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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
KSC2330OBU Fairchild Semiconductor Ksc2330obu 0.0500
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 1 W Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 500 300 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 1 mapa, 10 ma 70 @ 20MA, 10V 50MHz
HUF76143S3ST Fairchild Semiconductor HUF76143S3ST 0.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) Un 263ab descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 75A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 75a, 10V 3V @ 250 µA 114 NC @ 10 V ± 20V 3900 pf @ 25 V - 225W (TC)
1N462A Fairchild Semiconductor 1N462A 0.0400
RFQ
 ECAD 1791 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Estándar DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme EAR99 8541.10.0070 765 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) - -
FDP6035AL Fairchild Semiconductor Fdp6035al 1.3600
RFQ
 ECAD 106 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 48a (TA) 4.5V, 10V 12mohm @ 24a, 10v 3V @ 250 µA 18 NC @ 5 V ± 20V 1250 pf @ 15 V - 52W (TC)
IRFS740B Fairchild Semiconductor IRFS740B -
RFQ
 ECAD 8436 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1
HGT1S20N36G3VLS Fairchild Semiconductor HGT1S20N36G3VLS 1.8700
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Lógica 150 W Un 263ab descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 800 300V, 10a, 25ohm, 5V - 415 V 37.7 A 1.9V @ 5V, 20a - 28.7 NC -/15 µs
1N5243B Fairchild Semiconductor 1N5243B 0.0300
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% - A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW Do-35 descascar EAR99 8541.10.0050 11,539 900 MV @ 200 Ma 500 na @ 9.9 V 13 V 13 ohmios
FQA32N20C Fairchild Semiconductor FQA32N20C 1.3100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pn descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 200 V 32A (TC) 10V 82mohm @ 16a, 10v 4V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 30V 2220 pf @ 25 V - 204W (TC)
BC638TA Fairchild Semiconductor Bc638ta 0.0500
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 1 W Un 92-3 descascar EAR99 8541.29.0075 5,912 60 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 2V 100MHz
BZX85C5V1TR5K Fairchild Semiconductor BZX85C5V1TR5K 0.0600
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1 W DO-204Al (DO-41) descascar No Aplicable EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 2 V 5.1 V 10 ohmios
GBPC2506W Fairchild Semiconductor GBPC2506W -
RFQ
 ECAD 6685 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W Estándar GBPC-W descascar 0000.00.0000 1 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 600 V 25 A Fase única 600 V
BC33716TA Fairchild Semiconductor Bc33716ta 0.0400
RFQ
 ECAD 532 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0075 8,103 45 V 800 Ma 100na NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
BAV19 Fairchild Semiconductor BAV19 0.0200
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Estándar DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0070 2,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 120 V 1.25 V @ 200 Ma 50 ns 100 na @ 100 V 175 ° C (Máximo) 200 MMA 5PF @ 0V, 1MHz
FSB50250AB Fairchild Semiconductor FSB50250AB 5.2300
RFQ
 ECAD 180 0.00000000 Semiconductor de fairchild SPM® Una granela Activo A Través del Aguetero Módulo de 23 Potencias (0.644 ", 16.35 mm) Mosfet descascar EAR99 8542.39.0001 1 3 fase 1.2 A 500 V 1500 VRMS
FQPF13N50 Fairchild Semiconductor FQPF13N50 1.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 12.5a (TC) 10V 430mohm @ 6.25a, 10V 5V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 30V 2300 pf @ 25 V - 56W (TC)
FQI19N20TU Fairchild Semiconductor Fqi19n20tu 0.6700
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 19.4a (TC) 10V 150mohm @ 9.7a, 10v 5V @ 250 µA 40 NC @ 10 V ± 30V 1600 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 140W (TC)
1N4746A_NL Fairchild Semiconductor 1N4746A_NL 0.0400
RFQ
 ECAD 5615 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1 W Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 5 µA @ 13.7 V 18 V 20 ohmios
FQD5N50TM Fairchild Semiconductor Fqd5n50tm 1.0700
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 V 3.5A (TC) 10V 1.8ohm @ 1.75a, 10v 5V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 30V 610 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
NDS355AN-NB9L007A Fairchild Semiconductor NDS355AN-NB9L007A -
RFQ
 ECAD 3585 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156S355an-NB9L007A-600039 1 N-canal 30 V 1.7a (TA) 4.5V, 10V 85mohm @ 1.9a, 10v 2V @ 250 µA 5 NC @ 5 V ± 20V 195 pf @ 15 V - 500MW (TA)
FQD20N06TM Fairchild Semiconductor Fqd20n06tm -
RFQ
 ECAD 4146 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar 0000.00.0000 1 N-canal 60 V 16.8a (TC) 10V 63mohm @ 8.4a, 10v 4V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 25V 590 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 38W (TC)
BUT11ATU Fairchild Semiconductor Pero11guru 0.5400
RFQ
 ECAD 97 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Pero11 100 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 450 V 5 A 1mera NPN 1.5V @ 500 Ma, 2.5a - -
S3AB Fairchild Semiconductor S3ab 0.1400
RFQ
 ECAD 3273 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.15 v @ 3 a 1.5 µs 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1 MHz
TIP116TU Fairchild Semiconductor TIP116TU -
RFQ
 ECAD 7356 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 2 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 80 V 2 A 2mera PNP - Darlington 2.5V @ 8MA, 2A 1000 @ 1a, 4V -
FQS4900TF Fairchild Semiconductor Fqs4900tf 0.5800
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FQS4900 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-Soico descascar EAR99 8542.39.0001 1 Vecino del canal 60V, 300V 1.3a, 300 mA 550mohm @ 650mA, 10V 1.95V @ 20MA 2.1NC @ 5V - -
MMBT2369 Fairchild Semiconductor MMBT2369 -
RFQ
 ECAD 7778 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 15 V 200 MA 400NA (ICBO) NPN 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma 40 @ 10mA, 1V -
FDA62N28 Fairchild Semiconductor FDA62N28 3.6600
RFQ
 ECAD 854 0.00000000 Semiconductor de fairchild Unifet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 280 V 62a (TC) 10V 51mohm @ 31a, 10v 5V @ 250 µA 100 NC @ 10 V ± 30V 4630 pf @ 25 V - 500W (TC)
RGF1D Fairchild Semiconductor Rgf1d 0.1400
RFQ
 ECAD 1048 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 224 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8.5pf @ 4V, 1MHz
TN5415A Fairchild Semiconductor TN5415A 0.0500
RFQ
 ECAD 1778 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 1 W Un 226-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.456 200 V 100 mA 50 µA PNP 2.5V @ 5 mm, 50 Ma 30 @ 50mA, 10V -
FDFC3N108 Fairchild Semiconductor FDFC3N108 0.4100
RFQ
 ECAD 98 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Mosfet (Óxido de metal) Supersot ™ -6 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 3a (TA) 2.5V, 4.5V 70mohm @ 3a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 4.9 NC @ 4.5 V ± 12V 355 pf @ 10 V Diodo Schottky (Aislado) -
FQP6N80C Fairchild Semiconductor FQP6N80C -
RFQ
 ECAD 8405 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 800 V 5.5a (TC) 10V 2.5ohm @ 2.75a, 10V 5V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 30V 1310 pf @ 25 V - 158W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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