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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
2N5308 Fairchild Semiconductor 2N5308 -
RFQ
 ECAD 6197 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 22 40 V 1.2 A 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1.4V @ 200 µA, 200 mA 7000 @ 2mA, 5V -
BZX55C6V2 Fairchild Semiconductor BZX55C6V2 0.0400
RFQ
 ECAD 86 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 6% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 Ma 100 na @ 2 V 6.2 V 10 ohmios
FFP04S60STU Fairchild Semiconductor Ffp04s60stu 0.4200
RFQ
 ECAD 8003 0.00000000 Semiconductor de fairchild Stealth ™ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2.6 v @ 4 a 25 ns 100 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C 4A -
RFD16N05LSM Fairchild Semiconductor RFD16N05LSM 1.0000
RFQ
 ECAD 9892 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar Rohs no conforme EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 50 V 16a (TC) 4V, 5V 47mohm @ 16A, 5V 2V @ 250 Ma 80 NC @ 10 V ± 10V - 60W (TC)
BZX55C39 Fairchild Semiconductor BZX55C39 0.0300
RFQ
 ECAD 8361 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 9,000 1.3 V @ 100 Ma 100 na @ 28 V 39 V 90 ohmios
1N748A Fairchild Semiconductor 1N748A 1.9300
RFQ
 ECAD 112 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 156 1.5 V @ 200 Ma 10 µA @ 1 V 3.9 V 23 ohmios
FDMB668P Fairchild Semiconductor Fdmb668p 0.2700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Mosfet (Óxido de metal) 8-MLP, Microfet (3x1.9) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 6.1a (TA) 1.8V, 4.5V 35mohm @ 6.1a, 4.5V 1V @ 250 µA 59 NC @ 10 V ± 8V 2085 pf @ 10 V - 1.9W (TA)
FQAF9N50 Fairchild Semiconductor FQAF9N50 1.0100
RFQ
 ECAD 673 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO Mosfet (Óxido de metal) Un 3pf descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 360 N-canal 500 V 7.2a (TC) 10V 730mohm @ 3.6a, 10V 5V @ 250 µA 36 NC @ 10 V ± 30V 1450 pf @ 25 V - 90W (TC)
HUF75939P3 Fairchild Semiconductor HUF75939P3 1.0100
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 200 V 22a (TC) 10V 125mohm @ 22a, 10v 4V @ 250 µA 152 NC @ 20 V ± 20V 2200 pf @ 25 V - 180W (TC)
FDB42AN15A0 Fairchild Semiconductor Fdb42an15a0 1.0000
RFQ
 ECAD 1899 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 150 V 5A (TA), 35A (TC) 6V, 10V 42mohm @ 12a, 10v 4V @ 250 µA 39 NC @ 10 V ± 20V 2150 pf @ 25 V - 150W (TC)
FDZ7296 Fairchild Semiconductor FDZ7296 0.7200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 18 WFBGA Mosfet (Óxido de metal) 18-BGA (2.5x4) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 11a (TA) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 11a, 10v 3V @ 250 µA 31 NC @ 10 V ± 20V 1520 pf @ 15 V - 2.1W (TA)
FDP8876 Fairchild Semiconductor FDP8876 -
RFQ
 ECAD 1788 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 70A (TC) 4.5V, 10V 8.7mohm @ 40a, 10v 2.5V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 20V 1700 pf @ 15 V - 70W (TC)
3N255 Fairchild Semiconductor 3N255 0.2500
RFQ
 ECAD 5782 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBPM Estándar KBPM descascar ROHS3 Cumplante 2156-3N255-FS EAR99 8541.10.0080 30 1.1 V @ 3.14 A 5 µA @ 200 V 2 A Fase única 200 V
FQB65N06TM Fairchild Semiconductor FQB65N06TM 0.8800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 65a (TC) 10V 16mohm @ 32.5a, 10V 4V @ 250 µA 65 NC @ 10 V ± 25V 2410 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 150W (TC)
HUF75332S3ST Fairchild Semiconductor HUF75332S3ST 0.7800
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 55 V 52a (TC) 19mohm @ 52a, 10v 4V @ 250 µA 85 NC @ 20 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 110W (TC)
FQP7N80 Fairchild Semiconductor FQP7N80 1.9400
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 800 V 6.6a (TC) 10V 1.5ohm @ 3.3a, 10v 5V @ 250 µA 52 NC @ 10 V ± 30V 1850 pf @ 25 V - 167W (TC)
KSA1242OTU Fairchild Semiconductor Ksa1242otu 0.1800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA 10 W I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 5.040 20 V 5 A 100 µA (ICBO) PNP 1v @ 100 mapa, 4a 100 @ 500mA, 2V 180MHz
KBU4A Fairchild Semiconductor Kbu4a 0.5700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBU Estándar Kbu descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 200 1 v @ 4 a 5 µA @ 50 V 4 A Fase única 50 V
FQB32N12V2TM Fairchild Semiconductor Fqb32n12v2tm 1.1400
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 120 V 32A (TC) 10V 50mohm @ 16a, 10v 4V @ 250 µA 53 NC @ 10 V ± 30V 1860 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 150W (TC)
HUFA76413D3ST Fairchild Semiconductor HUFA76413D3ST 0.2800
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 20A (TC) 4.5V, 10V 49mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 16V 645 pf @ 25 V - 60W (TC)
1N5988B Fairchild Semiconductor 1N5988B 2.7500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 110 1.2 v @ 200 ma 25 µA @ 1 V 3.3 V 95 ohmios
FQB6N70TM Fairchild Semiconductor Fqb6n70tm 2.2500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 700 V 6.2a (TC) 10V 1.5ohm @ 3.1a, 10v 5V @ 250 µA 40 NC @ 10 V ± 30V 1400 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 142W (TC)
BZX55C56 Fairchild Semiconductor BZX55C56 -
RFQ
 ECAD 3316 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 7% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 Ma 100 na @ 42 V 56 V 135 ohmios
FDW258P Fairchild Semiconductor FDW258P 1.3600
RFQ
 ECAD 92 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-TSOP descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2.500 Canal P 12 V 9a (TA) 1.8V, 4.5V 11mohm @ 9a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 73 NC @ 4.5 V ± 8V 5049 pf @ 5 V - 1.3W (TA)
HUF76407D3 Fairchild Semiconductor HUF76407D3 0.3700
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.800 N-canal 60 V 12a (TC) 4.5V, 10V 92mohm @ 13a, 10v 3V @ 250 µA 11.3 NC @ 10 V ± 16V 350 pf @ 25 V - 38W (TC)
HUFA76407D3S Fairchild Semiconductor HUFA76407D3S 0.2300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 60 V 12a (TC) 4.5V, 10V 92mohm @ 13a, 10v 3V @ 250 µA 11.3 NC @ 10 V ± 16V 350 pf @ 25 V - 38W (TC)
BZX55C15 Fairchild Semiconductor BZX55C15 0.0600
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 6% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 Ma 100 na @ 11 V 15 V 30 ohmios
FLZ27VA Fairchild Semiconductor Flz27va 0.0200
RFQ
 ECAD 4541 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 500 MW Sod-80 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 2.050 1.2 v @ 200 ma 133 na @ 21 V 24.9 V 38 ohmios
TN6705A Fairchild Semiconductor TN6705A 0.1200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 1 W Un 226-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 1.500 45 V 1.5 A 100NA (ICBO) NPN 1v @ 100 mapa, 1a 40 @ 250mA, 2V -
2N4400TA Fairchild Semiconductor 2N4400ta 0.0200
RFQ
 ECAD 7295 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 10,000 40 V 600 mA - NPN 750mv @ 50 mm, 500 mA 50 @ 150mA, 1V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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