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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Voltaje - Calificación | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Actual | Voltaje | Voltaje - Aislamiente | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
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![]() | Ksa1156ostu | - | ![]() | 6420 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | KSA1156 | 1 W | A-126-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 162 | 400 V | 500 mA | 100 µA (ICBO) | PNP | 1V @ 10 Ma, 100 Ma | 60 @ 100mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C15-T50A | 0.0300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | BZX85C15 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,095 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 10.5 V | 15 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB8160-F085 | 1.4000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | FDB816 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 V | 80a (TC) | 10V | 1.8mohm @ 80a, 10v | 4V @ 250 µA | 243 NC @ 10 V | ± 20V | 11825 pf @ 15 V | - | 254W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5247 | 0.1800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 30 V | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 2N5247 | 400MHz | Jfet | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | - | - | - | 4db | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS320 | - | ![]() | 5733 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | MBRS320 | Schottky | SMC (DO-214AB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 500 MV @ 3 A | 2 Ma @ 20 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 4A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFD08S60S | 0.3600 | ![]() | 222 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C18-T50R | 0.0300 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 12.5 V | 18 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM5Z9V1 | 0.0200 | ![]() | 58 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523F | MM5Z9 | 200 MW | Sod-523f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 200 na @ 7 V | 9.1 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDPF035N06B | 1.1400 | ![]() | 178 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | FDPF035 | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFD14LN05SM | 0.2400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | RFD14 | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMF5808 | 1.0000 | ![]() | 4017 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5250B | - | ![]() | 5047 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ52 | 300 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 15 V | 20 V | 25 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS9410L | - | ![]() | 7333 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | FDMS9410 | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bd676as | 0.3000 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | BD676 | 14 W | A-126-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 45 V | 4 A | 500 µA | PNP - Darlington | 2.8V @ 40 mm, 2a | 750 @ 2a, 3V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mje200stu | - | ![]() | 2582 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | MJE200 | 15 W | A-126-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 25 V | 5 A | 100NA (ICBO) | NPN | 1.8v @ 1a, 5a | 45 @ 2a, 1v | 65MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM5Z75V | 0.0200 | ![]() | 53 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 200 MW | Sod-523f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 50 na @ 52.5 V | 75 V | 255 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjn4303rta | 0.0200 | ![]() | 101 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | FJN430 | 300 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5MA, 5V | 200 MHz | 22 kohms | 22 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJE182stu | 0.2000 | ![]() | 319 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | MJE182 | 1.5 W | A-126-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 80 V | 3 A | 100NA (ICBO) | NPN | 1.7V @ 600mA, 3A | 50 @ 100 mapa, 1v | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mmbz5243b | 0.0200 | ![]() | 171 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 225 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 500 na @ 9.9 V | 13 V | 13 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGB3236 | 1.2600 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR745 | 1.0000 | ![]() | 7811 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Switchmode ™ | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | MBR745 | Schottky | Un 220-2 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 570 MV @ 7.5 A | 1 ma @ 45 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 7.5a | 400pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDC630C | 0.1100 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGT1S10N120bns | - | ![]() | 2471 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | HGT1S10 | Estándar | 298 W | Un 263ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 960V, 10a, 10ohm, 15V | Escrutinio | 1200 V | 35 A | 80 A | 2.7V @ 15V, 10a | 320 µJ (Encendido), 800 µJ (apaguado) | 100 NC | 23ns/165ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ss9014dbu | 0.0200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 450 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 V | 100 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 5 Ma, 100 Ma | 60 @ 1 MMA, 5V | 270MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5822 | - | ![]() | 3355 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | DO-201AA, DO-27, AXIAL | Schottky | Axial | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 525 MV @ 3 A | 2 Ma @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksa733cgbu | 0.0200 | ![]() | 664 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | KSA733 | 250 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10 Ma, 100 Ma | 200 @ 1 MMA, 6V | 180MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX70H | 0.0300 | ![]() | 150 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 45 V | 200 MA | 20NA | NPN | 550mv @ 1.25 mA, 50 mA | 180 @ 2mA, 5V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJE172stu | - | ![]() | 8305 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | MJE172 | 1.5 W | A-126-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 80 V | 3 A | 100NA (ICBO) | PNP | 1.7V @ 600mA, 3A | 50 @ 100 mapa, 1v | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FNA51060T3 | 9.3200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | MOVIMIENTO SPM® 55 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Módulo de 20 Potencias (1.220 ", 31.00 mm) | IGBT | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Inversor de 3 fase | 10 A | 600 V | 1500 VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSBS10SM60I | 9.7400 | ![]() | 305 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 |
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