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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
KSC945YBU Fairchild Semiconductor Ksc945ybu 0.0400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 250 MW Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0095 7,612 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 120 @ 1 MMA, 6V 300MHz
FDFS2P753Z Fairchild Semiconductor FDFS2P753Z 0.2900
RFQ
 ECAD 422 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 2.500 Canal P 30 V 3a (TA) 115mohm @ 3a, 10v 3V @ 250 µA 9.3 NC @ 10 V ± 25V 455 pf @ 10 V Diodo Schottky (Aislado) 1.6w (TA)
SI3457DV Fairchild Semiconductor Si3457dv -
RFQ
 ECAD 9186 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Mosfet (Óxido de metal) Supersot ™ -6 descascar EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 30 V 4A (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 4a, 10v 3V @ 250 µA 8.1 NC @ 5 V ± 25V 470 pf @ 25 V - 1.6w (TA)
KSC1674CYBU Fairchild Semiconductor Ksc1674cybu 0.0200
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 250MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 15,000 - 20V 20 Ma NPN 120 @ 1 MMA, 6V 600MHz 3DB ~ 5DB @ 100MHz
MMSZ5249BT1G Fairchild Semiconductor MMSZ5249BT1G 0.0300
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 500 MW SOD-123 descascar EAR99 8541.10.0050 1 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 14 V 19 V 23 ohmios
BC547BBU Fairchild Semiconductor Bc547bbu -
RFQ
 ECAD 5621 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0075 1 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
2SC5200OTU Fairchild Semiconductor 2sc5200otu -
RFQ
 ECAD 3778 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA 150 W Un 264-3 descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-2SC5200OTU-600039 1 250 V 17 A 5 µA (ICBO) NPN 3V @ 800mA, 8A 80 @ 1a, 5v 30MHz
BU406TU-FS Fairchild Semiconductor Bu406tu-fs -
RFQ
 ECAD 7091 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BU406 Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 5 mm NPN 1V @ 500 Ma, 5a - 10MHz
FPAM50LH60 Fairchild Semiconductor FPAM50LH60 31.8600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild PFC SPM® 2 Una granela Activo A Través del Aguetero Módulo de 32 Potencias (1.370 ", 34.80 mm) IGBT descascar EAR99 8542.39.0001 1 2 fase 50 A 600 V 2500 VRMS
BC858C Fairchild Semiconductor BC858C 0.0400
RFQ
 ECAD 67 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 380 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar Rohs no conforme EAR99 8541.21.0075 8,460 30 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 420 @ 2mA, 5V 100MHz
MJD45H11TM Fairchild Semiconductor Mjd45h11tm -
RFQ
 ECAD 3505 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MJD45 1.75 W Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 1.158 80 V 8 A 10 µA PNP 1V @ 400 Ma, 8a 40 @ 4a, 1v 40MHz
FCP125N60E Fairchild Semiconductor FCP125N60E -
RFQ
 ECAD 6733 0.00000000 Semiconductor de fairchild Superfet® II Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FCP125 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 600 V 29a (TC) 10V 125mohm @ 14.5a, 10v 3.5V @ 250 µA 95 NC @ 10 V ± 20V 2990 pf @ 380 V - 278W (TC)
BC547ATA Fairchild Semiconductor Bc547ata 0.0300
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 500 MW Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0075 8,959 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 110 @ 2mA, 5V 300MHz
FDS7088N7 Fairchild Semiconductor FDS7088N7 2.0300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 23a (TA) 4.5V, 10V 3mohm @ 23a, 10v 3V @ 250 µA 48 NC @ 5 V ± 20V 3845 pf @ 15 V - 3W (TA)
FDB8870-F085 Fairchild Semiconductor FDB8870-F085 0.9800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 23a (TA), 160A (TC) 3.9mohm @ 35a, 10V 2.5V @ 250 µA 132 NC @ 10 V ± 20V 5200 pf @ 15 V - 160W (TC)
MJ21193G Fairchild Semiconductor Mj21193g -
RFQ
 ECAD 1831 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 250 W TO-204AA (TO-3) - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-MJ21193G-600039 1 250 V 16 A 100 µA PNP 4V @ 3.2a, 16a 25 @ 8a, 5v 4MHz
TN3019A Fairchild Semiconductor TN3019A 0.1500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 1 W Un 226-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 1.500 80 V 1 A 10NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V 100MHz
MMSD4448 Fairchild Semiconductor MMSD4448 0.0300
RFQ
 ECAD 76 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie SOD-123 Estándar SOD-123 descascar EAR99 8542.39.0001 10,764 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 100 V 1 V @ 100 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V 150 ° C (Máximo) 200 MMA 2pf @ 0V, 1 MHz
PN5434 Fairchild Semiconductor PN5434 0.1500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 350 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 30pf @ 10V (VGS) 25 V 30 Ma @ 15 V 1 v @ 3 na 10 ohmios
FQPF12N60T Fairchild Semiconductor Fqpf12n60t 1.0500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 5.8a (TC) 10V 700mohm @ 2.9a, 10v 5V @ 250 µA 54 NC @ 10 V ± 30V 1900 pf @ 25 V - 55W (TC)
FGA20S120M Fairchild Semiconductor FGA20S120M 2.0700
RFQ
 ECAD 407 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FGA20 Estándar 348 W Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 - Parada de Campo de Trinchera 1200 V 40 A 60 A 1.85V @ 15V, 20a - 208 NC -
FYP1004DNTU Fairchild Semiconductor Fyp1004dntu 0.4200
RFQ
 ECAD 88 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 Schottky Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 10A 670 MV @ 10 A 1 ma @ 40 V -65 ° C ~ 150 ° C
IRF520 Fairchild Semiconductor IRF520 1.0000
RFQ
 ECAD 7757 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 9.2a (TC) 10V 270mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250 µA 16 NC @ 10 V ± 20V 360 pf @ 25 V - 60W (TC)
FDPF18N50T-G Fairchild Semiconductor FDPF18N50T-G -
RFQ
 ECAD 2376 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-FDPF18N50T-G-600039 1 N-canal 500 V 18a (TJ) 10V 265mohm @ 9a, 10v 5V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 30V 2860 pf @ 25 V - 38.5W (TC)
ISL9V5036P3 Fairchild Semiconductor ISL9V5036P3 -
RFQ
 ECAD 2337 0.00000000 Semiconductor de fairchild Ecospark® Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Lógica 250 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 300V, 1KOHM, 5V - 390 V 46 A 1.6v @ 4V, 10a - 32 NC -/10.8 µs
FQB5N50CTM Fairchild Semiconductor FQB5N50CTM 1.0000
RFQ
 ECAD 8950 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 500 V 5A (TC) 10V 1.4ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250 µA 24 NC @ 10 V ± 30V 625 pf @ 25 V - 73W (TC)
FDMC4436BZ Fairchild Semiconductor Fdmc4436bz 0.2900
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto - - - - - descascar No Aplicable EAR99 8541.29.0095 3.000 - - - - - - - -
DCG010-TL-E Fairchild Semiconductor DCG010-TL-E 0.0800
RFQ
 ECAD 6498 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto Montaje en superficie SC-70, SOT-323 Estándar MCP descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Cátodo Común 80 V 100mA 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 500 na @ 80 V 125 ° C (Máximo)
MPSA27 Fairchild Semiconductor MPSA27 1.0000
RFQ
 ECAD 6594 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW TO-92 (TO-226) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 60 V 500 mA 500NA NPN - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 10000 @ 100mA, 5V -
1N457 Fairchild Semiconductor 1N457 0.0400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Estándar DO-35 (DO-204AH) descascar EAR99 8541.10.0070 8,172 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 70 V 1 V @ 20 Ma 25 na @ 60 V 175 ° C (Máximo) 200 MMA 8pf @ 0v, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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