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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
BC33840BU Fairchild Semiconductor Bc33840bu 0.0200
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1,000 25 V 800 Ma 100na NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 250 @ 100mA, 1V 100MHz
BC859AMTF Fairchild Semiconductor Bc859amtf 0.0500
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 110 @ 2mA, 5V 150MHz
MBR1550CT Fairchild Semiconductor MBR1550CT 1.0000
RFQ
 ECAD 2810 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 Schottky Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 15A 750 MV @ 7.5 A 1 ma @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C
FGPF70N33BTTU Fairchild Semiconductor FGPF70N33BTTU 0.9700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Estándar 48 W Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 - Zanja 330 V 220 A 1.7V @ 15V, 70a - 49 NC -
FQPF6N40CT Fairchild Semiconductor Fqpf6n40ct 0.5700
RFQ
 ECAD 680 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 400 V 6a (TC) 10V 1ohm @ 3a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 625 pf @ 25 V - 38W (TC)
FDU8586 Fairchild Semiconductor FDU8586 0.8300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 20 V 35A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 35a, 10V 2.5V @ 250 µA 48 NC @ 10 V ± 20V 2480 pf @ 10 V - 77W (TC)
KSC838COBU Fairchild Semiconductor Ksc838cobu 0.0300
RFQ
 ECAD 4448 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 250 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 9,745 30 V 30 Ma 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 1 mapa, 10 ma 70 @ 2mA, 12V 250MHz
FLZ4V7B Fairchild Semiconductor FLZ4V7B 0.0200
RFQ
 ECAD 6645 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 500 MW Sod-80 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 7,263 1.2 v @ 200 ma 190 na @ 1 V 4.7 V 21 ohmios
BAV20 Fairchild Semiconductor Bav20 0.0200
RFQ
 ECAD 99 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Estándar DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0070 2,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 200 V 1.25 V @ 200 Ma 50 ns 100 na @ 200 V 175 ° C (Máximo) 200 MMA 5PF @ 0V, 1MHz
FMKA130 Fairchild Semiconductor Fmka130 0.1000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto Montaje en superficie DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 1 A 1 ma @ 30 V -65 ° C ~ 125 ° C 1A -
BC239ABU Fairchild Semiconductor Bc239abu 0.0200
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1,000 25 V 100 mA 15NA NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 120 @ 2mA, 5V 250MHz
FQP6N80 Fairchild Semiconductor FQP6N80 1.0000
RFQ
 ECAD 4193 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 5.8a (TC) 10V 1.95ohm @ 2.9a, 10v 5V @ 250 µA 31 NC @ 10 V ± 30V 1500 pf @ 25 V - 158W (TC)
BC307 Fairchild Semiconductor BC307 0.0500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 100 mA 15NA PNP 500mv @ 5 mm, 100 mapa 120 @ 2mA, 5V 130MHz
BC547A Fairchild Semiconductor BC547A 0.0200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 15,076 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 110 @ 2mA, 5V 300MHz
BCX20 Fairchild Semiconductor BCX20 0.0300
RFQ
 ECAD 6279 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 9,000 25 V 800 Ma 100NA (ICBO) NPN 620mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v -
BC237B Fairchild Semiconductor BC237B 0.0400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 100 mA 15NA NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 180 @ 2mA, 5V 250MHz
RFG40N10 Fairchild Semiconductor RFG40N10 1.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar Rohs no conforme EAR99 8541.29.0095 150 N-canal 100 V 40A (TC) 10V 40mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 300 NC @ 20 V ± 20V - 160W (TC)
NDS9430 Fairchild Semiconductor NDS9430 0.6400
RFQ
 ECAD 112 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 5.3a (TA) 4.5V, 10V 60mohm @ 5.3a, 10V 3V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 20V 528 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
BC237BTA Fairchild Semiconductor BC237BTA 1.0000
RFQ
 ECAD 3236 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 100 mA 15NA NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 180 @ 2mA, 5V 250MHz
BC556CTA Fairchild Semiconductor BC556CTA 0.0200
RFQ
 ECAD 617 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 65 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 420 @ 2mA, 5V 150MHz
BC550BTA Fairchild Semiconductor BC550BTA 0.0200
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
PN4118 Fairchild Semiconductor PN4118 0.0800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 350 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 3pf @ 10V 40 V 80 µA @ 10 V 1 v @ 1 na
BC369 Fairchild Semiconductor BC369 1.0000
RFQ
 ECAD 8168 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW TO-92 (TO-226) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 20 V 1 A 10 µA (ICBO) PNP 500mv @ 100 mm, 1a 85 @ 500mA, 1V 65MHz
ISL9V5036S3 Fairchild Semiconductor ISL9V5036S3 -
RFQ
 ECAD 1273 0.00000000 Semiconductor de fairchild Ecospark® Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Lógica 250 W Un 262AA descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 300V, 1KOHM, 5V - 390 V 46 A 1.6v @ 4V, 10a - 32 NC -/10.8 µs
BC238CBU Fairchild Semiconductor Bc238cbu 0.0200
RFQ
 ECAD 6133 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 10,000 25 V 100 mA 15NA NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 380 @ 2mA, 5V 250MHz
BC548CBU Fairchild Semiconductor Bc548cbu 0.0200
RFQ
 ECAD 5245 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 8,500 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 420 @ 2mA, 5V 300MHz
BDW94 Fairchild Semiconductor BDW94 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 80 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 200 45 V 12 A 1mera PNP - Darlington 3V @ 100 Ma, 10a 750 @ 5a, 3V -
BCW33 Fairchild Semiconductor BCW33 0.0200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 18,000 32 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 500 µA, 10 mA 420 @ 2mA, 5V 200MHz
HUF76629D3S Fairchild Semiconductor HUF76629D3S 0.7000
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.800 N-canal 100 V 20A (TC) 52mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 46 NC @ 10 V ± 16V 1285 pf @ 25 V - 110W (TC)
PN4917 Fairchild Semiconductor PN4917 0.0400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 30 V 200 MA 25NA PNP 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 150 @ 10mA, 1V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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