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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
BZT52C9V1K Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C9V1K 0.0474
RFQ
 ECAD 3922 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZT52C 200 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C9V1KTR EAR99 8541.10.0050 6,000 500 na @ 6 V 9.1 V 15 ohmios
BZX79B18 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B18 A0G -
RFQ
 ECAD 6104 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 100 Ma 12.6 Ma @ 50 MV 18 V 45 ohmios
BZD27C13P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C13P RTG -
RFQ
 ECAD 9291 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 2 µA @ 10 V 13.25 V 10 ohmios
ES1GL M2G Taiwan Semiconductor Corporation ES1GL M2G 0.0932
RFQ
 ECAD 2109 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB ES1G Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 1v, 1 MHz
RS1BHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Rs1bhr3g -
RFQ
 ECAD 6689 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA Rs1b Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
SF2004GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF2004GHC0G -
RFQ
 ECAD 7092 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 SF2004 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 975 MV @ 10 A 35 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A 80pf @ 4V, 1 MHz
MBRF30200CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRF30200CTH 1.4127
RFQ
 ECAD 1859 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA MBRF30200 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBRF30200CTH EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 30A 1.05 V @ 30 A 200 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
RS3KB-T Taiwan Semiconductor Corporation Rs3kb-t 0.1686
RFQ
 ECAD 4590 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-RS3KB-TTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.3 V @ 3 A 500 ns 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1 MHz
1N5402GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5402GHB0G -
RFQ
 ECAD 3187 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial 1N5402 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 v @ 3 a 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 25pf @ 4V, 1 MHz
HT15G Taiwan Semiconductor Corporation HT15G 0.0963
RFQ
 ECAD 5048 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero T-18, axial HT15 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
BZT52C4V3S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C4V3S RRG 0.0504
RFQ
 ECAD 9109 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 2.7 µA @ 1 V 4.3 V 90 ohmios
SFA805GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFA805GHC0G -
RFQ
 ECAD 5513 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 SFA805 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 V @ 8 A 35 ns 10 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 60pf @ 4V, 1MHz
TUAS8MH Taiwan Semiconductor Corporation Tuas8mh 0.2565
RFQ
 ECAD 9591 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Tuas8 Estándar SMPC4.6U descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-tuas8mhtr EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 8 a 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 54pf @ 4V, 1 MHz
TS35P06G Taiwan Semiconductor Corporation Ts35p06g 1.3743
RFQ
 ECAD 2865 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS35P06 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 800 V 35 A Fase única 800 V
RS2BA M2G Taiwan Semiconductor Corporation RS2BA M2G -
RFQ
 ECAD 3839 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA Rs2b Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 V @ 1.5 A 150 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 50pf @ 4V, 1 MHz
BAV99W RVG Taiwan Semiconductor Corporation BAV99W RVG -
RFQ
 ECAD 6094 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BAV99 Estándar Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad Conexión de la Serie de 1 par 85 V 150 Ma 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 1 µA @ 75 V 150 ° C (Máximo)
MTZJ5V6SA Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ5V6SA 0.0305
RFQ
 ECAD 7645 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial Mtzj5 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MTZJ5V6SATR EAR99 8541.10.0050 10,000 5 µA @ 2.5 V 5.6 V 60 ohmios
SK56B Taiwan Semiconductor Corporation Sk56b 0.1596
RFQ
 ECAD 4987 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Sk56 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 750 MV @ 5 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
2M160Z Taiwan Semiconductor Corporation 2M160Z 0.1565
RFQ
 ECAD 3441 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M160 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3,500 500 na @ 121.6 V 160 V 650 ohmios
BZD27C15PHRQG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c15phrqg -
RFQ
 ECAD 2512 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 11 V 14.7 V 10 ohmios
ES2DH Taiwan Semiconductor Corporation ES2DH 0.1470
RFQ
 ECAD 8165 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB ES2D Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 2 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 25pf @ 4V, 1 MHz
BZD27C33PHRTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c33phrtg -
RFQ
 ECAD 4062 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.06% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 24 V 33 V 15 ohmios
SF17G R1G Taiwan Semiconductor Corporation SF17G R1G -
RFQ
 ECAD 7127 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SF17 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.7 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 500 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
BZT52C68S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C68S 0.0396
RFQ
 ECAD 9657 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C68STR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 47.6 V 68 V 240 ohmios
MTZJ11SB R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ11SB R0G 0.0305
RFQ
 ECAD 9808 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial Mtzj11 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 8 V 10.78 V 30 ohmios
TSM900N10CH X0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N10CH X0G 0.9822
RFQ
 ECAD 2384 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak TSM900 Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 100 V 15A (TC) 4.5V, 10V 90mohm @ 5a, 10v 2.5V @ 250 µA 9.3 NC @ 10 V ± 20V 1480 pf @ 50 V - 50W (TC)
TSS70U Taiwan Semiconductor Corporation TSS70U 0.0925
RFQ
 ECAD 5739 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 0603 (1608 Métrica) TSS70 Schottky 0603 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSS70UTR EAR99 8541.10.0070 4.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 70 V 1 V @ 15 Ma 5 ns 100 na @ 25 V -65 ° C ~ 125 ° C 70 Ma 2pf @ 0V, 1 MHz
BZV55B8V2 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B8V2 L1G -
RFQ
 ECAD 2737 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 Bzv55b 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 100 Ma 100 na @ 6.2 V 8.2 V 7 ohmios
BZD27C6V8PHRQG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c6v8phrqg 0.0962
RFQ
 ECAD 9480 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 3 V 6.8 V 3 ohmios
ESH3CH Taiwan Semiconductor Corporation ESH3CH 0.2277
RFQ
 ECAD 9530 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-she3chtr EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 900 MV @ 3 A 20 ns 5 µA @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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