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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
1N4305 Fairchild Semiconductor 1N4305 10.8400
RFQ
 ECAD 112 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Estándar DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0070 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 75 V 850 MV @ 10 Ma 4 ns 100 na @ 50 V 175 ° C (Máximo) 300mA 2pf @ 0V, 1 MHz
BC548CTAR Fairchild Semiconductor BC548 CAR 0.0200
RFQ
 ECAD 5539 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1.521 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 420 @ 2mA, 5V 300MHz
BC32716TA Fairchild Semiconductor Bc32716ta 0.0300
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 800 Ma 100na PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
1N4150TR Fairchild Semiconductor 1N4150TR 0.0200
RFQ
 ECAD 6219 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Estándar DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0070 5 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 50 V 1 V @ 200 Ma 6 ns 100 na @ 50 V 175 ° C (Máximo) 200 MMA 2.5pf @ 0V, 1 MHz
FQD3N60TF Fairchild Semiconductor Fqd3n60tf 0.5700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 600 V 2.4a (TC) 10V 3.6ohm @ 1.2a, 10v 5V @ 250 µA 13 NC @ 10 V ± 30V 450 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
KSC2682YS Fairchild Semiconductor Ksc2682ys 0.1000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 1.2 W A-126-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 250 180 V 100 mA 1 µA (ICBO) NPN 500mV @ 5 mm, 50 Ma 160 @ 10mA, 5V 200MHz
FQU2N80TU Fairchild Semiconductor Fqu2n80tu 0.5900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 5.040 N-canal 800 V 1.8a (TC) 10V 6.3ohm @ 900 mA, 10V 5V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 30V 550 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
KSC1674COBU Fairchild Semiconductor Ksc1674cobu 0.0200
RFQ
 ECAD 8988 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 250MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 12,645 - 20V 20 Ma NPN 70 @ 1 MMA, 6V 600MHz 3DB ~ 5DB @ 100MHz
KSC2883YTF Fairchild Semiconductor Ksc2883ytf 0.1200
RFQ
 ECAD 110 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 1 W SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 4.000 30 V 1.5 A 100NA (ICBO) NPN 2V @ 30mA, 1.5a 160 @ 500 mA, 2V 120MHz
FLZ10VC Fairchild Semiconductor FLZ10VC 1.0000
RFQ
 ECAD 2225 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 500 MW Sod-80 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 2.500 1.2 v @ 200 ma 110 na @ 7 V 10.1 V 6.6 ohmios
FQU8N25TU Fairchild Semiconductor Fqu8n25tu 0.6400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 70 N-canal 250 V 6.2a (TC) 10V 550mohm @ 3.1a, 10V 5V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 30V 530 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
ISL9V3036D3S Fairchild Semiconductor Isl9v3036d3s 1.2300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild Ecospark® Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Lógica 150 W TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.800 300V, 1KOHM, 5V - 360 V 21 A 1.6v @ 4V, 6a - 17 NC -/4.8 µs
BC239BTA Fairchild Semiconductor BC239BTA 0.0200
RFQ
 ECAD 6681 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1.241 25 V 100 mA 15NA NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 180 @ 2mA, 5V 250MHz
FDB8453LZ Fairchild Semiconductor Fdb8453lz 0.6700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 16.1a (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 17.6a, 10v 3V @ 250 µA 66 NC @ 10 V ± 20V 3545 pf @ 20 V - 3.1W (TA), 66W (TC)
1N6017B Fairchild Semiconductor 1N6017B 1.8400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 163 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 39 V 51 V 180 ohmios
BZX55C6V8 Fairchild Semiconductor BZX55C6V8 0.0600
RFQ
 ECAD 209 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 6% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 Ma 100 na @ 3 V 6.8 V 8 ohmios
BC307BBU Fairchild Semiconductor Bc307bbu -
RFQ
 ECAD 6045 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1,000 45 V 100 mA 15NA PNP 500mv @ 5 mm, 100 mapa 180 @ 2mA, 5V 130MHz
DBG150G Fairchild Semiconductor Dbg150g 3.9000
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, DBF Estándar - descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 250 900 MV @ 7.5 A 10 µA @ 600 V 3.6 A Fase única 600 V
BC849CMTF Fairchild Semiconductor Bc849cmtf 0.0200
RFQ
 ECAD 130 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 420 @ 2mA, 5V 300MHz
BC557BBU Fairchild Semiconductor Bc557bbu -
RFQ
 ECAD 1153 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 - ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1,000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 200 @ 2mA, 5V 150MHz
BC557B Fairchild Semiconductor BC557B 0.0500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW TO-92 (TO-226) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 5,770 45 V 100 mA 100na PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 180 @ 2mA, 5V 320MHz
BC307BTA Fairchild Semiconductor BC307BTA -
RFQ
 ECAD 7521 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 100 mA 15NA PNP 500mv @ 5 mm, 100 mapa 180 @ 2mA, 5V 130MHz
FFPF06U20DPTU Fairchild Semiconductor FFPF06U20DPTU 0.2000
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Estándar Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 200 V 6A 1.2 v @ 6 a 35 ns 6 µA @ 200 V -65 ° C ~ 150 ° C
HUFA76407P3 Fairchild Semiconductor HUFA76407P3 0.3300
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 60 V 13a (TC) 4.5V, 10V 92mohm @ 13a, 10v 3V @ 250 µA 11.3 NC @ 10 V ± 16V 350 pf @ 25 V - 38W (TC)
HUF75343G3 Fairchild Semiconductor HUF75343G3 0.8000
RFQ
 ECAD 546 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar Rohs no conforme EAR99 8541.29.0095 150 N-canal 55 V 75A (TC) 10V 9mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 205 NC @ 20 V ± 20V 3000 pf @ 25 V - 270W (TC)
BC637 Fairchild Semiconductor BC637 0.0500
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW TO-92 (TO-226) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 60 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 2V 200MHz
BC33825BU Fairchild Semiconductor Bc33825bu 0.0200
RFQ
 ECAD 9649 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 4,380 25 V 800 Ma 100na NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 160 @ 100mA, 1V 100MHz
BD441STU Fairchild Semiconductor Bd441stu -
RFQ
 ECAD 9609 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 36 W A-126-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 60 80 V 4 A 100 µA NPN 800mv @ 200MA, 2A 40 @ 500mA, 1V 3MHz
BC307CBU Fairchild Semiconductor Bc307cbu 0.0200
RFQ
 ECAD 1289 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 629 45 V 100 mA 15NA PNP 500mv @ 5 mm, 100 mapa 380 @ 2mA, 5V 130MHz
BDX34B Fairchild Semiconductor Bdx34b -
RFQ
 ECAD 5270 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 70 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 200 80 V 10 A 500 µA PNP - Darlington 2.5V @ 6MA, 3A 750 @ 3a, 3V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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