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Productos de semiconductoros discretos (2909)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
SSM3J35CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35CT, L3F 0.3400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie SC-101, SOT-883 SSM3J35 Mosfet (Óxido de metal) CST3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 20 V 100 mA (TA) 1.2V, 4V 8ohm @ 50 mm, 4V 1V @ 1MA ± 10V 12.2 pf @ 3 V - 100MW (TA)
RN2118MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2118MFV (TPL3) 0.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-723 RN2118 150 MW Vesm descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 47 kohms 10 kohms
CRS30I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS30I40A (TE85L, QM 0.4400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123F CRS30I40 Schottky S-FLAT (1.6x3.5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 3 A 100 µA @ 40 V 150 ° C (Máximo) 3A 62pf @ 10V, 1 MHz
RN1910FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1910FE (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 8332 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN1910 100MW ES6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 250MHz 4.7 kohms -
RN1109(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1109 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 2234 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-75, SOT-416 RN1109 100 MW SSM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 250 MHz 47 kohms 22 kohms
TK11A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK11A60D (STA4, Q, M) -
RFQ
 ECAD 6517 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvii Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK11A60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 11a (TA) 10V 650mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 1MA 28 NC @ 10 V ± 30V 1550 pf @ 25 V - 45W (TC)
2SC2655-Y(T6TOJ,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y (T6TOJ, FM -
RFQ
 ECAD 5228 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2655 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
2SC2235-Y(T6KMATFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y (T6KMATFM -
RFQ
 ECAD 9620 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2235 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) 2sc2235yt6kmatfm EAR99 8541.21.0075 1 120 V 800 Ma 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 80 @ 100mA, 5V 120MHz
SSM3K72KFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K72KFS, LF 0.2100
RFQ
 ECAD 162 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie SC-75, SOT-416 SSM3K72 Mosfet (Óxido de metal) SSM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 300 mA (TA) 4.5V, 10V 1.5ohm @ 100 mA, 10V 2.1V @ 250 µA 0.6 NC @ 4.5 V ± 20V 40 pf @ 10 V - 150MW (TA)
TK31J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK31J60W5, S1VQ 9.6500
RFQ
 ECAD 2743 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 TK31J60 Mosfet (Óxido de metal) A-3p (n) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 600 V 30.8a (TA) 10V 88mohm @ 15.4a, 10v 3.7V @ 1.5MA 105 NC @ 10 V ± 30V 3000 pf @ 300 V - 230W (TC)
RN2709JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2709JE (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-553 RN2709 100MW ESV descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (Dual) (Emisor Junto) 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 47 kohms 22 kohms
HN2D03F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN2D03F (TE85L, F) 0.6000
RFQ
 ECAD 8812 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-74, SOT-457 HN2D03 Estándar SM6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 3 Independientes 400 V 100mA 1.3 V @ 100 Ma 500 ns 100 µA @ 400 V 150 ° C (Máximo)
TK50E08K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK50E08K3, S1X (S -
RFQ
 ECAD 8993 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero Un 220-3 TK50E08 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 75 V 50A (TC) 12mohm @ 25A, 10V - 55 NC @ 10 V - -
TK50E06K3A,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK50E06K3A, S1X (S -
RFQ
 ECAD 5024 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiv Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero Un 220-3 TK50E06 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 50A (TC) 8.5mohm @ 25A, 10V - 54 NC @ 10 V - -
RN4983,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4983, LF (CT 0.3500
RFQ
 ECAD 7287 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN4983 200MW US6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 22 kohms 22 kohms
TPCA8103(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8103 (TE12L, Q, M -
RFQ
 ECAD 6622 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPCA8103 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 40a (TA) 4V, 10V 4.2mohm @ 20a, 10v 2v @ 1 mapa 184 NC @ 10 V ± 20V 7880 pf @ 10 V - 1.6W (TA), 45W (TC)
1SS397TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS397TE85LF 0.4100
RFQ
 ECAD 8305 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 1SS397 Estándar SC-70 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 400 V 1.3 V @ 100 Ma 500 ns 1 µA @ 400 V 125 ° C (Máximo) 100mA 5PF @ 0V, 1MHz
2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3566 (STA4, Q, M) 1.6700
RFQ
 ECAD 955 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosiv Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SK3566 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 900 V 2.5a (TA) 10V 6.4ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 1MA 12 NC @ 10 V ± 30V 470 pf @ 25 V - 40W (TC)
TK39N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK39N60W5, S1VF 8.1100
RFQ
 ECAD 874 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 TK39N60 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 38.8a (TA) 10V 74mohm @ 19.4a, 10v 4.5V @ 1.9MA 135 NC @ 10 V ± 30V 4100 pf @ 300 V - 270W (TC)
TPC8407,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8407, LQ (S -
RFQ
 ECAD 5590 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) TPC8407 Mosfet (Óxido de metal) 450MW 8-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 2.500 Vecino del canal 30V 9a, 7.4a 17mohm @ 4.5a, 10V 2.3V @ 100 µA 17NC @ 10V 1190pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
TPN7R006PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN7R006PL, L1Q 0.9100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn TPN7R006 Mosfet (Óxido de metal) Advance 8-TSON (3.1x3.1) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 54a (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 27a, 10v 2.5V @ 200 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 1875 pf @ 30 V - 630MW (TA), 75W (TC)
2SA2061(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2061 (TE85L, F) 0.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 625 MW TSM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 264-2SA2061 (TE85L, F) DKR EAR99 8541.21.0095 3.000 20 V 2.5 A 100NA (ICBO) PNP 190mv @ 53MA, 1.6a 200 @ 500mA, 2V -
TK56A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK56A12N1, S4X 2.0900
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK56A12 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 120 V 56a (TC) 10V 7.5mohm @ 28a, 10v 4V @ 1MA 69 NC @ 10 V ± 20V 4200 pf @ 60 V - 45W (TC)
RN2405,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2405, LF 0.2200
RFQ
 ECAD 1371 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN2405 200 MW S-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 2.2 kohms 47 kohms
2SC2655-Y,T6SWFF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y, T6SWFF (M -
RFQ
 ECAD 8656 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2655 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
2SA1428-O,T2CLAF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1428-O, T2Claf (M -
RFQ
 ECAD 3673 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero SC-71 2SA1428 900 MW MSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
1SS370TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS370TE85LF -
RFQ
 ECAD 2146 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 1SS370 Estándar SC-70 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 200 V 1.2 V @ 100 Ma 60 ns 1 µA @ 200 V 125 ° C (Máximo) 100mA 3PF @ 0V, 1MHz
2SA965-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-O (TE6, F, M) -
RFQ
 ECAD 2634 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SA965 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 120 V 800 Ma 100NA (ICBO) PNP 1V @ 50 Ma, 500 Ma 80 @ 100mA, 5V 120MHz
RN2106MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2106MFV, L3F (CT 0.1800
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-723 RN2106 150 MW Vesm descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 8,000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 47 kohms
TDTA114E,LM Toshiba Semiconductor and Storage Tdta114e, lm 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 TDTA114 320 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 250 MHz 10 kohms
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

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    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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