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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Condición de PrueBa | Ganar | Actual | Voltaje | Voltaje - Aislamiente | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
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![]() | FYPF2010DNTU | - | ![]() | 7730 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | FYPF20 | Schottky | Un 220F | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 20A | 770 MV @ 10 A | 100 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdmc6676bz | 0.1400 | ![]() | 192 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 350 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjpf5304dtu | 0.5100 | ![]() | 133 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS9018FBU | 0.0200 | ![]() | 127 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | SS9018 | 400MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | - | 15V | 50mera | NPN | 54 @ 1mA, 5V | 1.1 GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C3V9 | 0.0300 | ![]() | 138 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 1 V | 3.9 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSBB20CH60F | - | ![]() | 9616 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | MOVIMIENTO SPM® 3 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Módulo de 27 Potencias (1.205 ", 30.60 mm) | IGBT | FSBB20 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 60 | 3 fase | 20 A | 600 V | 2500 VRMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP102 | - | ![]() | 9912 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | TIP102 | 2 W | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 8 A | 50 µA | NPN - Darlington | 2.5V @ 80MA, 8A | 1000 @ 3a, 4v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjp3307dtu | 0.4300 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 80 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 400 V | 8 A | - | NPN | 3V @ 2a, 8a | 8 @ 2a, 5v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Hgtg18n120bn | - | ![]() | 6491 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | HGTG18 | Estándar | 390 W | TO-247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 960V, 18a, 3ohm, 15V | Escrutinio | 1200 V | 54 A | 165 A | 2.7V @ 15V, 18a | 800 µJ (Encendido), 1.8mj (apaguado) | 165 NC | 23ns/170ns | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB521S30 | - | ![]() | 2184 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Schottky | Sod-523f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 500 MV @ 200 Ma | 30 µA @ 10 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 200 MMA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGI3040G2_F085 | - | ![]() | 4574 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotive, AEC-Q101, EcoSpark® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Lógica | 150 W | I2pak (TO-262) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 202 | 300V, 6.5a, 1kohm, 5V | - | 400 V | 41 A | 1.25V @ 4V, 6A | - | 21 NC | -/4.8 µs | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TN4033A | 0.0900 | ![]() | 99 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TN4033 | 1 W | Un 226-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 2,000 | 80 V | 1 A | 50NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 maja, 5v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mmbz5237b | 0.0200 | ![]() | 147 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ52 | 300 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 6.5 V | 8.2 V | 8 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjv92mtf | 0.0500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | FJV92 | Sot-23-3 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 6,000 | 350 V | 500 mA | 250NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 2 mm, 20 mm | 40 @ 10mA, 10V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjx3007rtf | 0.0200 | ![]() | 488 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | FJX300 | 200 MW | SC-70 (SOT323) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 22 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mmbd7000 | 0.0300 | ![]() | 5507 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBD70 | Estándar | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 580 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | Conexión de la Serie de 1 par | 100 V | 200 MMA | 1.1 V @ 100 Ma | 4 ns | 500 na @ 100 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJY3002R | 0.0300 | ![]() | 682 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | FJY300 | 200 MW | SOT-523F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 10 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KST3904MTF | 0.0200 | ![]() | 632 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | KST39 | 350 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 40 V | 200 MA | - | NPN | 300mv @ 5 Ma, 50 Ma | 100 @ 10mA, 1V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mm5z43v | 0.0200 | ![]() | 54 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 7% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523F | MM5Z4 | 200 MW | Sod-523f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 50 na @ 30.1 V | 43 V | 150 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4730ATR | 0.0200 | ![]() | 129 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4730 | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 50 µA @ 1 V | 3.9 V | 9 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM5Z2V7 | - | ![]() | 3400 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 7% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523F | MM5Z2 | 200 MW | Sod-523f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 20 µA @ 1 V | 2.7 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksp05ta | 0.0300 | ![]() | 2353 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | KSP05 | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 60 V | 500 mA | 100na | NPN | 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma | 50 @ 100 mapa, 1v | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR1045 | 0.4400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | MBR104 | Schottky | Un 220-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 840 MV @ 20 A | 100 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fgpf4536ydtu | - | ![]() | 2215 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjn3305rta | 1.0000 | ![]() | 2055 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | FJN330 | 300 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 4.7 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5228B | 0.0200 | ![]() | 47 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ52 | 300 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 3.9 V | 23 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5240B | 0.0200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 225 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 8 V | 10 V | 17 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mmbz5247b | 0.0200 | ![]() | 102 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ52 | 300 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 13 V | 17 V | 19 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5262B | - | ![]() | 2566 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 39 V | 51 V | 125 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2sc5200rtu | 2.1300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-264-3, TO-264AA | 150 W | Un 264-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 250 V | 17 A | 5 µA (ICBO) | NPN | 3V @ 800mA, 8A | 55 @ 7a, 5V | 30MHz |
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