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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Tipo de fet	Condición de PrueBa	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Desglose (V (BR) GSS)	Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0)	Real - Corte de Coleción (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Resistencia - RDS (ON)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició
Fqd1n60tf	0.2900	RFQ	42	Semiconductor de fairchild	QFET®	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Mosfet (Óxido de metal)		TO-252, (D-Pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal		600 V	1A (TC)	10V	11.5ohm @ 500 mA, 10V	5V @ 250 µA	6 NC @ 10 V	± 30V	150 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 30W (TC)
HUFA76609D3S	-	RFQ	2128	Semiconductor de fairchild	UltraFet ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Mosfet (Óxido de metal)		TO-252, (D-Pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.29.0095	36		N-canal		100 V	10a (TC)	4.5V, 10V	160mohm @ 10a, 10v	3V @ 250 µA	16 NC @ 10 V	± 16V	425 pf @ 25 V	-	49W (TC)
Fqt4n20tf	0.3200	RFQ	2	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA		Mosfet (Óxido de metal)		SOT-223-4	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.29.0095	4.000		N-canal		200 V	850MA (TC)	10V	1.4ohm @ 425mA, 10V	5V @ 250 µA	6.5 NC @ 10 V	± 30V	220 pf @ 25 V	-	2.2W (TC)
FQP13N06	0.3100	RFQ	79	Semiconductor de fairchild	QFET®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal		60 V	13a (TC)	10V	135mohm @ 6.5a, 10v	4V @ 250 µA	7.5 NC @ 10 V	± 25V	310 pf @ 25 V	-	45W (TC)
Ksc1675rbu	0.0200	RFQ	18	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto		-	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA)			250 MW	Un 92-3	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.21.0075	1,000																						30 V	50 Ma										100NA (ICBO)				NPN	300mv @ 1 mapa, 10 ma	40 @ 1 MMA, 6V	300MHz
FQPF5N15	0.3100	RFQ	6334	Semiconductor de fairchild	QFET®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220F-3	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.29.0095	730		N-canal		150 V	4.2a (TC)	10V	800mohm @ 2.1a, 10V	4V @ 250 µA	7 NC @ 10 V	± 25V	230 pf @ 25 V	-	32W (TC)
2kbp06m	0.2900	RFQ	9	Semiconductor de fairchild	-	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, KBPM		Estándar		KBPM	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.10.0080	30																	1.1 V @ 3.14 A	5 µA @ 600 V		2 A									Fase única	600 V
Fqi3p20tu	0.7500	RFQ	1	Semiconductor de fairchild	QFET®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA		Mosfet (Óxido de metal)		I2pak (TO-262)	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.29.0095	1,000		Canal P		200 V	2.8a (TC)	10V	2.7ohm @ 1.4a, 10V	5V @ 250 µA	8 NC @ 10 V	± 30V	250 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 52W (TC)
FDAF62N28	2.5700	RFQ	1	Semiconductor de fairchild	Unifet ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-3P-3 PACK STOTURO		Mosfet (Óxido de metal)		Un 3pf	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.29.0095	360		N-canal		280 V	36A (TC)	10V	51mohm @ 18a, 10v	5V @ 250 µA	100 NC @ 10 V	± 30V	4630 pf @ 25 V	-	165W (TC)
FLZ5V6C	0.0200	RFQ	30	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 3%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Sod-80	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.10.0050	15,000																	1.2 v @ 200 ma	750 na @ 2.5 V																5.8 V	10.5 ohmios
FGA50N100BNTTU	2.6000	RFQ	2	Semiconductor de fairchild	-	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-3P-3, SC-65-3	Estándar		156 W	Un 3p	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.29.0095	30			600V, 60a, 10ohm, 15V																		Npt y trinchera	1000 V	50 A	200 A	2.9V @ 15V, 60A	-	257 NC	34ns/243ns
Fyp2004dntu	0.2500	RFQ	1	Semiconductor de fairchild	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3		Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)													1 par Cátodo Común	40 V	20A	670 MV @ 20 A	1 ma @ 40 V	-65 ° C ~ 150 ° C
HUF76633S3ST	0.5000	RFQ	12	Semiconductor de fairchild	UltraFet ™	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Mosfet (Óxido de metal)		D2PAK (TO-263)	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.29.0095	800		N-canal		100 V	39A (TC)	4.5V, 10V	35mohm @ 39a, 10v	3V @ 250 µA	67 NC @ 10 V	± 16V	1820 pf @ 25 V	-	145W (TC)
IRFS350A	2.2800	RFQ	188	Semiconductor de fairchild	-	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-3P-3 PACK STOTURO		Mosfet (Óxido de metal)		Un 3pf	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.29.0095	360		N-canal		400 V	11.5A (TC)	10V	300mohm @ 5.75a, 10V	4V @ 250 µA	131 NC @ 10 V	± 30V	2780 pf @ 25 V	-	92W (TC)
Fdu044an03l	0.9800	RFQ	2	Semiconductor de fairchild	Powertrench®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA		Mosfet (Óxido de metal)		I-pak	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.29.0095	1.800		N-canal		30 V	21a (TA), 35A (TC)	4.5V, 10V	3.9mohm @ 35a, 10V	2.5V @ 250 µA	118 NC @ 10 V	± 20V	5160 pf @ 15 V	-	160W (TC)
NDS9405	0.3700	RFQ	14	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)		Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	Rohs no conforme	EAR99	8541.29.0095	2.500		Canal P		20 V	4.3a (TA)	4.5V, 10V	100mohm @ 2a, 10v	3V @ 250 µA	40 NC @ 10 V	± 20V	1425 pf @ 10 V	-	2.5W (TA)
FQAF34N25	1.6000	RFQ	610	Semiconductor de fairchild	-	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-3P-3 PACK STOTURO		Mosfet (Óxido de metal)		Un 3pf	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.29.0095	360		N-canal		250 V	21.7a (TC)	10V	85mohm @ 10.9a, 10v	5V @ 250 µA	80 NC @ 10 V	± 30V	2750 pf @ 25 V	-	100W (TC)
Fcu7n60tu	-	RFQ	9785	Semiconductor de fairchild	Superfet ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA		Mosfet (Óxido de metal)		I-pak	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.29.0095	55		N-canal		600 V	7a (TC)	10V	600mohm @ 3.5a, 10V	5V @ 250 µA	30 NC @ 10 V	± 30V	920 pf @ 25 V	-	83W (TC)
HUF75925D3ST	0.3300	RFQ	1	Semiconductor de fairchild	UltraFet ™	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Mosfet (Óxido de metal)		TO-252, (D-Pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal		200 V	11a (TC)	10V	275mohm @ 11a, 10v	4V @ 250 µA	78 NC @ 20 V	± 20V	1030 pf @ 25 V	-	100W (TC)
Fqi13n06tu	0.3100	RFQ	2	Semiconductor de fairchild	QFET®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA		Mosfet (Óxido de metal)		I2pak (TO-262)	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal		60 V	13a (TC)	10V	135mohm @ 6.5a, 10v	4V @ 250 µA	7.5 NC @ 10 V	± 25V	310 pf @ 25 V	-	3.75W (TA), 45W (TC)
2N5638	1.0000	RFQ	3268	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA)			350 MW	Un 92-3	-	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.21.0095	2,000		N-canal									10pf @ 12V (VGS)																				30 V	50 Ma @ 20 V				30 ohmios
HUFA75842P3	0.9200	RFQ	6	Semiconductor de fairchild	UltraFet ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.29.0095	400		N-canal		150 V	43a (TC)	10V	42mohm @ 43a, 10v	4V @ 250 µA	175 NC @ 20 V	± 20V	2730 pf @ 25 V	-	230W (TC)
FQPF9N25	0.4800	RFQ	1341	Semiconductor de fairchild	QFET®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220F-3	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.29.0095	600		N-canal		250 V	6.7a (TC)	10V	420mohm @ 3.35a, 10V	5V @ 250 µA	20 NC @ 10 V	± 30V	700 pf @ 25 V	-	45W (TC)
HUFA75344S3	1.0400	RFQ	9	Semiconductor de fairchild	UltraFet ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA		Mosfet (Óxido de metal)		I2pak (TO-262)	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.29.0095	400		N-canal		55 V	75A (TC)	10V	8mohm @ 75a, 10v	4V @ 250 µA	210 NC @ 20 V	± 20V	3200 pf @ 25 V	-	285W (TC)
HUF75321D3	0.2700	RFQ	7657	Semiconductor de fairchild	UltraFet ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA		Mosfet (Óxido de metal)		I-pak	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.29.0095	1.050		N-canal		55 V	20A (TC)	10V	36mohm @ 20a, 10v	4V @ 250 µA	44 NC @ 20 V	± 20V	680 pf @ 25 V	-	93W (TC)
FQPF2N60	-	RFQ	3120	Semiconductor de fairchild	QFET®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220F-3	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal		600 V	1.6a (TC)	10V	4.7ohm @ 800 mA, 10V	5V @ 250 µA	11 NC @ 10 V	± 30V	350 pf @ 25 V	-	28W (TC)
Fqi3n80tu	1.0000	RFQ	6011	Semiconductor de fairchild	QFET®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA		Mosfet (Óxido de metal)		I2pak (TO-262)	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal		800 V	3A (TC)	10V	5ohm @ 1.5a, 10v	5V @ 250 µA	19 NC @ 10 V	± 30V	690 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 107W (TC)
HUFA76645S3S	1.2100	RFQ	3305	Semiconductor de fairchild	UltraFet ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Mosfet (Óxido de metal)		D2PAK (TO-263)	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.29.0095	176		N-canal		100 V	75A (TC)	4.5V, 10V	14mohm @ 75a, 10v	3V @ 250 µA	153 NC @ 10 V	± 16V	4400 pf @ 25 V	-	310W (TC)
2N5830	0.0400	RFQ	47	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA)			625 MW	Un 92-3	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.21.0095	2,000																						100 V	200 MA										50NA (ICBO)				NPN	250 MV a 5 mm, 50 Ma	80 @ 10mA, 5V	-
FDC655an	1.7900	RFQ	299	Semiconductor de fairchild	Powertrench®	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6		Mosfet (Óxido de metal)		Supersot ™ -6	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.21.0095	1		N-canal		30 V	6.3a (TA)	4.5V, 10V	27mohm @ 6.3a, 10v	3V @ 250 µA	13 NC @ 5 V	± 20V	830 pf @ 15 V	-	1.6w (TA)