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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
HUFA75852G3 Fairchild Semiconductor HUFA75852G3 -
RFQ
 ECAD 1363 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 150 N-canal 150 V 75A (TC) 10V 16mohm @ 75a, 10V 4V @ 250 µA 480 NC @ 20 V ± 20V 7690 pf @ 25 V - 500W (TC)
FQP7N65C Fairchild Semiconductor FQP7N65C 0.7500
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 7a (TC) 10V 1.4ohm @ 3.5a, 10v 4V @ 250 µA 36 NC @ 10 V ± 30V 1245 pf @ 25 V - 160W (TC)
FDR8508P Fairchild Semiconductor FDR8508P 1.3800
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.130 ", 3.30 mm de ancho) FDR85 Mosfet (Óxido de metal) 800MW Supersot ™ -8 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 30V 3A 52mohm @ 3a, 10v 3V @ 250 µA 12NC @ 5V 750pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
FDZ2554PZ Fairchild Semiconductor FDZ2554PZ 0.6400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 18 WFBGA FDZ25 Mosfet (Óxido de metal) 2.1w 18-BGA (2.5x4) descascar Rohs no conforme EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V 6.5a 28mohm @ 6.5a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 21NC @ 4.5V 1430pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
FQP10N60C Fairchild Semiconductor FQP10N60C 1.0900
RFQ
 ECAD 4844 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 244 N-canal 600 V 9.5A (TC) 10V 730mohm @ 4.75a, 10V 4V @ 250 µA 57 NC @ 10 V ± 30V 2040 pf @ 25 V - 156W (TC)
PN4249 Fairchild Semiconductor PN4249 0.0500
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 6.662 60 V 500 mA 10NA (ICBO) PNP 250mv @ 500 µA, 10 mA 100 @ 100 µA, 5V -
FJL6825ATU Fairchild Semiconductor FJL6825ATU 1.0000
RFQ
 ECAD 4337 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA 200 W HPM F2 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 25 750 V 25 A 1mera NPN 3V @ 3a, 12a 6 @ 12a, 5v -
KST24MTF Fairchild Semiconductor KST24MTF 0.0200
RFQ
 ECAD 5333 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2.789 30 V 100 mA 50NA (ICBO) NPN - 30 @ 8 mm, 10v 620MHz
SI9435DY Fairchild Semiconductor Si9435dy -
RFQ
 ECAD 6076 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico - ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 5.3a (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 5.3a, 10v 3V @ 250 µA 23 NC @ 10 V ± 20V 690 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
FQP12N60 Fairchild Semiconductor FQP12N60 1.2500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 10.5a (TC) 10V 700mohm @ 5.3a, 10V 5V @ 250 µA 54 NC @ 10 V ± 30V 1900 pf @ 25 V - 180W (TC)
HUF75321S3S Fairchild Semiconductor HUF75321S3S 0.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar Rohs no conforme EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 35A (TC) 34mohm @ 35a, 10V 4V @ 250 µA 44 NC @ 20 V ± 20V 680 pf @ 25 V - 93W (TC)
FQD4N50TF Fairchild Semiconductor FQD4N50TF 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 500 V 2.6a (TC) 10V 2.7ohm @ 1.3a, 10v 5V @ 250 µA 13 NC @ 10 V ± 30V 460 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 45W (TC)
FDA2712 Fairchild Semiconductor FDA2712 9.5400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 250 V 64a (TC) 10V 34mohm @ 40a, 10V 5V @ 250 µA 129 NC @ 10 V ± 30V 10175 pf @ 25 V - 357W (TC)
FQPF2N50 Fairchild Semiconductor FQPF2N50 0.3400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 1.3a (TC) 10V 5.3ohm @ 650mA, 10V 5V @ 250 µA 8 NC @ 10 V ± 30V 230 pf @ 25 V - 20W (TC)
BD233STU Fairchild Semiconductor Bd233stu 0.1400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 25 W A-126-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 60 45 V 2 A 100 µA (ICBO) NPN 600mv @ 100 mm, 1a 25 @ 1a, 2v 3MHz
FDU8880 Fairchild Semiconductor FDU8880 0.4600
RFQ
 ECAD 349 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.800 N-canal 30 V 13a (TA), 58A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 35a, 10v 2.5V @ 250 µA 31 NC @ 10 V ± 20V 1260 pf @ 15 V - 55W (TC)
FDD6632 Fairchild Semiconductor FDD6632 0.1400
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 9A (TC) 4.5V, 10V 70mohm @ 9a, 10v 3V @ 250 µA 4 NC @ 5 V ± 20V 255 pf @ 15 V - 15W (TC)
FDU6680 Fairchild Semiconductor FDU6680 0.6000
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.800 N-canal 30 V 12A (TA), 46A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 12a, 10v 3V @ 250 µA 18 NC @ 5 V ± 20V 1230 pf @ 15 V - 3.3W (TA), 56W (TC)
BDX53ATU Fairchild Semiconductor Bdx53atu 0.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 60 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 60 V 8 A 500 µA NPN - Darlington 2V @ 12 mm, 3a 750 @ 3a, 3V -
BZX55C3V3 Fairchild Semiconductor BZX55C3V3 0.0400
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 6% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 Ma 2 µA @ 1 V 3.3 V 85 ohmios
BC337TF Fairchild Semiconductor BC337TF 0.0200
RFQ
 ECAD 7350 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 7,930 45 V 800 Ma 100na NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
BD240A Fairchild Semiconductor BD240A 0.2300
RFQ
 ECAD 8277 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 30 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.022 60 V 2 A 300 µA PNP 700mv @ 200MA, 1A 15 @ 1a, 4v -
BC546CBU Fairchild Semiconductor Bc546cbu 1.0000
RFQ
 ECAD 4139 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1,000 65 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 420 @ 2mA, 5V 300MHz
BC850BMTF Fairchild Semiconductor Bc850bmtf 0.0600
RFQ
 ECAD 102 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
BAV20TR Fairchild Semiconductor BAV20TR -
RFQ
 ECAD 6030 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Estándar DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0070 30,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 200 V 1.25 V @ 200 Ma 50 ns 100 na @ 200 V 175 ° C (Máximo) 200 MMA 5PF @ 0V, 1MHz
FDU8796 Fairchild Semiconductor FDU8796 0.4100
RFQ
 ECAD 502 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 25 V 35A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 35a, 10v 2.5V @ 250 µA 52 NC @ 10 V ± 20V 2610 pf @ 13 V - 88W (TC)
FQB20N06LTM Fairchild Semiconductor Fqb20n06ltm -
RFQ
 ECAD 9801 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 107 N-canal 60 V 21a (TC) 5V, 10V 55mohm @ 10.5a, 10v 2.5V @ 250 µA 13 NC @ 5 V ± 20V 630 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 53W (TC)
BD242B Fairchild Semiconductor Bd242b 0.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero Un 220-3 2 W Un 220b descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.213 80 V 3 A 300 µA PNP 1.2v @ 600 mA, 3a 25 @ 1a, 4v -
BC182LB Fairchild Semiconductor BC182LB 0.0400
RFQ
 ECAD 9690 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 350 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 5,582 50 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 40 @ 10 µA, 5V 150MHz
NDP7050L Fairchild Semiconductor NDP7050L 2.4000
RFQ
 ECAD 252 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 50 V 75A (TC) 5V 15mohm @ 37.5a, 5V 2V @ 250 µA 115 NC @ 5 V ± 20V 4000 pf @ 25 V - 150W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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