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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició
BC559CTA	-	RFQ	8389	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales			500 MW	Un 92-3	descascar					EAR99	8541.21.0075	1																				30 V	100 mA	15NA (ICBO)	PNP	650mv @ 5 mm, 100 mapa	420 @ 2mA, 5V	150MHz
Ksc945gbu	0.0600	RFQ	1	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA)			250 MW	Un 92-3	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.21.0075	1,000																				50 V	150 Ma	100NA (ICBO)	NPN	300mv @ 10 Ma, 100 Ma	200 @ 1 MMA, 6V	300MHz
MJD340	-	RFQ	9109	Semiconductor de fairchild	-	Tubo	Obsoleto	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			1.56 W	Dpak	descascar	Rohs no conforme				EAR99	8541.29.0095	75																				300 V	500 mA	100 µA	NPN	-	30 @ 50mA, 10V	-
Bd240b	1.0000	RFQ	2425	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3			30 W	Un 220-3	descascar					EAR99	8541.29.0095	1																				80 V	2 A	300 µA	PNP	700mv @ 200MA, 1A	15 @ 1a, 4v	-
BC548B	0.0500	RFQ	17	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA)			500 MW	Un 92-3	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.21.0075	2,000																				30 V	100 mA	15NA (ICBO)	NPN	600mv @ 5 Ma, 100 Ma	200 @ 2mA, 5V	300MHz
FDS6675A	1.0000	RFQ	1503	Semiconductor de fairchild	Powertrench®	Una granela	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)		Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.29.0095	2.500		Canal P	30 V	11a (TA)	4.5V, 10V	13mohm @ 11a, 10v	3V @ 250 µA	34 NC @ 5 V	± 25V	2330 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
MJE350stu-FS	-	RFQ	6894	Semiconductor de fairchild	MJE350	Una granela	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA			20 W	SOT-223	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1																				300 V	500 mA	100 µA (ICBO)	PNP	-	30 @ 50mA, 10V	-
MMBT5088	-	RFQ	3594	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			350 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000																				30 V	100 mA	50NA (ICBO)	NPN	500mv @ 1 mapa, 10 ma	350 @ 1 MMA, 5V	50MHz
2N5550ta	0.0400	RFQ	64	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales			625 MW	Un 92-3	descascar					EAR99	8541.21.0075	8.036																				140 V	600 mA	100NA (ICBO)	NPN	250 MV a 5 mm, 50 Ma	60 @ 10mA, 5V	300MHz
FDMC15N06	-	RFQ	1274	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-PowerWDFN		Mosfet (Óxido de metal)		8-MLP (3.3x3.3)	descascar					EAR99	8542.39.0001	1		N-canal	55 V	2.4a (TA), 15a (TC)	10V	900mohm @ 15a, 10V	4V @ 250 µA	11.5 NC @ 10 V	± 20V	350 pf @ 25 V	-	2.3W (TA), 35W (TC)
TIP115tu	0.4500	RFQ	940	Semiconductor de fairchild	-	Tubo	Obsoleto	150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3			2 W	Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.29.0095	1,000																				60 V	2 A	2mera	PNP - Darlington	2.5V @ 8MA, 2A	1000 @ 1a, 4V	-
FDMA8884	1.0000	RFQ	6776	Semiconductor de fairchild	Powertrench®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Almohadilla exposición de 6 wdfn		Mosfet (Óxido de metal)		6-Microfet (2x2)	descascar					EAR99	8541.29.0095	1		N-canal	30 V	6.5a (TA), 8a (TC)	4.5V, 10V	23mohm @ 6.5a, 10v	3V @ 250 µA	7.5 NC @ 10 V	± 20V	450 pf @ 15 V	-	1.9W (TA)
Fdu7n60nztu	-	RFQ	4942	Semiconductor de fairchild	Unifet-ii ™	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA		Mosfet (Óxido de metal)		I-pak	descascar					EAR99	8541.29.0095	1		N-canal	600 V	5.5a (TC)	10V	1.25ohm @ 2.75a, 10V	5V @ 250 µA	17 NC @ 10 V	± 25V	730 pf @ 25 V	-	90W (TC)
FDD8453LZ-F085	0.5800	RFQ	3248	Semiconductor de fairchild	Automotriz, AEC-Q101, Powertrench®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Mosfet (Óxido de metal)		TO-252, (D-Pak)	descascar					EAR99	8542.39.0001	1		N-canal	40 V	50A (TC)	4.5V, 10V	6.7mohm @ 15a, 10v	3V @ 250 µA	64 NC @ 10 V	± 20V	3515 pf @ 20 V	-	118W (TC)
FCPF36N60NT	5.9800	RFQ	67	Semiconductor de fairchild	Supremos ™	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220F-3	descascar					EAR99	8542.39.0001	1		N-canal	600 V	36A (TC)	10V	90mohm @ 18a, 10v	4V @ 250 µA	112 NC @ 10 V	± 30V	4785 pf @ 100 V	-	-
FDP8870	-	RFQ	4785	Semiconductor de fairchild	Powertrench®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220-3	descascar					EAR99	8542.39.0001	1		N-canal	30 V	19a (TA), 156a (TC)	4.5V, 10V	4.1mohm @ 35a, 10v	2.5V @ 250 µA	132 NC @ 10 V	± 20V	5200 pf @ 15 V	-	160W (TC)
NDS9407	-	RFQ	3348	Semiconductor de fairchild	Powertrench®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)		Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar					EAR99	8542.39.0001	1		Canal P	60 V	3a (TA)	4.5V, 10V	150mohm @ 3a, 10v	3V @ 250 µA	22 NC @ 10 V	± 20V	732 pf @ 30 V	-	1W (TA)
Fqi4n90tu	1.1800	RFQ	1	Semiconductor de fairchild	QFET®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	FQI4N90	Mosfet (Óxido de metal)		I2pak (TO-262)	descascar					EAR99	8542.39.0001	1		N-canal	900 V	4.2a (TC)	10V	3.3ohm @ 2.1a, 10V	5V @ 250 µA	30 NC @ 10 V	± 30V	1100 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 140W (TC)
HUFA76419D3ST_QF085	-	RFQ	5933	Semiconductor de fairchild	*	Una granela	Activo								-						0000.00.0000	1
FDMA7672	-	RFQ	7829	Semiconductor de fairchild	Powertrench®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Almohadilla exposición de 6 wdfn		Mosfet (Óxido de metal)		6-Microfet (2x2)	descascar					EAR99	8542.39.0001	1		N-canal	30 V	9a (TA)	4.5V, 10V	21mohm @ 9a, 10v	3V @ 250 µA	13 NC @ 10 V	± 20V	760 pf @ 15 V	-	2.4W (TA)
FDMS7682	-	RFQ	9616	Semiconductor de fairchild	Powertrench®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn		Mosfet (Óxido de metal)		8-PQFN (5x6)	descascar					EAR99	8542.39.0001	1		N-canal	30 V	16a (TA), 22a (TC)	4.5V, 10V	6.3mohm @ 14a, 10v	3V @ 250 µA	30 NC @ 10 V	± 20V	1885 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 33W (TC)
IRF740B	1.0000	RFQ	7799	Semiconductor de fairchild	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	400 V	10a (TC)	10V	540mohm @ 5a, 10v	4V @ 250 µA	53 NC @ 10 V	± 30V	1800 pf @ 25 V	-	134W (TC)
FQB8N60CFTM	1.1600	RFQ	2	Semiconductor de fairchild	FRFET®	Una granela	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Mosfet (Óxido de metal)		D2PAK (TO-263)	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	600 V	6.26a (TC)	10V	1.5ohm @ 3.13a, 10V	4V @ 250 µA	36 NC @ 10 V	± 30V	1255 pf @ 25 V	-	147W (TC)
FQB44N10TM	1.0000	RFQ	8553	Semiconductor de fairchild	QFET®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar					EAR99	8542.39.0001	1		N-canal	100 V	43.5a (TC)	10V	39mohm @ 21.75a, 10v	4V @ 250 µA	62 NC @ 10 V	± 25V	1800 pf @ 25 V	-	3.75W (TA), 146W (TC)
FDN360P	-	RFQ	1062	Semiconductor de fairchild	Powertrench®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3		Mosfet (Óxido de metal)		Sot-23-3	descascar					EAR99	8542.39.0001	1		Canal P	30 V	2a (TA)	4.5V, 10V	80mohm @ 2a, 10v	3V @ 250 µA	9 NC @ 10 V	± 20V	298 pf @ 15 V	-	500MW (TA)
FDS8433A-G	0.2900	RFQ	720	Semiconductor de fairchild	*	Una granela	Activo								descascar		Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-FDS8433A-G-600039	EAR99	8541.29.0095	1
FDB52N20TM	-	RFQ	2904	Semiconductor de fairchild	Unifet ™	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Mosfet (Óxido de metal)		D2PAK (TO-263)	descascar					EAR99	8542.39.0001	1		N-canal	200 V	52a (TC)	10V	49mohm @ 26a, 10v	5V @ 250 µA	63 NC @ 10 V	± 30V	2900 pf @ 25 V	-	357W (TC)
EGF1A	0.1900	RFQ	2	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		Montaje en superficie	DO-214AC, SMA		Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar		Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-EGF1A-600039			1.735	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												50 V	1 V @ 1 A	50 ns	10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
FDP025N06	2.5400	RFQ	401	Semiconductor de fairchild	Powertrench®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220-3	descascar					EAR99	8542.39.0001	119		N-canal	60 V	120a (TC)	10V	2.5mohm @ 75a, 10v	4.5V @ 250 µA	226 NC @ 10 V	± 20V	14885 pf @ 25 V	-	395W (TC)
FDMS0348	0.2100	RFQ	63	Semiconductor de fairchild	Powertrench®	Una granela	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-PowerWDFN		Mosfet (Óxido de metal)		8-MLP (5x6)	descascar					EAR99	8542.39.0001	1		N-canal	30 V	14A (TA), 35A (TC)	4.5V, 10V	7mohm @ 14a, 10v	3V @ 250 µA	26 NC @ 10 V	± 20V	1590 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 50W (TC)