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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
HT15G A1G Taiwan Semiconductor Corporation Ht15g a1g -
RFQ
 ECAD 9550 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Descontinuado en sic A Través del Aguetero T-18, axial HT15 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
SS13LHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Ss13lhr3g -
RFQ
 ECAD 7264 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS13 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 500 MV @ 1 A 400 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
1N4754A B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4754A B0G -
RFQ
 ECAD 7889 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4754 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 5 µA @ 29.7 V 39 V 60 ohmios
BZD17C47P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C47P RFG -
RFQ
 ECAD 5183 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 36 V 47 V 45 ohmios
FR154GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation FR154GHA0G -
RFQ
 ECAD 8034 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial FR154 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1.5 A 150 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 20pf @ 4V, 1 MHz
RS1BL RHG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1bl rhg -
RFQ
 ECAD 3467 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB Rs1b Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
SS25HR5G Taiwan Semiconductor Corporation Ss25hr5g -
RFQ
 ECAD 9541 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB SS25 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 2 A 400 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
RS1ML RVG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1ml rvg 0.4100
RFQ
 ECAD 153 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB Rs1m Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 800 Ma 500 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
BZT55B16 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B16 L1G -
RFQ
 ECAD 2486 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZT55 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 10 Ma 100 na @ 12 V 16 V 40 ohmios
RS1KLSH Taiwan Semiconductor Corporation Rs1klsh 0.0666
RFQ
 ECAD 1519 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123H Rs1k Estándar Sod-123he descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-rs1klshtr EAR99 8541.10.0080 20,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.3 V @ 1.2 A 300 ns 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.2a -
HER205G Taiwan Semiconductor Corporation HER205G 0.1247
RFQ
 ECAD 5392 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial HER205 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 v @ 2 a 50 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 35pf @ 4V, 1MHz
TSM250N02CX Taiwan Semiconductor Corporation TSM250N02CX 0.2763
RFQ
 ECAD 4236 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 TSM250 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSM250N02CXTR EAR99 8541.29.0095 12,000 N-canal 20 V 5.8a (TC) 1.8V, 4.5V 25mohm @ 4a, 4.5V 0.8V @ 250 µA 7.7 NC @ 4.5 V ± 10V 535 pf @ 10 V - 1.56W (TC)
MUR4L60 B0G Taiwan Semiconductor Corporation MUR4L60 B0G -
RFQ
 ECAD 8700 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial MUR4L60 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.28 v @ 4 a 50 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 4A 65pf @ 4V, 1 MHz
SRA16100 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA16100 C0G -
RFQ
 ECAD 2774 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 SRA16100 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 920 MV @ 16 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
TSM4N60ECP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM4N60ECP ROG 1.1500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TSM4N60 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 4A (TC) 10V 2.5ohm @ 2a, 10v 5V @ 250 µA 12 NC @ 10 V ± 30V 545 pf @ 25 V - 86.2W (TC)
SFF10L08G Taiwan Semiconductor Corporation SFF10L08G 0.4119
RFQ
 ECAD 2929 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SFF10L08 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SFF10L08G EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 600 V 5A 1.7 V @ 5 A 35 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
S5J M6 Taiwan Semiconductor Corporation S5J M6 -
RFQ
 ECAD 3069 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-S5JM6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.15 v @ 5 a 1.5 µs 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 60pf @ 4V, 1MHz
TST20U60C Taiwan Semiconductor Corporation TST20U60C 2.6300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 TST20 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 630 MV @ 10 A 300 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
BZX79C5V6 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C5V6 A0G -
RFQ
 ECAD 2649 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 100 Ma 1 µA @ 2 V 5.6 V 40 ohmios
SS1H20LS Taiwan Semiconductor Corporation SS1H20LS 0.5100
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123H SS1H20 Schottky Sod-123he descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 850 MV @ 1 A 1 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SFS1604GH Taiwan Semiconductor Corporation SFS1604GH 0.8052
RFQ
 ECAD 2245 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SFS1604 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 975 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A 80pf @ 4V, 1 MHz
ES15GLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation ES15GLW RVG -
RFQ
 ECAD 4010 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W ES15 Estándar SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Es15glwrvg EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1.5 A 35 ns 1 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 21pf @ 4V, 1 MHz
RSFGL RFG Taiwan Semiconductor Corporation RSFGL RFG -
RFQ
 ECAD 9274 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RSFGL Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 500 Ma 150 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
BZX84C4V7 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C4V7 RFG 0.0511
RFQ
 ECAD 6151 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 2 V 4.7 V 80 ohmios
S5M Taiwan Semiconductor Corporation S5M 0.1724
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC S5M Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.5 µs 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 60pf @ 4V, 1MHz
UF1MHR1G Taiwan Semiconductor Corporation UF1MHR1G -
RFQ
 ECAD 4849 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial UF1M Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17PF @ 4V, 1MHz
1N5399GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5399GHB0G -
RFQ
 ECAD 7969 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 1N5399 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1 V @ 1.5 A 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 15pf @ 4V, 1 MHz
BZX55B47 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B47 0.0301
RFQ
 ECAD 9294 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX55B47TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 100 Ma 100 na @ 35 V 47 V 110 ohmios
UGF2006G Taiwan Semiconductor Corporation UGF2006G 0.6433
RFQ
 ECAD 8222 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA UGF2006 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 400 V 20A 1.25 V @ 10 A 20 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C
SF1608PTH Taiwan Semiconductor Corporation SF1608 PTH -
RFQ
 ECAD 4004 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO-247-3 SF1608 Estándar TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 8 A 35 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A 85pf @ 4V, 1 MHz
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