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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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![]() | Pero11tu | 0.4000 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 100 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 400 V | 5 A | 1mera | NPN | 1.5V @ 600mA, 3A | - | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksh44h11tf | - | ![]() | 3611 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 1.75 W | TO-252-3 (DPAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 8 A | 10 µA | NPN | 1V @ 400 Ma, 8a | 40 @ 4a, 1v | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | KST55MTF | - | ![]() | 9303 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | KST55 | 350 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 60 V | 500 mA | 100na | PNP | 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma | 50 @ 100 mapa, 1v | 50MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | Bc549cbu | 0.0200 | ![]() | 4528 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 420 @ 2mA, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc1008obu | - | ![]() | 2345 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 800 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 60 V | 700 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 50 mA, 500 mA | 70 @ 50 mm, 2v | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdz595pz | - | ![]() | 2593 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 250 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP102TU | - | ![]() | 3767 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | TIP102 | 2 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 8 A | 50 µA | NPN - Darlington | 2.5V @ 80MA, 8A | 1000 @ 3a, 4v | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | FJX2222ATF | - | ![]() | 8007 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 325 MW | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 40 V | 600 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Bdw93c | 1.0000 | ![]() | 3705 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 80 W | Un 220-3 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 12 A | 1mera | NPN - Darlington | 3V @ 100 Ma, 10a | 750 @ 5a, 3V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC557CTA | 0.0500 | ![]() | 762 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | BC557 | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 420 @ 2mA, 5V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Bc638bu | 1.0000 | ![]() | 4505 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 1 W | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150mA, 2V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA2205-E | - | ![]() | 4800 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | 800 MW | TP | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-2SA2205-E-600039 | 1 | 100 V | 2 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 240mv @ 100 mm, 1a | 200 @ 100 mapa, 5v | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP46N30 | - | ![]() | 6188 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-FDP46N30-600039 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75637P3 | 0.5200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 100 V | 44a (TC) | 10V | 30mohm @ 44a, 10V | 4V @ 250 µA | 108 NC @ 20 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 155W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC8298 | 1.0000 | ![]() | 4977 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | - | Montaje en superficie | Morir | FDMC82 | - | - | Morir | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||
![]() | FDU6670As | 0.7200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | FDU6670 | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksp44tf | 1.0000 | ![]() | 6560 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 400 V | 300 mA | 500NA | NPN | 750mv @ 5 mm, 50 Ma | 50 @ 10 mapa, 10v | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAX16TR | - | ![]() | 3191 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Bax16 | Estándar | Do-35 | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 150 V | 650 MV @ 1 MA | 120 ns | 100 na @ 150 V | 175 ° C (Máximo) | 200 MMA | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFR9210TF | - | ![]() | 7818 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252-3 (DPAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 200 V | 1.6a (TC) | 10V | 3ohm @ 800 mA, 10V | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 30V | 285 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 19W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | FDMS2572 | - | ![]() | 8742 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Mosfet (Óxido de metal) | 8-MLP (5x6), Power56 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 150 V | 4.5a (TA), 27a (TC) | 6V, 10V | 47mohm @ 4.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 2610 pf @ 75 V | - | 2.5W (TA), 78W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | Fdy1002pz | - | ![]() | 1950 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | FDY1002 | Mosfet (Óxido de metal) | 446MW | SOT-563F | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 20 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 830mA | 500MOHM @ 830MA, 4.5V | 1V @ 250 µA | 3.1NC @ 4.5V | 135pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||
![]() | KSD1417TU | - | ![]() | 3788 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | 2 W | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 V | 7 A | 100 µA (ICBO) | NPN - Darlington | 2V @ 14MA, 7a | 2000 @ 3a, 3V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD8880_F054 | 0.4200 | ![]() | 501 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqd13n10tm | 1.0000 | ![]() | 8426 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 100 V | 10a (TC) | 10V | 180mohm @ 5a, 10v | 4V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 25V | 450 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 40W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76013D3S | 0.2300 | ![]() | 2254 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.212 | N-canal | 20 V | 20A (TC) | 5V, 10V | 22mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 624 pf @ 20 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C3V9 | 0.0200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | BZX84C3 | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX84C3V9-600039 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB2N50TM | 1.0000 | ![]() | 3880 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 500 V | 2.1a (TC) | 10V | 5.3ohm @ 1.05a, 10V | 5V @ 250 µA | 8 NC @ 10 V | ± 30V | 230 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 55W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FDS8936A | 1.3500 | ![]() | 75 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | FDS89 | Mosfet (Óxido de metal) | 900MW (TA) | 8-Soico | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 6a (TA) | 28mohm @ 6a, 10v | 3V @ 250 µA | 27nc @ 10V | 650pf @ 15V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | FCH20N60 | 2.6500 | ![]() | 838 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Superfet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 20A (TC) | 10V | 190mohm @ 10a, 10v | 5V @ 250 µA | 98 NC @ 10 V | ± 30V | 3080 pf @ 25 V | - | 208W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Bc309cbu | 0.0200 | ![]() | 80 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 25 V | 100 mA | 15NA | PNP | 500mv @ 5 mm, 100 mapa | 380 @ 2mA, 5V | 130MHz |
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