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Productos de semiconductoros discretos (6315)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C
VMM45-02F IXYS VMM45-02F 33.7817
RFQ
 ECAD 4322 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Caja Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis To40aa VMM45 Mosfet (Óxido de metal) 190W To40aa descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 6 2 Canal N (Dual) 200V 45a 45mohm @ 22.5a, 10V 4V @ 4MA 225nc @ 10V 7500pf @ 25V -
IXFC26N50P IXYS Ixfc26n50p -
RFQ
 ECAD 6595 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Polarht ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Isoplus220 ™ Ixfc26n50 Mosfet (Óxido de metal) Isoplus220 ™ descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 15A (TC) 10V 260mohm @ 13a, 10v 5.5V @ 4MA 65 NC @ 10 V ± 30V 3600 pf @ 25 V - 130W (TC)
IXTP42N25P IXYS Ixtp42n25p 5.0200
RFQ
 ECAD 299 0.00000000 Ixys Polar Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Ixtp42 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 250 V 42a (TC) 10V 84mohm @ 500 mA, 10V 5.5V @ 250 µA 70 NC @ 10 V ± 20V 2300 pf @ 25 V - 300W (TC)
IXTP06N120P IXYS Ixtp06n120p 4.9700
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Ixys Polar Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Ixtp06 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -IXTP06N120P EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 1200 V 600 mA (TC) 10V 32ohm @ 500 mA, 10V 4.5V @ 50 µA 13.3 NC @ 10 V ± 20V 270 pf @ 25 V - 42W (TC)
IXFA12N65X2 IXYS Ixfa12n65x2 4.3900
RFQ
 ECAD 204 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixfa12 Mosfet (Óxido de metal) TO-263AA (IXFA) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 12a (TC) 10V 310mohm @ 6a, 10v 5V @ 250 µA 18.5 NC @ 10 V ± 30V 1134 pf @ 25 V - 180W (TC)
IXFT40N30Q TR IXYS IXFT40N30Q TR -
RFQ
 ECAD 1309 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Ixft40 Mosfet (Óxido de metal) TO-268 (IXFT) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 300 V 40A (TC) 10V 85mohm @ 20a, 10v 4V @ 4MA 140 NC @ 10 V ± 20V 3560 pf @ 25 V - 300W (TC)
IXFP8N50PM IXYS Ixfp8n50pm -
RFQ
 ECAD 2046 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Polarht ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IXFP8N50 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 4.4a (TC) 10V 800mohm @ 4a, 10v 5.5V @ 1MA 20 NC @ 10 V ± 30V 1050 pf @ 25 V - 42W (TC)
IXTA75N10P IXYS Ixta75n10p 5.1900
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Ixys Polar Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixta75 Mosfet (Óxido de metal) Un 263AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 75A (TC) 10V 25mohm @ 500 mA, 10V 5.5V @ 250 µA 74 NC @ 10 V ± 20V 2250 pf @ 25 V - 360W (TC)
IXTA200N075T IXYS Ixta200n075t -
RFQ
 ECAD 6439 0.00000000 Ixys Trenchmv ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixta200 Mosfet (Óxido de metal) Un 263AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 75 V 200a (TC) 10V 5mohm @ 25A, 10V 4V @ 250 µA 160 NC @ 10 V ± 20V 6800 pf @ 25 V - 430W (TC)
IXFN38N100Q2 IXYS IXFN38N100Q2 48.3440
RFQ
 ECAD 5603 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Clase Q2 Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixfn38 Mosfet (Óxido de metal) Sot-227b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 1000 V 38a (TC) 10V 250mohm @ 19a, 10v 5V @ 8MA 250 nc @ 10 V ± 30V 7200 pf @ 25 V - 890W (TC)
DSI30-12AC IXYS DSI30-12ac -
RFQ
 ECAD 7749 0.00000000 Ixys - Tubo Activo A Través del Aguetero Isoplus220 ™ DSI30 Estándar Isoplus220 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.45 V @ 45 A 50 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C 30A -
IXFT40N85XHV IXYS IXFT40N85XHV 11.9465
RFQ
 ECAD 1796 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Ixft40 Mosfet (Óxido de metal) TO-268HV (IXFT) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 850 V 40A (TC) 10V 145mohm @ 500 mA, 10V 5.5V @ 4MA 98 NC @ 10 V ± 30V 3700 pf @ 25 V - 860W (TC)
CS8-08IO2 IXYS CS8-08IO2 -
RFQ
 ECAD 6128 0.00000000 Ixys - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Chasis, Soporte de semento TO-208AB, TO-64-3, Stud CS8 TO-64 descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 10 80 Ma 800 V 25 A 2.5 V 250a, 270a 30 Ma 1.6 V 16 A 3 MA Recuperación
MCMA120UJ1800ED IXYS MCMA120UJ1800ED 83.0200
RFQ
 ECAD 8422 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis E2 MCMA120 Puente, 3 Formas - SCR/Diodos descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 6 100 mA 1.8 kV 1.4 V 500a, 540a 70 Ma 3 scr, 3 diodos
IXTQ22N50P IXYS Ixtq22n50p 6.3000
RFQ
 ECAD 209 0.00000000 Ixys Polar Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq22 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 22a (TC) 10V 270mohm @ 11a, 10v 5.5V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 30V 2630 pf @ 25 V - 350W (TC)
MCK700-14IO1W IXYS MCK700-14IO1W -
RFQ
 ECAD 9896 0.00000000 Ixys - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis WC-500 MCK700 Cátodo Común: Todos SCRS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1 1.4 kV 1331 A 18200 @ 50MHz 700 A 2 SCRS
IXTR200N10P IXYS IXTR200N10P 16.3410
RFQ
 ECAD 7117 0.00000000 Ixys Polar Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixtr200 Mosfet (Óxido de metal) Isoplus247 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 100 V 120a (TC) 10V 8mohm @ 60a, 10v 5V @ 500 µA 235 NC @ 10 V ± 20V 7600 pf @ 25 V - 300W (TC)
IXFN26N90 IXYS Ixfn26n90 29.2860
RFQ
 ECAD 5958 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixfn26 Mosfet (Óxido de metal) Sot-227b descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado IXFN26N90-NDR EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 900 V 26a (TC) 10V 300mohm @ 13a, 10v 5V @ 8MA 240 NC @ 10 V ± 20V 10800 pf @ 25 V - 600W (TC)
IXFR32N50 IXYS IXFR32N50 -
RFQ
 ECAD 5374 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto IXFR32 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 -
IXTH24P20 IXYS Ixth24p20 12.2000
RFQ
 ECAD 470 0.00000000 Ixys - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXTH24 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 (IXTH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 Canal P 200 V 24a (TC) 10V 150mohm @ 500 mA, 10V 5V @ 250 µA 150 NC @ 10 V ± 20V 4200 pf @ 25 V - 300W (TC)
IXFH80N65X2-4 IXYS IXFH80N65X2-4 16.2800
RFQ
 ECAD 2016 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 Ixfh80 Mosfet (Óxido de metal) To-247-4l descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado -IXFH80N65X2-4 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 80a (TC) 10V 38mohm @ 500 mA, 10V 5V @ 4MA 140 NC @ 10 V ± 30V 8300 pf @ 25 V - 890W (TC)
IXTN550N055T2 IXYS Ixtn550n055t2 44.4100
RFQ
 ECAD 5859 0.00000000 Ixys Trencht2 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixtn550 Mosfet (Óxido de metal) Sot-227b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 623216 EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 55 V 550a (TC) 10V 1.3mohm @ 100a, 10v 4V @ 250 µA 595 NC @ 10 V ± 20V 40000 pf @ 25 V - 940W (TC)
VMM300-03F IXYS VMM300-03F -
RFQ
 ECAD 4646 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Caja Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Y3-DCB VMM300 Mosfet (Óxido de metal) 1500W Y3-DCB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2 2 Canal N (Dual) 300V 290a 8.6mohm @ 145a, 10v 4V @ 30mA 1440nc @ 10V 40000pf @ 25V -
DS9-08F IXYS DS9-08F -
RFQ
 ECAD 8402 0.00000000 Ixys - Caja Obsoleto Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento DS9 Estándar DO-203AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.4 V @ 36 A 3 Ma @ 800 V -40 ° C ~ 180 ° C 11A -
IXBX25N250 IXYS Ixbx25n250 44.2800
RFQ
 ECAD 9462 0.00000000 Ixys Bimosfet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Variatura a 247-3 Ixbx25 Estándar 300 W MÁS247 ™ -3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 621487 EAR99 8541.29.0095 30 - 1.6 µs - 2500 V 55 A 180 A 3.3V @ 15V, 25A - 103 NC -
IXTP80N075L2 IXYS Ixtp80n075l2 7.7400
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Ixys Linear L2 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Ixtp80 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -IXTP80N075L2 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 75 V 80a (TC) 10V 24mohm @ 40a, 10v 4.5V @ 250 µA 103 NC @ 10 V ± 20V 3600 pf @ 25 V - 357W (TC)
DSA2I100SB IXYS DSA2I100SB -
RFQ
 ECAD 9182 0.00000000 Ixys - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB Dsa2i100 Schottky SMB (DO-214AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 790 MV @ 2 A 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 2A -
VHFD37-16IO1 IXYS VHFD37-16IO1 39.9500
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis V1a-pak VHFD37 Puente, solo Fase - SCR/Diodos (Diseño 1) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 24 100 mA 1.6 kV 1 V 320a, 350a 65 Ma 36 A 2 scr, 4 diodos
CLE20E1200PC-TUB IXYS Cle20e1200pc-tub 3.5770
RFQ
 ECAD 5061 0.00000000 Ixys Cle20e1200pc Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Cle20 TO-263 (D2PAK) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-CLE20E1200PC-TUB EAR99 8541.30.0080 50 50 Ma 1.2 kV 35 A 1.5 V 160a, 175a 40 Ma 1.54 V 20 A Recuperación
W1032LC500 IXYS W1032LC500 -
RFQ
 ECAD 8516 0.00000000 Ixys - Caja Descontinuado en sic Apretar Do-200ab, B-PUK W1032 Estándar W4 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-W1032LC500 EAR99 8541.10.0080 12 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 5000 V 2.7 V @ 2420 A 30 µs 30 mA @ 5000 V -40 ° C ~ 150 ° C 1032a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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