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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Max Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Resistencia - RDS (ON) Resistencia @ if, f Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
FQB20N06TM Fairchild Semiconductor FQB20N06TM 0.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 20A (TC) 10V 60mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 25V 590 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 53W (TC)
FSB660 Fairchild Semiconductor FSB660 0.0900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 500 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 3.000 60 V 2 A 100NA (ICBO) PNP 350mv @ 200MA, 2a 100 @ 500mA, 2V 75MHz
FDS7066ASN3 Fairchild Semiconductor Fds7066Asn3 1.1900
RFQ
 ECAD 623 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 19a (TA) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 19a, 10v 3V @ 1MA 62 NC @ 10 V ± 20V 2460 pf @ 15 V - 3W (TA)
HUF75333P3 Fairchild Semiconductor HUF75333P3 0.8200
RFQ
 ECAD 139 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar Rohs no conforme EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 55 V 66a (TC) 10V 16mohm @ 66a, 10V 4V @ 250 µA 85 NC @ 20 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 150W (TC)
1N748ATR Fairchild Semiconductor 1N748ATR -
RFQ
 ECAD 2616 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 7,503 1.5 V @ 200 Ma 10 µA @ 1 V 3.9 V 23 ohmios
MPS6518 Fairchild Semiconductor MPS6518 -
RFQ
 ECAD 6828 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 3,365 40 V 200 MA 500NA (ICBO) PNP 500mV @ 5 mm, 50 Ma 150 @ 2mA, 10V -
1N6013B Fairchild Semiconductor 1N6013B 2.0000
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 163 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 27 V 36 V 95 ohmios
FDS7088SN3 Fairchild Semiconductor FDS7088SN3 1.4100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 21a (TA) 4.5V, 10V 4mohm @ 21a, 10v 3V @ 1MA 80 NC @ 10 V ± 20V 3230 pf @ 15 V - 3W (TA)
FMG1G100US60H Fairchild Semiconductor FMG1G100US60H 41.1600
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis 7 pm-ga 400 W Estándar 7 pm-ga descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 15 Soltero - 600 V 100 A 2.8V @ 15V, 100A 250 µA No 10.84 nf @ 30 V
1N6009B Fairchild Semiconductor 1N6009B 1.8400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 163 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 18 V 24 V 62 ohmios
NDP7061 Fairchild Semiconductor NDP7061 2.3200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 64a (TC) 10V 16mohm @ 35a, 10v 4V @ 250 µA 100 NC @ 10 V ± 20V 1930 pf @ 25 V - 130W (TC)
TN3440A Fairchild Semiconductor TN3440A 0.0700
RFQ
 ECAD 1238 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 1 W Un 226-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 833 250 V 100 mA 50 µA NPN 500mv @ 4mA, 50 mA 40 @ 20MA, 10V 15MHz
1N755A Fairchild Semiconductor 1N755A 2.0800
RFQ
 ECAD 89 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 156 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 1 V 7.5 V 6 ohmios
PN4093 Fairchild Semiconductor PN4093 0.3200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 16pf @ 20V 40 V 8 Ma @ 20 V 1 v @ 1 na 80 ohmios
RFD16N05SM Fairchild Semiconductor RFD16N05SM 0.6600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 50 V 16a (TC) 10V 47mohm @ 16a, 10v 4V @ 250 µA 80 NC @ 20 V ± 20V 900 pf @ 25 V - 72W (TC)
MMBD1504 Fairchild Semiconductor MMBD1504 0.0900
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Estándar Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Cátodo Común 200 V 200 MMA 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 180 V 150 ° C (Máximo)
FQA35N40 Fairchild Semiconductor FQA35N40 4.4800
RFQ
 ECAD 197 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 450 N-canal 400 V 35A (TC) 10V 105mohm @ 17.5a, 10V 5V @ 250 µA 140 NC @ 10 V ± 30V 5600 pf @ 25 V - 310W (TC)
FLZ4V3C Fairchild Semiconductor FLZ4V3C 0.0200
RFQ
 ECAD 3720 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 500 MW Sod-80 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 12.090 1.2 v @ 200 ma 470 na @ 1 V 4.4 V 32 ohmios
SFW9Z34TM Fairchild Semiconductor SFW9Z34TM 0.6400
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 Canal P 60 V 18a (TC) 10V 140mohm @ 9a, 10v 4V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 30V 1155 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 82W (TC)
KSC3123OMTF Fairchild Semiconductor Ksc3123omtf 0.0200
RFQ
 ECAD 8269 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 150MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,409 20dB ~ 23dB 20V 50mera NPN 90 @ 5MA, 10V 1.4GHz 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz
FDS8947A Fairchild Semiconductor FDS8947A 1.9100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS89 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 30V 4A 52mohm @ 4a, 10v 3V @ 250 µA 27nc @ 10V 730pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
TN2907A Fairchild Semiconductor TN2907A 0.2700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 226-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 1.500 60 V 800 Ma 10NA (ICBO) PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V -
FGH20N6S2 Fairchild Semiconductor FGH20N6S2 1.0000
RFQ
 ECAD 2465 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 125 W To-247 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 150 390v, 7a, 25ohm, 15V - 600 V 28 A 40 A 2.7V @ 15V, 7a 25 µJ (Encendido), 58 µJ (apaguado) 30 NC 7.7ns/87ns
FFAF60A150DSTU Fairchild Semiconductor Ffaf60a150dstu 0.8500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) TO-3P-3 PACK STOTURO Un 3pf descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 360 20 A - Estándar - Conexión de la Serie de 1 par 600V -
FQP5N40 Fairchild Semiconductor FQP5N40 -
RFQ
 ECAD 5148 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 400 V 4.5A (TC) 10V 1.6ohm @ 2.25a, 10v 5V @ 250 µA 13 NC @ 10 V ± 30V 460 pf @ 25 V - 70W (TC)
FQI2N90TU Fairchild Semiconductor Fqi2n90tu 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 900 V 2.2a (TC) 10V 7.2ohm @ 1.1a, 10v 5V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 30V 500 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 85W (TC)
FQH140N10 Fairchild Semiconductor Fqh140n10 -
RFQ
 ECAD 7619 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 450 N-canal 100 V 140A (TC) 10V 10mohm @ 70a, 10v 4V @ 250 µA 285 NC @ 10 V ± 25V 7900 pf @ 25 V - 375W (TC)
1N5399 Fairchild Semiconductor 1N5399 0.0400
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial Estándar Do-15 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 4.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.4 V @ 1.5 A 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 25pf @ 4V, 1 MHz
1N958B Fairchild Semiconductor 1N958B 2.0800
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 145 75 µA @ 5.7 V 7.5 V 5.5 ohmios
1N4305 Fairchild Semiconductor 1N4305 10.8400
RFQ
 ECAD 112 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Estándar DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0070 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 75 V 850 MV @ 10 Ma 4 ns 100 na @ 50 V 175 ° C (Máximo) 300mA 2pf @ 0V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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