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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI7794DP-T1-GE3 | - |  | 6198 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®, Trenchfet® Gen III | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7794 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 28.6a (TA), 60A (TC) | 4.5V, 10V | 3.4mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 2520 pf @ 15 V | Diodo Schottky (Cuerpo) | 5W (TA), 48W (TC) | |||||
 | Sis822dnt-t1-ge3 | 0.1157 | | 5737 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS822 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 24mohm @ 7.8a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 435 pf @ 15 V | - | 15.6W (TC) | ||||||
 | IRFBC40LC | - | | 5430 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFBC40 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFBC40LC | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||
 | SI9933CDY-T1-GE3 | 0.6300 | | 7707 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si9933 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 4A | 58mohm @ 4.8a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 26nc @ 10V | 665pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | SI1402DH-T1-E3 | - | | 6775 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1402 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 2.7a (TA) | 2.5V, 4.5V | 77mohm @ 3a, 4.5V | 1.6V @ 250 µA | 4.5 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 950MW (TA) | |||||
| Si9424bdy-t1-ge3 | - | | 1114 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si9424 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 20 V | 5.6a (TA) | 2.5V, 4.5V | 25mohm @ 7.1a, 4.5V | 850MV @ 250 µA | 40 NC @ 4.5 V | ± 9V | - | 1.25W (TA) | |||||
| Sir468DP-T1-GE3 | - | | 1595 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir468 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 1720 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 50W (TC) | |||||
 | Irf730astrr | - | | 8760 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF730 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 400 V | 5.5a (TC) | 10V | 1ohm @ 3.3a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 30V | 600 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | |||||
| Irfz20pbf | 1.9000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Irfz20 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 50 V | 15A (TC) | 10V | 100mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 850 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||
 | SQJ416EP-T1_BE3 | 0.9900 | | 9202 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-sqj416ep-t1_be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 27a (TC) | 10V | 30mohm @ 10a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 800 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | ||||||
 | Sum09N20-270-E3 | - | | 5114 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum09 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 9A (TC) | 6V, 10V | 270mohm @ 5a, 10v | 4V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 580 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 60W (TC) | ||||
 | Sija54dp-t1-ge3 | 1.1100 | | 3271 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sija54 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.35mohm @ 15a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 104 NC @ 10 V | +20V, -16V | 5300 pf @ 20 V | - | 36.7W (TC) | |||||
 | IRFR320TRR | - | | 7301 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR320 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 400 V | 3.1a (TC) | 10V | 1.8ohm @ 1.9a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
 | SI7234DP-T1-GE3 | 2.9500 | | 24 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7234 | Mosfet (Óxido de metal) | 46W | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 12V | 60A | 3.4mohm @ 20a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 120NC @ 10V | 5000PF @ 6V | - | |||||||
| Si4933dy-t1-ge3 | - | | 1767 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4933 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 12V | 7.4a | 14mohm @ 9.8a, 4.5V | 1V @ 500 µA | 70NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI1300BDL-T1-GE3 | - | | 2563 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Si1300 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 400 mA (TC) | 2.5V, 4.5V | 850mohm @ 250 mA, 4.5V | 1V @ 250 µA | 0.84 NC @ 4.5 V | ± 8V | 35 pf @ 10 V | - | 190MW (TA), 200MW (TC) | ||||
 | SI2316DS-T1-GE3 | 0.2741 | | 2054 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2316 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 2.9a (TA) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 3.4a, 10V | 800MV @ 250 µA (min) | 7 NC @ 10 V | ± 20V | 215 pf @ 15 V | - | 700MW (TA) | ||||
| SI4398DY-T1-GE3 | - | | 3490 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4398 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 20 V | 19a (TA) | 4.5V, 10V | 2.8mohm @ 25A, 10V | 3V @ 250 µA | 50 NC @ 4.5 V | ± 20V | 5620 pf @ 10 V | - | 1.6w (TA) | ||||
| IRL630StrrPBF | 2.6300 | | 4300 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL630 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 9A (TC) | 4V, 5V | 400mohm @ 5.4a, 5V | 2V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 10V | 1100 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||||
 | SQ3426AEEV-T1_GE3 | 0.7000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | SQ3426 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 7a (TC) | 4.5V, 10V | 42mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 12 NC @ 4.5 V | ± 20V | 700 pf @ 30 V | - | 5W (TC) | |||||
| SIHB12N60ET5-GE3 | 1.2311 | | 2141 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB12 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 58 NC @ 10 V | ± 30V | 937 pf @ 100 V | - | 147W (TC) | ||||||
| SIS780DN-T1-GE3 | 0.6800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS780 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 18a (TC) | 4.5V, 10V | 13.5mohm @ 15a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 24.5 NC @ 10 V | ± 20V | 722 pf @ 15 V | Diodo Schottky (Cuerpo) | 27.7W (TC) | ||||||
| IRFR020PBF | - | | 6937 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR020 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 14a (TC) | 10V | 100mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
| IRFR120TRR | - | | 5398 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR120 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 7.7a (TC) | 10V | 270mohm @ 4.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
 | SI7718DN-T1-GE3 | - | | 2744 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7718 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 15 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | ||||
 | Ircz24pbf | - | | 4824 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-5 | IRCZ24 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Ircz24pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 17a (TC) | 10V | 100mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 720 pf @ 25 V | Detección real | 60W (TC) | |||
| SiJ482DP-T1-GE3 | 1.8000 | | 1441 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SiJ482 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 6.2mohm @ 20a, 10v | 2.7V @ 250 µA | 71 NC @ 10 V | ± 20V | 2425 pf @ 40 V | - | 5W (TA), 69.4W (TC) | |||||
 | SI5402BDC-T1-E3 | - | | 5003 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5402 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 4.9a (TA) | 4.5V, 10V | 35mohm @ 4.9a, 10V | 3V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.3W (TA) | |||||
| SI2325DS-T1-GE3 | 1.0000 | | 2399 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2325 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 150 V | 530 mA (TA) | 6V, 10V | 1.2ohm @ 500 mA, 10V | 4.5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 510 pf @ 25 V | - | 750MW (TA) | ||||
 | Irfi520g | - | | 4610 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi520 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfi520g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 7.2a (TC) | 10V | 270mohm @ 4.3a, 10V | 4V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 37W (TC) |
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