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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
MBR25100CT Taiwan Semiconductor Corporation MBR25100CT -
RFQ
 ECAD 5785 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-3 MBR25100 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 25A 920 MV @ 25 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
UF4002HR1G Taiwan Semiconductor Corporation UF4002HR1G -
RFQ
 ECAD 2450 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial UF4002 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17PF @ 4V, 1MHz
BAS40 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BAS40 RFG 0.3700
RFQ
 ECAD 210 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 Schottky Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 40 V 1 V @ 40 Ma 5 ns 200 na @ 40 V -65 ° C ~ 125 ° C 200 MMA 5PF @ 1V, 1MHz
TSM7N90CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM7N90CI C0G 2.7200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA TSM7N90 Mosfet (Óxido de metal) ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 900 V 7a (TC) 10V 1.9ohm @ 3.5a, 10v 4V @ 250 µA 49 NC @ 10 V ± 30V 1969 pf @ 25 V - 40.3W (TC)
ABS15M Taiwan Semiconductor Corporation ABS15M 0.1800
RFQ
 ECAD 5369 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota ABS15 Estándar Abdomenal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 1 V @ 1.5 A 5 µA @ 1000 V 1.5 A Fase única 1 kV
SR109HR0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr109hr0g -
RFQ
 ECAD 6685 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SR109 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 1 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SRT14 R0G Taiwan Semiconductor Corporation SRT14 R0G 0.0579
RFQ
 ECAD 2756 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero T-18, axial Srt14 Schottky TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 1 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
RSFMLHRHG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfmlhrhg -
RFQ
 ECAD 5511 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RSFML Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 500 Ma 500 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
US1K Taiwan Semiconductor Corporation US1K 0.0757
RFQ
 ECAD 8110 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA US1K Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
TPMR10J S1G Taiwan Semiconductor Corporation TPMR10J S1G 2.1500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN TPMR10 Estándar TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.8 V @ 10 A 40 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A 140pf @ 4V, 1MHz
BZY55B20 RYG Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55b20 ryg 0.0486
RFQ
 ECAD 1215 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 0805 (Métrica de 2012) Bzy55 500 MW 0805 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 15 V 20 V 55 ohmios
BAS85 L1 Taiwan Semiconductor Corporation BAS85 L1 -
RFQ
 ECAD 9079 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 Schottky Mini Melf - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado BAS85L1 EAR99 8541.10.0070 2.500 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 800 MV @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V 125 ° C (Máximo) 200 MMA 10pf @ 1v, 1 MHz
ES1GLHMQG Taiwan Semiconductor Corporation Es1glhmqg -
RFQ
 ECAD 7415 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB ES1G Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8PF @ 4V, 1MHz
SF67GH Taiwan Semiconductor Corporation SF67GH -
RFQ
 ECAD 5174 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Estándar Do-201ad - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SF67GHTR EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.7 v @ 6 a 35 ns 5 µA @ 500 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 50pf @ 4V, 1 MHz
UG1004G Taiwan Semiconductor Corporation UG1004G 0.5043
RFQ
 ECAD 1397 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 UG1004 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 10A 950 MV @ 5 A 22 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C
HS2B R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS2B R5G -
RFQ
 ECAD 4846 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB HS2B Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 v @ 2 a 50 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 50pf @ 4V, 1 MHz
ES1BLHRFG Taiwan Semiconductor Corporation Es1blhrfg -
RFQ
 ECAD 2162 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB ES1B Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
1N5249B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5249B 0.0271
RFQ
 ECAD 2274 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5249 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-1N5249BTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 14 V 19 V 23 ohmios
UGF2006GH Taiwan Semiconductor Corporation UGF2006GH 0.6996
RFQ
 ECAD 3347 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA UGF2006 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TUGF2006GH EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 400 V 20A 1.25 V @ 10 A 20 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C
HERF1601G C0G Taiwan Semiconductor Corporation Herf1601g C0G -
RFQ
 ECAD 3254 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA Herf1601 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 16A 1 v @ 8 a 50 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
RSFGL RUG Taiwan Semiconductor Corporation Alfombra RSFGL -
RFQ
 ECAD 4011 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RSFGL Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 500 Ma 150 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
SS34LHRQG Taiwan Semiconductor Corporation Ss34lhrqg -
RFQ
 ECAD 6639 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB Ss34 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 3 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
S2JAL Taiwan Semiconductor Corporation S2jal 0.4800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads S2J Estándar SMA Delgada - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 2 a 1 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 12PF @ 4V, 1MHz
S3JHR7G Taiwan Semiconductor Corporation S3jhr7g -
RFQ
 ECAD 3664 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S3J Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.15 v @ 3 a 1.5 µs 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1 MHz
TSS43L RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSS43L RWG -
RFQ
 ECAD 7705 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 1005 (2512 Métrica) TSS43 Schottky 1005 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 4.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 450 MV @ 15 Ma 5 ns 500 na @ 25 V -55 ° C ~ 125 ° C 200 MMA 10pf @ 1v, 1 MHz
SR4050PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr4050pthc0g -
RFQ
 ECAD 1087 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 SR4050 Schottky TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 40A 700 MV @ 20 A 1 ma @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
SRA2020HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA2020HC0G -
RFQ
 ECAD 5436 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 SRA2020 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 550 MV @ 20 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 20A -
ES1LJ Taiwan Semiconductor Corporation ES1LJ 0.0948
RFQ
 ECAD 1345 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA ES1L Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 18pf @ 4V, 1 MHz
HER151G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER151G A0G -
RFQ
 ECAD 2226 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial HER151 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1 V @ 1.5 A 50 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 35pf @ 4V, 1MHz
S10JC V7G Taiwan Semiconductor Corporation S10JC V7G 0.8100
RFQ
 ECAD 99 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S10J Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 10 a 1 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 60pf @ 4V, 1MHz
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