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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FLZ2V7A | 0.0200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 4% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1.2 v @ 200 ma | 70 µA @ 1 V | 2.6 V | 35 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Hrfz44n | 0.4200 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 55 V | 49a (TC) | 10V | 22mohm @ 25A, 10V | 4V @ 250 µA | 75 NC @ 20 V | ± 20V | 1060 pf @ 25 V | - | 120W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJY4003R | 0.0200 | ![]() | 7822 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | FJY400 | 200 MW | SOT-523F | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 22 kohms | 22 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N914A | 0.0200 | ![]() | 340 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0070 | 2,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 100 V | 1 V @ 20 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 175 ° C (Máximo) | 200 MMA | 4PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDAF69N25 | 2.4400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Unifet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 250 V | 34a (TC) | 10V | 41mohm @ 17a, 10v | 5V @ 250 µA | 100 NC @ 10 V | ± 30V | 4640 pf @ 25 V | - | 115W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6015B | 1.8400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 33 V | 43 V | 150 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6010B | 1.8400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 21 V | 27 V | 70 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bc557abu | - | ![]() | 6850 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Un 92-3 | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 110 @ 2mA, 5V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | USB10H | 1.0000 | ![]() | 1200 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | USB10 | Mosfet (Óxido de metal) | 700MW | Supersot ™ -6 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 1.9a | 170mohm @ 1.9a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 4.2NC @ 4.5V | 441pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP4N20 | 0.3100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 200 V | 3.6a (TC) | 10V | 1.4ohm @ 1.8a, 10V | 5V @ 250 µA | 6.5 NC @ 10 V | ± 30V | 220 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC32716 | 0.0500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45 V | 800 Ma | 100na | PNP | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 100 @ 100 maja, 1v | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3N259 | 1.0000 | ![]() | 2127 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBPM | Estándar | KBPM | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 1.1 V @ 3.14 A | 5 µA @ 1 V | 2 A | Fase única | 1 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2w10g | 1.0000 | ![]() | 1856 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-Circular, WOB | Estándar | Canon | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1 v @ 2 a | 5 µA @ 1 V | 2 A | Fase única | 1 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF33N10 | 0.7200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | N-canal | 100 V | 25.8a (TC) | 10V | 52mohm @ 12.9a, 10V | 4V @ 250 µA | 51 NC @ 10 V | ± 25V | 1500 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDA15N65 | 2.2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Unifet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pn | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 16a (TC) | 10V | 440mohm @ 8a, 10v | 5V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 30V | 3095 pf @ 25 V | - | 260W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqa16n50 | 4.1900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | N-canal | 500 V | 16a (TC) | 10V | 320mohm @ 8a, 10v | 5V @ 250 µA | 75 NC @ 10 V | ± 30V | 3000 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB5645 | 3.8100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 80a (TA) | 6V, 10V | 9.5mohm @ 40a, 10V | 4V @ 250 µA | 107 NC @ 10 V | ± 20V | 4468 pf @ 30 V | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJY3008R | - | ![]() | 3421 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | FJY300 | 200 MW | SOT-523F | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 47 kohms | 22 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fgpf7n60lsdtu | 0.5500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Estándar | 45 W | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 300V, 7a, 470ohm, 15V | 65 ns | - | 600 V | 14 A | 21 A | 2V @ 15V, 7a | 270 µJ (Encendido), 3.8mj (apaguado) | 24 NC | 120ns/410ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C7V5 | 0.0200 | ![]() | 7856 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.335 | 1.3 V @ 100 Ma | 100 na @ 5 V | 7.5 V | 7 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD6512A | 0.4100 | ![]() | 516 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 20 V | 10.7a (TA), 36a (TC) | 2.5V, 4.5V | 21mohm @ 10.7a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 19 NC @ 4.5 V | ± 12V | 1082 pf @ 10 V | - | 3.8W (TA), 43W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDZ2553NZ | 0.6000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 18 WFBGA | FDZ25 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.1w | 18-BGA (2.5x4) | descascar | Rohs no conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 9.6a | 14mohm @ 9.6a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 18NC @ 5V | 1240pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL540A | 0.7000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 28a (TC) | 5V | 58mohm @ 14a, 5V | 2V @ 250 µA | 54 NC @ 5 V | ± 20V | 1580 pf @ 25 V | - | 121W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pn2222bu | 0.0200 | ![]() | 8976 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | - | ROHS3 Cumplante | 2156-PN2222BU-FS | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 30 V | 600 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4402TF | 0.0200 | ![]() | 9157 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 40 V | 600 mA | - | PNP | 750mv @ 50 mm, 500 mA | 50 @ 150mA, 2V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C43 | 0.2200 | ![]() | 8885 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,248 | 1.5 V @ 100 Ma | 50 na @ 30.1 V | 43 V | 150 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5403 | 0.2900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.2 v @ 3 a | 5 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqu20n06tu | 0.4100 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.040 | N-canal | 60 V | 16.8a (TC) | 10V | 63mohm @ 8.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 25V | 590 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 38W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N971BTR | 0.0200 | ![]() | 35 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 20.6 V | 27 V | 41 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76619D3ST | 1.0000 | ![]() | 7026 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 18a (TC) | 4.5V, 10V | 85mohm @ 18a, 10v | 3V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 16V | 767 pf @ 25 V | - | 75W (TC) |
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