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Productos de semiconductoros discretos (2909)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
TTA006B,Q(S Toshiba Semiconductor and Storage TTA006B, Q (S -
RFQ
 ECAD 1451 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Activo TTA006 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 250
TPC6104(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6104 (TE85L, F, M) -
RFQ
 ECAD 7275 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiii Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 TPC6104 Mosfet (Óxido de metal) VS-6 (2.9x2.8) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 5.5a (TA) 1.8V, 4.5V 40mohm @ 2.8a, 4.5V 1.2V @ 200 µA 19 NC @ 5 V ± 8V 1430 pf @ 10 V - 700MW (TA)
TK40A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK40A10N1, S4X 1.8500
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK40A10 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 40A (TC) 10V 8.2mohm @ 20a, 10v 4V @ 500 µA 49 NC @ 10 V ± 20V 3000 pf @ 50 V - 35W (TC)
RN1106MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV, L3F (CT 0.1800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-723 RN1106 150 MW Vesm descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 5 mA 80 @ 1 MMA, 5V 4.7 kohms 47 kohms
RN1905,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1905, LF -
RFQ
 ECAD 6546 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN1905 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2 kohms 47 kohms
TBC847B,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBC847B, LM 0.1600
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 TBC847 320 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 150 Ma 30NA (ICBO) NPN 400mv @ 100 mm, 5 ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
TK72E12N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK72E12N1, S1X 2.5300
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TK72E12 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 120 V 72a (TA) 10V 4.4mohm @ 36a, 10v 4V @ 1MA 130 NC @ 10 V ± 20V 8100 pf @ 60 V - 255W (TC)
SSM3J371R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J371R, LF 0.4700
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie SOT-23-3 Platos Platos SSM3J371 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 4A (TA) 1.5V, 4.5V 55mohm @ 3a, 4.5V 1V @ 1MA 10.4 NC @ 4.5 V +6V, -8V 630 pf @ 10 V - 1W (TA)
TK40P04M1(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK40P04M1 (T6RSS-Q) -
RFQ
 ECAD 8145 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi-H Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK40P04 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 40 V 40a (TA) 4.5V, 10V 11mohm @ 20a, 10v 2.3V @ 200 µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1920 pf @ 10 V - 47W (TC)
TK19A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK19A45D (STA4, Q, M) 3.6700
RFQ
 ECAD 2154 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvii Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK19A45 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 450 V 19a (TA) 10V 250mohm @ 9.5a, 10v 4V @ 1MA 45 NC @ 10 V ± 30V 2600 pf @ 25 V - 50W (TC)
TK6R7P06PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK6R7P06PL, RQ 0.9600
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK6R7P06 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 46a (TC) 4.5V, 10V 6.7mohm @ 23a, 10v 2.5V @ 300 µA 26 NC @ 10 V ± 20V 1990 pf @ 30 V - 66W (TC)
RN2111,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2111, LF (CT 0.2000
RFQ
 ECAD 6434 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 RN2111 100 MW SSM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 200 MHz 10 kohms
2SK3127(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3127 (TE24L, Q) -
RFQ
 ECAD 2581 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 2SK3127 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 45a (TA) 10V 12mohm @ 25A, 10V 3V @ 1MA 66 NC @ 10 V ± 20V 2300 pf @ 10 V - 65W (TC)
2SK3388(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3388 (TE24L, Q) -
RFQ
 ECAD 7495 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-97 2SK3388 Mosfet (Óxido de metal) 4-TFP (9.2x9.2) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 250 V 20A (TA) 10V 105mohm @ 10a, 10v 3.5V @ 1MA 100 NC @ 10 V ± 20V 4000 pf @ 10 V - 125W (TC)
1SS184S,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage 1SS184S, LF (D -
RFQ
 ECAD 3056 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 1SS184 Estándar S-Mini descascar 1 (ilimitado) 1SS184SLF (D EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Cátodo Común 80 V 100mA 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 500 na @ 80 V 125 ° C (Máximo)
2SC6040(TPF2,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6040 (TPF2, Q, M) -
RFQ
 ECAD 6660 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero SC-71 2SC6040 1 W MSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 800 V 1 A 100 µA (ICBO) NPN 1V @ 100 mm, 800 mA 60 @ 100mA, 5V -
TK20E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK20E60W, S1VX 5.3700
RFQ
 ECAD 1878 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TK20E60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 20A (TA) 10V 155mohm @ 10a, 10v 3.7V @ 1MA 48 NC @ 10 V ± 30V 1680 pf @ 300 V - 165W (TC)
1SS398TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS398TE85LF 0.5000
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 1SS398 Estándar S-Mini descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad Conexión de la Serie de 1 par 400 V 100mA 1.3 V @ 100 Ma 500 ns 100 na @ 400 V 125 ° C (Máximo)
2SJ438(CANO,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438 (Cano, Q, M) -
RFQ
 ECAD 8364 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SJ438 Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 5A (TJ)
TPH12008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH12008NH, L1Q 1.2500
RFQ
 ECAD 9998 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPH12008 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 80 V 24a (TC) 10V 12.3mohm @ 12a, 10v 4V @ 300 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 1900 pf @ 40 V - 1.6W (TA), 48W (TC)
RN2112ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2112ACT (TPL3) 0.0527
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-101, SOT-883 RN2112 100 MW CST3 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 Ma 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 150mv @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 22 kohms
CUS05S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS05S30, H3F 0.3100
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 CUS05S30 Schottky USC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 340 MV @ 100 Ma 150 µA @ 10 V 125 ° C (Máximo) 500mA 55pf @ 0V, 1 MHz
2SD2257(CANO,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257 (Cano, Q, M) -
RFQ
 ECAD 9887 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SD2257 2 W Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 100 V 3 A 10 µA (ICBO) NPN 1.5V @ 1.5MA, 1.5a 2000 @ 2a, 2v -
TK14G65W5,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK14G65W5, RQ 1.5362
RFQ
 ECAD 7882 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab TK14G65 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 13.7a (TA) 10V 300mohm @ 6.9a, 10V 4.5V @ 690 µA 40 NC @ 10 V ± 30V 1300 pf @ 300 V - 130W (TC)
TPC8113(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8113 (TE12L, Q) -
RFQ
 ECAD 9646 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) TPC8113 Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP (5.5x6.0) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 11a (TA) 4V, 10V 10mohm @ 5.5a, 10v 2v @ 1 mapa 107 NC @ 10 V ± 20V 4500 pf @ 10 V - 1W (TA)
TK50P03M1(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK50P03M1 (T6RSS-Q) -
RFQ
 ECAD 8706 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi-H Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK50P03 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 30 V 50A (TA) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 25A, 10V 2.3V @ 200 µA 25.3 NC @ 10 V ± 20V 1700 pf @ 10 V - 47W (TC)
CRS01(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS01 (TE85L, Q, M) 0.3900
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123F CRS01 Schottky S-FLAT (1.6x3.5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 360 MV @ 1 A 1.5 Ma @ 30 V -40 ° C ~ 125 ° C 1A 40pf @ 10V, 1 MHz
TPC8066-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8066-H, LQ (S -
RFQ
 ECAD 9428 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvii-H Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) TPC8066 Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 11a (TA) 4.5V, 10V 16mohm @ 5.5a, 10V 2.3V @ 100 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 1100 pf @ 10 V - 1W (TA)
TK4A55DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A55DA (STA4, Q, M) -
RFQ
 ECAD 7445 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvii Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK4A55 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 550 V 3.5a (TA) 10V 2.45ohm @ 1.8a, 10V 4.4V @ 1MA 9 NC @ 10 V ± 30V 380 pf @ 25 V - 30W (TC)
RN2903,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2903, LF (CT 0.2800
RFQ
 ECAD 3513 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN2903 200MW US6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 22 kohms 22 kohms
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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