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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Actual | Voltaje | Voltaje - Aislamiente | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MPSA27 | 1.0000 | ![]() | 6594 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | TO-92 (TO-226) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 60 V | 500 mA | 500NA | NPN - Darlington | 1.5V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100mA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N457 | 0.0400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,172 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 70 V | 1 V @ 20 Ma | 25 na @ 60 V | 175 ° C (Máximo) | 200 MMA | 8pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP3651U | - | ![]() | 3749 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 100 V | 80a (TC) | 10V | 18mohm @ 80a, 10v | 5.5V @ 250 µA | 69 NC @ 10 V | ± 20V | 5522 pf @ 25 V | - | 255W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDH3595 | - | ![]() | 3915 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 125 V | 1 V @ 200 Ma | 1 na @ 125 V | 175 ° C (Máximo) | 200 MMA | 8pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT5089 | - | ![]() | 3523 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT5089 | 350 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 25 V | 100 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 1 mapa, 10 ma | 400 @ 100 µA, 5V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fgpf30n45ttu | 1.0100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Estándar | 50.4 W | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | - | Zanja | 450 V | 120 A | 1.6v @ 15v, 20a | - | 73 NC | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqb9n25tm | 0.5300 | ![]() | 6551 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 52 | N-canal | 250 V | 9.4a (TC) | 10V | 420mohm @ 4.7a, 10V | 5V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 30V | 700 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 90W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSH50TF | - | ![]() | 3176 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 15 W | TO-252-3 (DPAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 2,000 | 400 V | 1 A | 200 µA | NPN | 1V @ 200MA, 1A | 30 @ 300mA, 10V | 10MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqd5n20ltf | - | ![]() | 9925 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 834 | N-canal | 200 V | 3.8a (TC) | 5V, 10V | 1.2ohm @ 1.9a, 10V | 2V @ 250 µA | 6.2 NC @ 5 V | ± 20V | 325 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 37W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdma410nzt | - | ![]() | 6910 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-udfn almohadilla exposición | Mosfet (Óxido de metal) | 6-UDFN (2.05x2.05) | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-FDMA410NZT-600039 | 1 | N-canal | 20 V | 9.5a (TA) | 1.5V, 4.5V | 23mohm @ 9.5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 14 NC @ 4.5 V | ± 8V | 1310 pf @ 10 V | - | 2.4W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76419S3S | 0.8300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 60 V | 29a (TC) | 4.5V, 10V | 35mohm @ 29a, 10v | 3V @ 250 µA | 28 NC @ 10 V | ± 16V | 900 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA8N80 | 1.5900 | ![]() | 91 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 800 V | 8.4a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 4.2a, 10v | 5V @ 250 µA | 57 NC @ 10 V | ± 30V | 2350 pf @ 25 V | - | 220W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS7088N3 | 2.6000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 21a (TA) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 21a, 10v | 3V @ 250 µA | 48 NC @ 5 V | ± 20V | 3845 pf @ 15 V | - | 3W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N914B_NL | 0.0200 | ![]() | 8972 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 100 V | 1 V @ 100 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | 4PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZT660 | 0.1900 | ![]() | 44 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 2 W | SOT-223-4 | descascar | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.609 | 60 V | 3 A | 100NA (ICBO) | PNP | 550mv @ 300mA, 3A | 100 @ 500mA, 2V | 75MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc5047tu | 0.5700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | 100 W | Un 3pn | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | 50 V | 15 A | 100 µA (ICBO) | NPN | 500mv @ 120 Ma, 5a | 40 @ 5a, 5v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSH2955TF-FS | - | ![]() | 4129 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 1.75 W | D-Pak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 2,000 | 60 V | 10 A | 50 µA | PNP | 8V @ 3.3a, 10a | 20 @ 4a, 4V | 2MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqi9n50tu | 0.9800 | ![]() | 756 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak (TO-262) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 9A (TC) | 10V | 730mohm @ 4.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 36 NC @ 10 V | ± 30V | 1450 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 147W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76439S3ST | - | ![]() | 5618 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 209 | N-canal | 60 V | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 75a, 10V | 3V @ 250 µA | 84 NC @ 10 V | ± 16V | 2745 pf @ 25 V | - | 180W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FPAB30BH60 | 18.2000 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | PFC SPM® 3 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Módulo de 27 Potencias (1.205 ", 30.60 mm) | IGBT | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 fase | 25 A | 600 V | 2500 VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc945cgta | 1.0000 | ![]() | 5307 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 250 MW | Un 92-3 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 10 Ma, 100 Ma | 200 @ 1 MMA, 6V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC0225 | 0.1400 | ![]() | 200 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | FDMC02 | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA1156OS | 0.1000 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | 1 W | A-126-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 400 V | 500 mA | 100 µA (ICBO) | PNP | 1V @ 10 Ma, 100 Ma | 60 @ 100mA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSAM20SM60A | 58.6500 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | MOVIMIENTO SPM® 2 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Módulo de 32 Potencias (1.370 ", 34.80 mm) | IGBT | FSAM20 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 3 fase | 20 A | 600 V | 2500 VRMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC368 | 1.0000 | ![]() | 1834 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | TO-92 (TO-226) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 20 V | 1 A | 10 µA (ICBO) | NPN | 500mv @ 100 mm, 1a | 85 @ 500mA, 1V | 65MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7002T | - | ![]() | 2887 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | 2N7002 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-523F | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 115MA (TA) | 5V, 10V | 7.5ohm @ 50 mm, 5V | 2V @ 250 µA | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 200MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSB50825TB2 | 5.2700 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | SPM® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Módulo de 23 Potencias (0.748 ", 19.00 mm) | IGBT | FSB50825 | - | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 15 | 3 fase | 4 A | 250 V | 1500 VRMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N973B | 1.8400 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 163 | 5 µA @ 25.1 V | 33 V | 58 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP111TU | 1.0000 | ![]() | 7369 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 2 W | Un 220-3 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 2 A | 2mera | NPN - Darlington | 2.5V @ 8MA, 2A | 1000 @ 1a, 4V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bdx33b | 0.5500 | ![]() | 1555 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 70 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 407 | 80 V | 10 A | 500 µA | NPN - Darlington | 2.5V @ 6MA, 3A | 750 @ 3a, 3V | - |
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