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Productos de semiconductoros discretos (2909)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
CRS04(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage CRS04 (TE85L) -
RFQ
 ECAD 7404 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie SOD-123F CRS04 Schottky S-FLAT (1.6x3.5) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 510 MV @ 1 A 100 µA @ 40 V -40 ° C ~ 150 ° C 1A -
RN1609(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1609 (TE85L, F) 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-74, SOT-457 RN1609 300MW SM6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz 47 kohms 22 kohms
RN1604(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1604 (TE85L, F) 0.0618
RFQ
 ECAD 1849 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-74, SOT-457 RN1604 300MW SM6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 47 kohms 47 kohms
2SC2712-BL,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-BL, LXHF 0.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW S-Mini descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 350 @ 2mA, 6V 80MHz
HN1D04FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Hn1d04fute85lf -
RFQ
 ECAD 7995 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 HN1D04 Estándar US6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad Conexión de la Serie de 2 Pares 80 V 100mA 1.2 V @ 100 Ma 1.6 ns 500 na @ 80 V 150 ° C (Máximo)
RN1408,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1408, LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN1408 200 MW S-Mini descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 22 kohms 47 kohms
2SB1457(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1457 (T6cano, F, M -
RFQ
 ECAD 2882 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SB1457 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 1 100 V 2 A 10 µA (ICBO) PNP 1.5V @ 1MA, 1A 2000 @ 1a, 2v 50MHz
RN1114(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1114 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 5709 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 RN1114 100 MW SSM descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 1 kohms 10 kohms
RN1308,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1308, LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 RN1308 100 MW SC-70 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 22 kohms 47 kohms
RN1106CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1106CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 3304 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-101, SOT-883 RN1106 50 MW CST3 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 20 V 50 Ma 500NA NPN - Pre -Sesgado 150mv @ 250 µA, 5 mA 120 @ 10mA, 5V 4.7 kohms 47 kohms
RN2905FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905FE, LF (CT 0.2600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN2905 100MW ES6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 2.2 kohms 47 kohms
RN1406S,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage RN1406S, LF (D -
RFQ
 ECAD 5653 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN1406 200 MW S-Mini descascar 1 (ilimitado) RN1406SLF (D EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 47 kohms
CLH01(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH01 (TE16R, Q) -
RFQ
 ECAD 4207 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto Montaje en superficie L-FLAT ™ CLH01 Estándar L-FLAT ™ (4x5.5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 980 MV @ 3 A 35 ns 10 µA @ 200 V -40 ° C ~ 150 ° C 3A -
2SA1588-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1588-Y, LF 0.2300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 2SA1588 100 MW SC-70 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 120 @ 100mA, 1V 200MHz
2SD2257,KEHINQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257, Kehinq (J -
RFQ
 ECAD 4854 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SD2257 2 W Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 100 V 3 A 10 µA (ICBO) NPN 1.5V @ 1.5MA, 1.5a 2000 @ 2a, 2v -
SSM3J168F,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J168F, LXHF 0.4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101, U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) S-Mini descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 60 V 400 mA (TA) 4V, 10V 1.55ohm @ 200 MMA, 10V 2v @ 1 mapa 3 NC @ 10 V +10V, -20V 82 pf @ 10 V - 600MW (TA)
CMS01(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS01 (TE12L, Q, M) 0.6600
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 CMS01 Schottky M-FLAT (2.4x3.8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 370 MV @ 3 A 5 Ma @ 30 V -40 ° C ~ 125 ° C 3A -
TJ60S06M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S06M3L (T6L1, NQ 2.2100
RFQ
 ECAD 3396 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TJ60S06 Mosfet (Óxido de metal) DPAK+ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 60 V 60A (TA) 6V, 10V 11.2mohm @ 30a, 10v 3V @ 1MA 156 NC @ 10 V +10V, -20V 7760 pf @ 10 V - 100W (TC)
CRS03(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS03 (TE85L, Q, M) 0.3900
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123F CRS03 Schottky S-FLAT (1.6x3.5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 450 MV @ 1 A 100 µA @ 30 V -40 ° C ~ 150 ° C 1A 40pf @ 10V, 1 MHz
RN1704JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1704JE (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 116 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-553 RN1704 100MW ESV descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (Dual) (Emisor Junto) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 47 kohms 47 kohms
RN1105,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1105, LF (CT 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 RN1105 100 MW SSM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 2.2 kohms 47 kohms
2SA1943-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1943-O (Q) 2.9800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Banda Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A-3PL 2SA1943 150 W A-3P (L) descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable EAR99 8541.29.0075 100 230 V 15 A 5 µA (ICBO) PNP 3V @ 800mA, 8A 80 @ 1a, 5v 30MHz
TTA1713-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTA1713-Y, LF 0.3100
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 TTA1713 200 MW S-Mini descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 400mv @ 50 mA, 500 mA 120 @ 100mA, 1V 80MHz
2SA1162S-Y, LF(D Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162S-Y, LF (D -
RFQ
 ECAD 5535 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 125 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1162 150 MW S-Mini descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 120 @ 2mA, 6V 80MHz
RN1908(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1908 (T5L, F, T) 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN1908 200MW US6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 22 kohms 47 kohms
RN1413(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1413 (TE85L, F) 0.2900
RFQ
 ECAD 115 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN1413 200 MW S-Mini descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 250 MHz 47 kohms
RN1963FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1963FE (TE85L, F) 0.1000
RFQ
 ECAD 915 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN1963 100MW ES6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz 22 kohms 22 kohms
RN1601(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1601 (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 6159 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-74, SOT-457 RN1601 300MW SM6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7 kohms 4.7 kohms
2SA1680,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1680, F (J -
RFQ
 ECAD 4997 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SA1680 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mm, 1a 120 @ 100 mapa, 2v 100MHz
TPCL4201(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCL4201 (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 1167 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-xflga TPCL4201 Mosfet (Óxido de metal) 500MW LGA de 4 chips (1.59x1.59) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 2 Canales N (Medio Puente) - - - 1.2V @ 200 µA - 720pf @ 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

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