 pf @ 25 V | - | 324W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMRF5018HSR5 | 278.3694 | | 2606 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 125 V | Montaje en superficie | NI-400S-2SA | 1MHz ~ 2.7GHz | - | NI-400S-2SA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 568-MMRF5018HSR5TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | - | - | 125W | 17.3db | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTD143XT215 | 0.0300 | | 3377 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 8.030 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-C56133 | 1.0000 | | 9093 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF5S19150HSR5 | - | | 1527 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | NI-880S | MRF5 | 1.93GHz ~ 1.99GHz | Ldmos | NI-880S | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.4 A | 32W | 14dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk7l06-34arc, 127 | - | | 2374 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Buk7 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 34 V | 75A (TC) | 10V | 6mohm @ 30a, 10v | 3.8V @ 1 MMA | 82 NC @ 10 V | ± 20V | 4533 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN010-55D, 118 | - | | 8606 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | PSMN0 | Mosfet (Óxido de metal) | Dpak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 10.5mohm @ 25A, 10V | 2v @ 1 mapa | 55 NC @ 5 V | ± 15V | 3300 pf @ 20 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFR505215 | 0.1600 | | 14 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK9240-100A/C1,11 | - | | 7675 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | BUK92 | Mosfet (Óxido de metal) | Dpak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934061623118 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 33A (TC) | 4.5V, 10V | 38.6mohm @ 25A, 10V | 2v @ 1 mapa | ± 10V | 3072 pf @ 25 V | - | 114W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF9085LSR5 | - | | 7837 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | Ni-780s | MRF90 | 880MHz | Ldmos | Ni-780s | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.31.0001 | 50 | - | 700 Ma | 90W | 17.9dB | - | 26 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF998,235 | - | | 3474 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 12 V | Montaje en superficie | Un 253-4, un 253AA | BF998 | 200MHz | Mosfet | Sot-143b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934002640235 | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | Canal de Puerta de Doble | 30mera | 10 Ma | - | - | 0.6db | 8 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BF998,215 | - | | 7114 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 12 V | Montaje en superficie | Un 253-4, un 253AA | BF998 | 200MHz | Mosfet | Sot-143b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal de Puerta de Doble | 30mera | 10 Ma | - | - | 0.6db | 8 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF5S21045MBR1 | - | | 5175 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 68 V | Un 272-4 | MRF5 | 2.11GHz ~ 2.17GHz | Ldmos | Un 272 WB-4 | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 500 mA | 10W | 14.5dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK96150-55A, 118 | - | | 3555 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Buk96 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 13a (TC) | 4.5V, 10V | 137mohm @ 13a, 10v | 2v @ 1 mapa | ± 10V | 339 pf @ 25 V | - | 53W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN3R5-30LL, 115 | - | | 1040 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | PSMN3 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN3333 (3.3x3.3) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.400 | N-canal | 30 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 3.6mohm @ 10a, 10v | 2.15V @ 1MA | 37 NC @ 10 V | ± 20V | 2061 pf @ 15 V | - | 71W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS4260PAN | 1.0000 | | 4486 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA123EK, 115 | - | | 9921 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTA123 | 250 MW | Smt3; Mpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | PNP - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 20MA, 5V | 2.2 kohms | 2.2 kohms |
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