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Productos de semiconductoros discretos (2909)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
2SA949-Y(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y (TE6, F, M) -
RFQ
 ECAD 6398 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SA949 800 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 150 V 50 Ma 100NA (ICBO) PNP 800mv @ 1 MMA, 10a 70 @ 10mA, 5V 120MHz
TPCP8901(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8901 (TE85L, F, M -
RFQ
 ECAD 7302 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano TPCP8901 1.48w PS-8 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TPCP8901 (TE85LFM EAR99 8541.29.0075 3.000 50V 1a, 800 mA 100NA (ICBO) NPN, PNP 170mv @ 6mA, 300 mm / 200mv @ 10 mA, 300 mA 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100 mm, 2V -
RN2608(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2608 (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 8298 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-74, SOT-457 RN2608 300MW SM6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 22 kohms 47 kohms
CLS03(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS03 (TE16R, Q) -
RFQ
 ECAD 7771 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto Montaje en superficie L-FLAT ™ CLS03 Schottky L-FLAT ™ (4x5.5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 580 MV @ 10 A 1 ma @ 60 V -40 ° C ~ 125 ° C 10A 345pf @ 10V, 1MHz
1SS196(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS196 (TE85L, F) 0.3200
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 1SS196 Estándar SC-59-3 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 80 V 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 500 na @ 80 V 125 ° C (Máximo) 100mA 3PF @ 0V, 1MHz
2SC2482(FJTN,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2482 (FJTN, F, M) -
RFQ
 ECAD 1055 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2482 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 1 300 V 100 mA 1 µA (ICBO) NPN 1v @ 1 mapa, 10 mapa 30 @ 20MA, 10V 50MHz
2SC3325-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3325-O (TE85L, F) 0.3900
RFQ
 ECAD 9502 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3325 200 MW S-Mini descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 70 @ 100 mapa, 1v 300MHz
CUS15S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS15S40, H3F 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 CUS15S40 Schottky USC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 450 MV @ 1 A 200 µA @ 40 V 125 ° C (Máximo) 1.5a 170pf @ 0V, 1 MHz
SSM3K339R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K339R, LF 0.4500
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 Platos Platos SSM3K339 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 2a (TA) 1.8v, 8V 185mohm @ 1a, 8V 1.2V @ 1MA 1.1 NC @ 4.2 V ± 12V 130 pf @ 10 V - 1W (TA)
2SC4215-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4215-Y (TE85L, F) 0.4900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 2SC4215 100MW SC-70 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 17DB ~ 23dB 30V 20 Ma NPN 100 @ 1 MMA, 6V 550MHz 2dB ~ 5dB @ 100MHz
2SK2989(TPE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989 (TPE6, F, M) -
RFQ
 ECAD 8590 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SK2989 TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 1 5A (TJ)
2SA2070(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2070 (TE12L, F) 0.5400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 2SA2070 1 W PW-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1,000 50 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 200 MV a 10 mm, 300 Ma 200 @ 100 mapa, 2v -
2SA1163-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1163-BL, LF 0.3200
RFQ
 ECAD 6073 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1163 150 MW S-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 120 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 1 mapa, 10 ma 350 @ 2mA, 6V 100MHz
TPHR9003NL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9003NL1, LQ 1.5900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5.75) - 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 150A (TC) 4.5V, 10V 0.9mohm @ 50A, 10V 2.3V @ 1MA 74 NC @ 10 V ± 20V 6900 pf @ 15 V - 800MW (TA), 170W (TC)
2SC2655-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-O (TE6, F, M) -
RFQ
 ECAD 8083 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2655 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
HN2C01FU-GR(T5L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN2C01FU-Gr (T5L, F) 0.0865
RFQ
 ECAD 5142 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 HN2C01 200MW US6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 150 Ma 100NA (ICBO) 2 NPN (dual) 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 6V 80MHz
HN1A01FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FU-Gr, LF 0.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 HN1A01 200MW US6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 150 Ma 100NA (ICBO) 2 PNP (dual) 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 6V 80MHz
2SC5095-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5095-O (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 3191 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 2SC5095 100MW SC-70 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 13DB ~ 7dB 10V 15 Ma NPN 80 @ 7MA, 6V 10GHz 1.8db @ 2ghz
SSM6J207FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J207FE, LF 0.4200
RFQ
 ECAD 9048 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosii Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 Ssm6j207 Mosfet (Óxido de metal) ES6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 Canal P 30 V 1.4a (TA) 4V, 10V 251mohm @ 650mA, 10V 2.6V @ 1MA ± 20V 137 pf @ 15 V - 500MW (TA)
RN2904,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2904, LXHF (CT 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN2904 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47 kohms 47 kohms
CBS10S40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CBS10S40, L3F 0.4300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 2-smd, sin plomo CBS10S40 Schottky CST2B descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 1 A 150 µA @ 40 V 125 ° C (Máximo) 1A 120pf @ 0V, 1 MHz
RN1303(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1303 (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 4362 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 RN1303 100 MW SC-70 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 250 MHz 22 kohms 22 kohms
2SA1873-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1873-Gr (TE85L, F 0.3500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 2SA1873 200MW USV descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 150 Ma 100NA (ICBO) 2 Par de Parejas PNP (Dual), Emisor Común 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 6V 80MHz
TPH3R704PC,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R704PC, LQ 0.9900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn TPH3R704 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 82a (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 41a, 10v 2.4V @ 300 µA 47 NC @ 10 V ± 20V 3615 pf @ 20 V - 830MW (TA), 90W (TC)
SSM3J36FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J36FS, LF 0.2900
RFQ
 ECAD 479 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiii Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-75, SOT-416 SSM3J36 Mosfet (Óxido de metal) SSM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 330 mA (TA) 1.5V, 4.5V 1.31ohm @ 100 mm, 4.5V 1V @ 1MA 1.2 NC @ 4 V ± 8V 43 pf @ 10 V - 150MW (TA)
TK290A65Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK290A65Y, S4X 1.9600
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosv Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK290A65 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 11.5A (TC) 10V 290mohm @ 5.8a, 10V 4V @ 450 µA 25 NC @ 10 V ± 30V 730 pf @ 300 V - 35W (TC)
CMF01(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMF01 (TE12L, Q, M) -
RFQ
 ECAD 3559 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOD-128 CMF01 Estándar M-FLAT (2.4x3.8) - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2 V @ 2 A 100 ns 50 µA @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C 2A -
TPH1110ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage Tph1110enh, l1q 0.6941
RFQ
 ECAD 3205 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPH1110 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 200 V 7.2a (TA) 10V 114mohm @ 3.6a, 10v 4V @ 200 µA 7 NC @ 10 V ± 20V 600 pf @ 100 V - 1.6W (TA), 42W (TC)
2SA1869-Y,MTSAQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1869-Y, MTSAQ (J -
RFQ
 ECAD 6264 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SA1869 10 W Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 1 50 V 3 A 1 µA (ICBO) PNP 600mv @ 200Ma, 2a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
1SS404,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS404, H3F 0.2000
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 1SS404 Schottky USC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 450 MV @ 300 Ma 50 µA @ 20 V 125 ° C (Máximo) 300mA 46pf @ 0V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

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