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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BC549B | 0.0400 | ![]() | 41 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDU6612A | 0.3400 | ![]() | 44 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.800 | N-canal | 30 V | 9.5A (TA), 30A (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 9.5a, 10v | 3V @ 250 µA | 9.4 NC @ 5 V | ± 20V | 660 pf @ 15 V | - | 2.8W (TA), 36W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc2223omtf | 0.0200 | ![]() | 9984 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 150 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,101 | 20 V | 20 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 1 mapa, 10 ma | 60 @ 1 MMA, 6V | 600MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDJ129P | 0.4600 | ![]() | 243 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-75-6 FLMP | Mosfet (Óxido de metal) | SC75-6 FLMP | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4.2a (TA) | 2.5V, 4.5V | 70mohm @ 4.2a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 6 NC @ 4.5 V | ± 12V | 780 pf @ 10 V | - | 1.6w (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDZ293P | 0.2400 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 9-vfbga | Mosfet (Óxido de metal) | 9-BGA (1.5x1.6) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4.6a (TA) | 2.5V, 4.5V | 46mohm @ 4.6a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 11 NC @ 4.5 V | ± 12V | 754 pf @ 10 V | - | 1.7w (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5392 | 0.0200 | ![]() | 9699 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | Estándar | Do-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 8,011 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.4 V @ 1.5 A | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 25pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD6778A | 0.4100 | ![]() | 128 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 V | 12a (TA), 10a (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 10a, 10v | 3V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 870 pf @ 13 V | - | 3.7W (TA), 24W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DCB010-TB-E | - | ![]() | 8912 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Estándar | 3-CP | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Cátodo Común | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 Ma | 4 ns | 100 na @ 80 V | 125 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ffpf04u150stu | 1.0000 | ![]() | 6884 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Estándar | TO20F-2L | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1500 V | 1.8 V @ 4 A | 150 ns | 7 µA @ 1500 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 4A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF3N50C | 0.7000 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 3A (TC) | 10V | 2.5ohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 365 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDU6030BL | 0.5900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.800 | N-canal | 30 V | 10a (TA), 42a (TC) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 10a, 10v | 3V @ 250 µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 1143 pf @ 15 V | - | 3.8W (TA), 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc2785ybu | 0.0200 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 Cuerpo Corto | 250 MW | Un Los 92 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 10 Ma, 100 Ma | 120 @ 1 MMA, 6V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqpf46n15 | 1.2400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 150 V | 25.6a (TC) | 10V | 42mohm @ 12.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 25V | 3250 pf @ 25 V | - | 66W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJC2383OTF | 0.0700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 500 MW | SOT-89-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 4.000 | 160 V | 1 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 200Ma, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjn4303rbu | 0.0200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | FJN430 | 300 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5MA, 5V | 200 MHz | 22 kohms | 22 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C18 | - | ![]() | 8866 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.3 V @ 100 Ma | 100 na @ 14 V | 18 V | 50 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ffpf15u40stu | 1.0000 | ![]() | 9817 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Estándar | TO20F-2L | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.4 V @ 15 A | 50 ns | 40 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 15A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75321D3S | 0.4000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.800 | N-canal | 55 V | 20A (TC) | 10V | 36mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 44 NC @ 20 V | ± 20V | 680 pf @ 25 V | - | 93W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C10 | 0.0500 | ![]() | 42 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.3 V @ 100 Ma | 100 na @ 7.5 V | 10 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAY80 | 0.0200 | ![]() | 8133 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.10.0070 | 550 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 150 V | 1 V @ 150 Ma | 60 ns | 100 na @ 120 V | 175 ° C (Máximo) | 200 MMA | 6pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBL08 | - | ![]() | 9037 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBL | Estándar | KBL | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 108 | 1.1 v @ 4 a | 5 µA @ 800 V | 4 A | Fase única | 800 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FLZ9V1A | 0.0200 | ![]() | 41 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.2 v @ 200 ma | 300 na @ 6 V | 8.5 V | 6.6 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqpf17p06 | 0.5500 | ![]() | 64 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 60 V | 12a (TC) | 10V | 120mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 27 NC @ 10 V | ± 25V | 900 pf @ 25 V | - | 39W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS8674 | 0.5300 | ![]() | 147 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 17a (TA), 21a (TC) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 17a, 10v | 3V @ 250 µA | 37 NC @ 10 V | ± 20V | 2320 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 78W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDPF7N50U | 0.8700 | ![]() | 335 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Unifet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 5A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 16.6 NC @ 10 V | ± 30V | 940 pf @ 25 V | - | 39W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C3V9TR | 0.0500 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 1 V | 3.9 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5551YBU | 1.0000 | ![]() | 9131 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 160 V | 600 mA | - | NPN | 200 MV a 5 mm, 50 Ma | 180 @ 10mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA733CGTA | 0.0200 | ![]() | 67 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 250 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10 Ma, 100 Ma | 200 @ 1 MMA, 6V | 180MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksd526otu | 1.0000 | ![]() | 1311 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 30 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 V | 4 A | 30 µA (ICBO) | NPN | 1.5V @ 300mA, 3A | 70 @ 500mA, 5V | 8MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqa6n90 | 1.0000 | ![]() | 2704 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | N-canal | 900 V | 6.4a (TC) | 10V | 1.9ohm @ 3.2a, 10v | 5V @ 250 µA | 52 NC @ 10 V | ± 30V | 1880 pf @ 25 V | - | 198W (TC) |
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