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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
BD243B Fairchild Semiconductor Bd243b -
RFQ
 ECAD 8139 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BD243 65 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 0000.00.0000 1 80 V 6 A 700 µA NPN 1.5V @ 1a, 6a 15 @ 3a, 4V -
FDMS8558S Fairchild Semiconductor FDMS8558S -
RFQ
 ECAD 6825 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench®, Syncfet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMS85 Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 3.000 N-canal 25 V 33A (TA), 90A (TC) 4.5V, 10V 1.5mohm @ 33a, 10v 2.2V @ 1MA 81 NC @ 10 V ± 12V 5118 pf @ 13 V - 2.5W (TA), 78W (TC)
FDMS3006SDC Fairchild Semiconductor FDMS3006SDC -
RFQ
 ECAD 3520 0.00000000 Semiconductor de fairchild Dual Cool ™, Powertrench®, Syncfet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMS30 Mosfet (Óxido de metal) Dual Cool ™ 56 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 3.000 N-canal 30 V 34a (TA) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 30a, 10v 3V @ 1MA 80 NC @ 10 V ± 20V 5725 pf @ 15 V - 3.3W (TA), 89W (TC)
FDN3401 Fairchild Semiconductor FDN3401 -
RFQ
 ECAD 1526 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido 3.000
HRF3205F102 Fairchild Semiconductor HRF3205F102 1.0000
RFQ
 ECAD 8280 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 55 V 100A (TC) 10V 8mohm @ 59a, 10v 4V @ 250 µA 170 NC @ 10 V ± 20V 4000 pf @ 25 V - 175W (TC)
FCP25N60N-F102 Fairchild Semiconductor FCP25N60N-F102 3.0600
RFQ
 ECAD 581 0.00000000 Semiconductor de fairchild Supremos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 600 V 25A (TC) 10V 125mohm @ 12.5a, 10V 4V @ 250 µA 74 NC @ 10 V ± 30V 3352 pf @ 100 V - 216W (TC)
FDMS7676 Fairchild Semiconductor FDMS7676 1.0000
RFQ
 ECAD 4952 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 16a (TA), 28a (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 19a, 10v 3V @ 250 µA 44 NC @ 10 V ± 20V 2960 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 48W (TC)
FDS6570A Fairchild Semiconductor FDS6570A 1.0000
RFQ
 ECAD 9264 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 20 V 15a (TA) 2.5V, 4.5V 7.5mohm @ 15a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 66 NC @ 5 V ± 8V 4700 pf @ 10 V - 2.5W (TA)
2N5551TF Fairchild Semiconductor 2N5551TF 1.0000
RFQ
 ECAD 5575 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0075 1 160 V 600 mA 50NA (ICBO) NPN 200 MV a 5 mm, 50 Ma 80 @ 10mA, 5V 100MHz
FLZ24VB Fairchild Semiconductor Flz24vb 0.0200
RFQ
 ECAD 5854 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 500 MW Sod-80 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 4,145 1.2 v @ 200 ma 133 na @ 19 V 23.2 V 29 ohmios
HUFA75617D3S Fairchild Semiconductor HUFA75617D3S -
RFQ
 ECAD 4020 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 173 N-canal 100 V 16a (TC) 10V 90mohm @ 16a, 10v 4V @ 250 µA 39 NC @ 20 V ± 20V 570 pf @ 25 V - 64W (TC)
HUFA76437S3ST Fairchild Semiconductor HUFA76437S3ST 1.2100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 71a (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 71a, 10v 3V @ 250 µA 71 NC @ 10 V ± 16V 2230 pf @ 25 V - 155W (TC)
SS9013FTA Fairchild Semiconductor Ss9013fta -
RFQ
 ECAD 4673 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 20 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 50 mA, 500 mA 78 @ 50mA, 1V -
KSC5502TU Fairchild Semiconductor Ksc5502tu -
RFQ
 ECAD 7304 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 50 W Un 220-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 600 V 2 A 100 µA NPN 1.5V @ 200MA, 1A 12 @ 500 Ma, 2.5V -
FDMS8672S Fairchild Semiconductor FDMS8672S 0.7300
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 17A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 17a, 10v 3V @ 1MA 47 NC @ 10 V ± 20V 2515 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
1N973B Fairchild Semiconductor 1N973B 1.8400
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 163 5 µA @ 25.1 V 33 V 58 ohmios
KSA1156OS Fairchild Semiconductor KSA1156OS 0.1000
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 1 W A-126-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 250 400 V 500 mA 100 µA (ICBO) PNP 1V @ 10 Ma, 100 Ma 60 @ 100mA, 5V -
FSB50825TB2 Fairchild Semiconductor FSB50825TB2 5.2700
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 Semiconductor de fairchild SPM® Tubo Activo A Través del Aguetero Módulo de 23 Potencias (0.748 ", 19.00 mm) IGBT FSB50825 - No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 15 3 fase 4 A 250 V 1500 VRMS
KSH2955TF-FS Fairchild Semiconductor KSH2955TF-FS -
RFQ
 ECAD 4129 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 1.75 W D-Pak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 2,000 60 V 10 A 50 µA PNP 8V @ 3.3a, 10a 20 @ 4a, 4V 2MHz
FQB5N50CTM Fairchild Semiconductor FQB5N50CTM 1.0000
RFQ
 ECAD 8950 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 500 V 5A (TC) 10V 1.4ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250 µA 24 NC @ 10 V ± 30V 625 pf @ 25 V - 73W (TC)
DCG010-TL-E Fairchild Semiconductor DCG010-TL-E 0.0800
RFQ
 ECAD 6498 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto Montaje en superficie SC-70, SOT-323 Estándar MCP descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Cátodo Común 80 V 100mA 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 500 na @ 80 V 125 ° C (Máximo)
FDPF18N50T-G Fairchild Semiconductor FDPF18N50T-G -
RFQ
 ECAD 2376 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-FDPF18N50T-G-600039 1 N-canal 500 V 18a (TJ) 10V 265mohm @ 9a, 10v 5V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 30V 2860 pf @ 25 V - 38.5W (TC)
FQI9N50TU Fairchild Semiconductor Fqi9n50tu 0.9800
RFQ
 ECAD 756 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 9A (TC) 10V 730mohm @ 4.5a, 10V 5V @ 250 µA 36 NC @ 10 V ± 30V 1450 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 147W (TC)
HUF76439S3ST Fairchild Semiconductor HUF76439S3ST -
RFQ
 ECAD 5618 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar EAR99 8542.39.0001 209 N-canal 60 V 75A (TC) 4.5V, 10V 12mohm @ 75a, 10V 3V @ 250 µA 84 NC @ 10 V ± 16V 2745 pf @ 25 V - 180W (TC)
MMSZ5231B Fairchild Semiconductor MMSZ5231B -
RFQ
 ECAD 2666 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 MMSZ5231B 500 MW SOD-123 descascar 0000.00.0000 1 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 2 V 5.1 V 17 ohmios
BC559 Fairchild Semiconductor BC559 0.0400
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 110 @ 2mA, 5V 150MHz
FDMC7664 Fairchild Semiconductor FDMC7664 1.0000
RFQ
 ECAD 2707 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Mosfet (Óxido de metal) 8-MLP (3.3x3.3) descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 30 V 18.8a (TA), 24a (TC) 4.5V, 10V 4.2mohm @ 18.8a, 10V 3V @ 250 µA 76 NC @ 10 V ± 20V 4865 pf @ 15 V - 2.3W (TA), 45W (TC)
2N7002T Fairchild Semiconductor 2N7002T -
RFQ
 ECAD 2887 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-89, SOT-490 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) SOT-523F descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 115MA (TA) 5V, 10V 7.5ohm @ 50 mm, 5V 2V @ 250 µA ± 20V 50 pf @ 25 V - 200MW (TA)
FSAM20SM60A Fairchild Semiconductor FSAM20SM60A 58.6500
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Semiconductor de fairchild MOVIMIENTO SPM® 2 Una granela Activo A Través del Aguetero Módulo de 32 Potencias (1.370 ", 34.80 mm) IGBT FSAM20 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar Afectados EAR99 8542.39.0001 1 3 fase 20 A 600 V 2500 VRMS
BCX71J Fairchild Semiconductor Bcx71j 0.0300
RFQ
 ECAD 118 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCX71 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 45 V 100 mA 20NA PNP 550mv @ 1.25 mA, 50 mA 250 @ 2mA, 5V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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