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Productos de semiconductoros discretos (6133)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Voltaje - Clasificado Temperatura de funciones Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
BUK9E2R3-40E,127 NXP USA Inc. Buk9e2r3-40e, 127 -
RFQ
 ECAD 1962 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Buk9 Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 120a (TC) 5V, 10V 2.2mohm @ 25A, 10V 2.1V @ 1MA 87.8 NC @ 5 V ± 10V 13160 pf @ 25 V - 293W (TC)
PEMH2,115 NXP USA Inc. PEMH2,115 0.0600
RFQ
 ECAD 9821 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 PEMH2 300MW Sot-666 descascar EAR99 8541.21.0075 960 50V 100mA 1 µA 2 NPN - Precializado (dual) 150mv @ 500 µA, 10 mA 80 @ 5MA, 5V - 47 kohms 47 kohms
PZM27NB,115 NXP USA Inc. PZM27NB, 115 -
RFQ
 ECAD 5799 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PZM27 300 MW Smt3; Mpak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.1 V @ 100 Ma 70 na @ 21 V 27 V 40 ohmios
PVR100AZ-B5V0,115 NXP USA Inc. PVR100AZ-B5V0,115 -
RFQ
 ECAD 8512 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA PVR10 550 MW SC-73 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1,000 45 V 100 mA 100NA (ICBO) Npn + zener - 160 @ 100mA, 1V -
PLVA2662A,215 NXP USA Inc. PLVA2662A, 215 0.0900
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PLVA2 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000
PMF77XN,115 NXP USA Inc. PMF77XN, 115 -
RFQ
 ECAD 8937 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 PMF77 Mosfet (Óxido de metal) SC-70 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 1.5a (TA) 2.5V, 4.5V 97mohm @ 1.5a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 2.9 NC @ 4.5 V ± 12V 170 pf @ 15 V - 270MW (TA), 1.92W (TC)
PHB11N06LT,118 NXP USA Inc. PHB11N06LT, 118 -
RFQ
 ECAD 5900 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab PHB11 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 55 V 10.3a (TC) 5V, 10V 130mohm @ 5.5a, 10V 2v @ 1 mapa 5.2 NC @ 5 V ± 15V 330 pf @ 25 V - 33W (TC)
BFU520AVL NXP USA Inc. Bfu520avl 0.1208
RFQ
 ECAD 6790 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Bfu520 450MW SOT-23 (TO-236AB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 934067697235 EAR99 8541.21.0075 10,000 12.5dB 12V 30mera NPN 60 @ 5mA, 8V 10GHz 1DB @ 1.8GHz
PDTA114EE,115 NXP USA Inc. PDTA114EE, 115 -
RFQ
 ECAD 8240 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-75, SOT-416 PDTA114 150 MW SC-75 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 150mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 180 MHz 10 kohms 10 kohms
PRF957,115 NXP USA Inc. PRF957,115 -
RFQ
 ECAD 9538 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 PRF95 270MW SC-70 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 - 10V 100mA NPN 50 @ 5MA, 6V 8.5 GHz 1.3db ~ 1.8db @ 1ghz ~ 2ghz
PDTB123YK,115 NXP USA Inc. PDTB123YK, 115 -
RFQ
 ECAD 7325 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PDTB123 250 MW Smt3; Mpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 500 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 2.5 mA, 50 mA 70 @ 50 mm, 5V 2.2 kohms 10 kohms
BZX284-C30,115 NXP USA Inc. BZX284-C30,115 -
RFQ
 ECAD 3462 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD -10 BZX284 400 MW SOD -10 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.1 V @ 100 Ma 50 na @ 21 V 30 V 40 ohmios
BUK662R5-30C,118-NXP NXP USA Inc. Buk662r5-30c, 118-NXP -
RFQ
 ECAD 5857 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 1 N-canal 30 V 100A (TC) 10V 2.8mohm @ 25A, 10V 2.8V @ 1MA 114 NC @ 10 V ± 16V 6960 pf @ 25 V - 204W (TC)
BZX79-B3V3,133 NXP USA Inc. BZX79-B3V3,133 0.0200
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 400 MW ALF2 descascar EAR99 8541.10.0050 1 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 3.3 V 95 ohmios
MMRF5017HSR5 NXP USA Inc. MMRF5017HSR5 229.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. - Banda Activo 150 V Montaje en superficie NI-400S-2S MMRF5017 30MHz ~ 2.2GHz Hemt NI-400S-2S descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 - 200 MA 125W 18.4db - 50 V
BY329-1200,127 NXP USA Inc. By329-1200,127 -
RFQ
 ECAD 5095 0.00000000 NXP USA Inc. - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 32 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 933703410127 EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.85 V @ 20 A 135 ns 1 Ma @ 1000 V 150 ° C (Máximo) 8A -
2PA1774S,115 NXP USA Inc. 2PA1774S, 115 -
RFQ
 ECAD 3175 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-75, SOT-416 2PA17 150 MW SC-75 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 200 MV a 5 mm, 50 Ma 270 @ 1 MMA, 6V 100MHz
BFG424F,115 NXP USA Inc. BFG424F, 115 -
RFQ
 ECAD 5653 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-343 Pista Inversa Bfg42 135MW 4-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 23dB 4.5V 30mera NPN 50 @ 25 MMA, 2V 25 GHz 0.8dB ~ 1.2db @ 900MHz ~ 2GHz
BZX84-B2V7 NXP USA Inc. BZX84-B2V7 1.0000
RFQ
 ECAD 2097 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo ± 2% - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23 descascar 0000.00.0000 1 900 MV @ 10 Ma 20 µA @ 1 V 2.7 V 100 ohmios
BUK9614-60E118 NXP USA Inc. BUK9614-60E118 -
RFQ
 ECAD 4428 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar 0000.00.0000 1
BC51-10PASX NXP USA Inc. BC51-10PASX 0.0600
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-udfn almohadilla exposición 420 MW DFN2020D-3 descascar EAR99 8541.29.0075 1 45 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 63 @ 150mA, 2V 145MHz
2PB709AR,115 NXP USA Inc. 2PB709AR, 115 -
RFQ
 ECAD 6089 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2PB70 250 MW Smt3; Mpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 15,000 45 V 100 mA 10NA (ICBO) PNP 500mv @ 10 Ma, 100 Ma 210 @ 2mA, 10V 70MHz
MRF5S9150HSR3 NXP USA Inc. MRF5S9150HSR3 -
RFQ
 ECAD 4217 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 68 V Monte del Chasis Sot-957a MRF5 880MHz Ldmos NI-780H-2L descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 250 - 1.5 A 33W 19.7dB - 28 V
PDTA124EK,115 NXP USA Inc. PDTA124EK, 115 -
RFQ
 ECAD 8915 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PDTA124 250 MW Smt3; Mpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 9,000 50 V 100 mA 1 µA PNP - Pre -Sesgado 150mv @ 500 µA, 10 mA 60 @ 5MA, 5V 22 kohms 22 kohms
BC847BMB315 NXP USA Inc. BC847BMB315 -
RFQ
 ECAD 7265 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo - 2156-BC847BMB315 0000.00.0000 1
MRF5S21130HSR5 NXP USA Inc. MRF5S21130HSR5 -
RFQ
 ECAD 8762 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Montaje en superficie NI-880S MRF5 2.11GHz ~ 2.17GHz Ldmos NI-880S descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 5A991G 8541.29.0075 50 - 1.2 A 28W 13.5dB - 28 V
BFU550XRR NXP USA Inc. Bfu550xrr 0.4400
RFQ
 ECAD 5414 0.00000000 NXP USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-143r BFU550 450MW Sot-143r descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 21.5db 12V 50mera NPN 60 @ 15 mm, 8v 11 GHz 0.7dB A 900MHz
MRF085HR5 NXP USA Inc. MRF085HR5 -
RFQ
 ECAD 2068 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 133 V NI-650H-4L MRF08 1.8MHz ~ 1.215GHz Ldmos NI-650H-4L descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 Dual 7 µA 100 mA 85W 25.6db - 50 V
BFR520,215 NXP USA Inc. BFR520,215 -
RFQ
 ECAD 7196 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BFR52 300MW SOT-23 (TO-236AB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 - 15V 70 Ma NPN 60 @ 20MA, 6V 9 GHz 1.1db ~ 2.1db @ 900MHz
PHPT60610PYX NXP USA Inc. Phpt60610pyx -
RFQ
 ECAD 9450 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-100, SOT-669 PHPT60610 1.5 W LFPAK56, POWER-SO8 descascar EAR99 8541.29.0075 1 60 V 10 A 100na PNP 470mv @ 1a, 10a 120 @ 500mA, 2V 85MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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