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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Tipo de fet	Condición de PrueBa	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Real - Corte de Coleción (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Figura de Ruido (db typ @ f)
Ksc945lta	0.0200	RFQ	22	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales				250 MW	Un 92-3	descascar	ROHS3 Cumplante		EAR99	8541.21.0075	15,000																							50 V	150 Ma						100NA (ICBO)			NPN	300mv @ 10 Ma, 100 Ma	350 @ 1 MMA, 6V	300MHz
Ksb1116agta	-	RFQ	1565	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales				750 MW	Un 92-3	descascar	ROHS3 Cumplante		EAR99	8541.21.0075	2,141																							60 V	1 A						100NA (ICBO)			PNP	300mv @ 50 mm, 1a	200 @ 100 mapa, 2v	120MHz
2N4124	0.0200	RFQ	7613	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales				625 MW	TO-92 (TO-226)	descascar	ROHS3 Cumplante	2156-2N4124-FS	EAR99	8541.21.0075	5,000																							25 V	200 MA						50NA (ICBO)			NPN	300mv @ 5 Ma, 50 Ma	120 @ 2mA, 1V	300MHz
1N979B	3.1500	RFQ	1	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial				500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		EAR99	8541.10.0050	96																		5 µA @ 42.6 V													56 V	150 ohmios
KSC2715MTF	0.0600	RFQ	126	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto		-	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3				150 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante		EAR99	8541.21.0075	3.000																							30 V	50 Ma						100NA (ICBO)			NPN	400mv @ 1 mapa, 10 ma	120 @ 2mA, 12V	400MHz
Sgp40n60uftu	3.7800	RFQ	49	Semiconductor de fairchild	-	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	SGP40	Estándar		160 W	Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante		EAR99	8541.29.0095	1,000			300V, 20a, 10ohm, 15V																			-	600 V	40 A	160 A	2.6V @ 15V, 20a	160 µJ (Encendido), 200 µJ (apaguado)	97 NC	15ns/65ns
KSC3123RMTF	0.0200	RFQ	6316	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3				150MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante		EAR99	8541.21.0075	2,485				20dB ~ 23dB																			20V	50mera									NPN		60 @ 5 mm, 10v	1.4GHz	3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz
Ksa733ybu	-	RFQ	2870	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA)				250 MW	Un 92-3	descascar	ROHS3 Cumplante		EAR99	8541.21.0075	1,000																							50 V	150 Ma						100NA (ICBO)			PNP	300mv @ 10 Ma, 100 Ma	120 @ 1 MMA, 6V	180MHz
1N5991B	2.0000	RFQ	28	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial				500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		EAR99	8541.10.0050	163																1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 1 V													4.3 V	88 ohmios
MBRP745TU	0.3000	RFQ	2	Semiconductor de fairchild	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2			Schottky		Un 220-2	descascar	ROHS3 Cumplante		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)														45 V	650 MV @ 7.5 A		1 ma @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C	7.5a	-
FDMS8848NZ	1.0100	RFQ	993	Semiconductor de fairchild	Powertrench®	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn			Mosfet (Óxido de metal)		8-PQFN (5x6)	descascar	ROHS3 Cumplante		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal			40 V	22.8a (TA), 49A (TC)	4.5V, 10V	3.1mohm @ 22.8a, 10V	3V @ 250 µA	152 NC @ 10 V	± 20V	8075 pf @ 20 V	-	2.5W (TA), 104W (TC)
Fqu7p06tu	1.0000	RFQ	2194	Semiconductor de fairchild	QFET®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA			Mosfet (Óxido de metal)		I-pak	descascar	ROHS3 Cumplante		EAR99	8541.29.0095	5.040		Canal P			60 V	5.4a (TC)	10V	451mohm @ 2.7a, 10V	4V @ 250 µA	8.2 NC @ 10 V	± 25V	295 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 28W (TC)
1N963B	2.1300	RFQ	66	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial				500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		EAR99	8541.10.0050	141																		5 µA @ 9.1 V													12 V	11.5 ohmios
FDI040N06	1.7200	RFQ	252	Semiconductor de fairchild	Powertrench®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA			Mosfet (Óxido de metal)		I2pak (TO-262)	descascar	ROHS3 Cumplante		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal			60 V	120a (TC)	10V	4mohm @ 75a, 10v	4.5V @ 250 µA	133 NC @ 10 V	± 20V	8235 pf @ 25 V	-	231W (TC)
FDMC8676	0.7000	RFQ	4	Semiconductor de fairchild	Powertrench®	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn			Mosfet (Óxido de metal)		Power33	descascar	ROHS3 Cumplante		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal			30 V	16a (TA), 18a (TC)	4.5V, 10V	5.9mohm @ 14.7a, 10v	3V @ 250 µA	30 NC @ 10 V	± 20V	1935 pf @ 15 V	-	2.3W (TA), 41W (TC)
Fgpf30n30ttu	0.8400	RFQ	5	Semiconductor de fairchild	-	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero		Estándar		44.6 W	Un 220F-3	descascar	ROHS3 Cumplante		EAR99	8541.29.0095	50			200v, 20a, 20ohm, 15V																			Zanja	300 V		80 A	1.5V @ 15V, 10a	-	65 NC	22ns/130ns
FDU8770	1.5600	RFQ	7	Semiconductor de fairchild	Powertrench®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA			Mosfet (Óxido de metal)		I-pak	descascar	ROHS3 Cumplante		EAR99	8541.29.0095	75		N-canal			25 V	35A (TC)	4.5V, 10V	4mohm @ 35a, 10v	2.5V @ 250 µA	73 NC @ 10 V	± 20V	3720 pf @ 13 V	-	115W (TC)
2N4401_D11Z	-	RFQ	4219	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA)				625 MW	Un 92-3	descascar	No Aplicable		EAR99	8541.21.0075	2,000																							40 V	600 mA						-			NPN	750mv @ 50 mm, 500 mA	100 @ 150mA, 1V	250MHz
Fdb24an06la0	1.0000	RFQ	4278	Semiconductor de fairchild	Powertrench®	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2PAK (TO-263)	descascar	ROHS3 Cumplante		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal			60 V	7.8a (TA), 40a (TC)	5V, 10V	19mohm @ 40a, 10v	3V @ 250 µA	21 NC @ 5 V	± 20V	1850 pf @ 25 V	-	75W (TC)
Mmbt4403k	0.0700	RFQ	7955	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3				350 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante		EAR99	8541.21.0075	3,285																							40 V	600 mA						-			PNP	750mv @ 50 mm, 500 mA	100 @ 150mA, 2V	200MHz
Ffpf10h60stu	0.4800	RFQ	9	Semiconductor de fairchild	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To20-2 paqueto entero			Estándar		TO20F-2L	descascar	ROHS3 Cumplante		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)														600 V	2.5 V @ 10 A	40 ns	1 Ma @ 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	-
1N759ATR	-	RFQ	8914	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial				500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		EAR99	8541.10.0050	5,000																1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 1 V													12 V	30 ohmios
Flz18vb	0.0200	RFQ	28	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 3%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80				500 MW	Sod-80	descascar	ROHS3 Cumplante		EAR99	8541.10.0050	15,000																1.2 v @ 200 ma		133 na @ 13 V													17.3 V	19.4 ohmios
Ss9011gbu	0.0500	RFQ	444	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA)				400 MW	Un 92-3	descascar	ROHS3 Cumplante		EAR99	8541.21.0095	1,000																							30 V	30 Ma						100NA (ICBO)			NPN	300mv @ 1 mapa, 10 ma	72 @ 1 MMA, 5V	2MHz
FLZ4V7C	0.0200	RFQ	84	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 3%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80				500 MW	Sod-80	descascar	ROHS3 Cumplante		EAR99	8541.10.0050	2.500																1.2 v @ 200 ma		190 na @ 1 V													4.8 V	21 ohmios
FDS7760A	1.2300	RFQ	575	Semiconductor de fairchild	Powertrench®	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal			30 V	15a (TA)	4.5V, 10V	5.5mohm @ 15a, 10v	3V @ 250 µA	55 NC @ 5 V	± 20V	3514 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
Ndc631n	0.1700	RFQ	11	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6			Mosfet (Óxido de metal)		Supersot ™ -6	descascar	ROHS3 Cumplante		EAR99	8541.21.0095	3.000		N-canal			20 V	4.1a (TA)	2.7V, 4.5V	60mohm @ 4.1a, 4.5V	1V @ 250 µA	14 NC @ 4.5 V	8V	365 pf @ 10 V	-	1.6w (TA)
Fdp6670al	0.6000	RFQ	26	Semiconductor de fairchild	Powertrench®	Tubo	Obsoleto		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3			Mosfet (Óxido de metal)		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal			30 V	80a (TA)	4.5V, 10V	6.5mohm @ 40a, 10v	3V @ 250 µA	33 NC @ 5 V	± 20V	2440 pf @ 15 V	-	68W (TC)
HUF76419S3ST	0.6700	RFQ	42	Semiconductor de fairchild	UltraFet ™	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2PAK (TO-263)	descascar	ROHS3 Cumplante		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal			60 V	29a (TC)	4.5V, 10V	35mohm @ 29a, 10v	3V @ 250 µA	28 NC @ 10 V	± 16V	900 pf @ 25 V	-	75W (TC)
FDMS8672As	0.5900	RFQ	41	Semiconductor de fairchild	Powertrench®	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn			Mosfet (Óxido de metal)		8-PQFN (5x6)	descascar	ROHS3 Cumplante		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal			30 V	18a (TA), 28a (TC)	4.5V, 10V	5mohm @ 18a, 10v	3V @ 1MA	40 NC @ 10 V	± 20V	2600 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 70W (TC)