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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI1051X-T1-E3 | - |  | 1729 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | SI1051 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 1.2a (TA) | 1.5V, 4.5V | 122mohm @ 1.2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 9.45 NC @ 5 V | ± 5V | 560 pf @ 4 V | - | 236MW (TA) | ||||
 | SIB415DK-T1-GE3 | - | | 8305 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-75-6 | SIB415 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-75-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 9A (TC) | 4.5V, 10V | 87mohm @ 4.17a, 10V | 3V @ 250 µA | 10.05 NC @ 10 V | ± 20V | 295 pf @ 15 V | - | 2.4W (TA), 13W (TC) | ||||
 | SIDR626EP-T1-RE3 | 3.3300 | | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8DC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 50.8a (TA), 227a (TC) | 7.5V, 10V | 1.74mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 102 NC @ 10 V | ± 20V | 5130 pf @ 30 V | - | 7.5W (TA), 150W (TC) | ||||||
 | SUM90N04-3M3P-E3 | - | | 7133 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum90 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 3.3mohm @ 22a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 131 NC @ 10 V | ± 20V | 5286 pf @ 20 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||||
 | SUD90330E-GE3 | 1.5800 | | 4299 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud90330 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 200 V | 35.8a (TC) | 7.5V, 10V | 37.5mohm @ 12.2a, 10V | 4V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 1172 pf @ 100 V | - | 125W (TC) | |||||
 | Irf840strl | - | | 4531 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF840 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SIRA24DP-T1-GE3 | 0.8700 | | 219 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira24 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 1.4mohm @ 15a, 10v | 2.1V @ 250 µA | 26 NC @ 4.5 V | +20V, -16V | 2650 pf @ 10 V | - | 62.5W (TC) | |||||
 | Si4967dy-t1-ge3 | - | | 4697 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4967 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 12V | - | 23mohm @ 7.5a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 55nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| SI4418DY-T1-E3 | - | | 6811 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4418 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 200 V | 2.3a (TA) | 6V, 10V | 130mohm @ 3a, 10v | 4V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | |||||
| SQM40031EL_GE3 | 2.9200 | | 8142 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SQM40031 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 40 V | 120a (TC) | 4.5V, 10V | 3mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 800 NC @ 10 V | ± 20V | 39000 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | |||||
 | SI3483DV-T1-GE3 | - | | 9139 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3483 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 4.7a (TA) | 4.5V, 10V | 35mohm @ 6.2a, 10v | 3V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.14W (TA) | |||||
| IRL540Strr | - | | 8780 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL540 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 28a (TC) | 4V, 5V | 77mohm @ 17a, 5V | 2V @ 250 µA | 64 NC @ 5 V | ± 10V | 2200 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | |||||
 | SiHG25N40D-GE3 | 3.7000 | | 220 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg25 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 400 V | 25A (TC) | 10V | 170mohm @ 13a, 10v | 5V @ 250 µA | 88 NC @ 10 V | ± 30V | 1707 pf @ 100 V | - | 278W (TC) | |||||
| SiHG22N50D-E3 | 3.9700 | | 3200 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SiHG22 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 V | 22a (TC) | 10V | 230mohm @ 11a, 10v | 5V @ 250 µA | 98 NC @ 10 V | ± 30V | 1938 pf @ 100 V | - | 312W (TC) | |||||
 | SIA850DJ-T1-GE3 | - | | 1490 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA850 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 190 V | 950MA (TC) | 1.8V, 4.5V | 3.8ohm @ 360 mm, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 4.5 NC @ 10 V | ± 16V | 90 pf @ 100 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.9W (TA), 7W (TC) | ||||
 | SI1473DH-T1-GE3 | - | | 9268 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1473 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 2.7a (TC) | 4.5V, 10V | 100mohm @ 2a, 10v | 3V @ 250 µA | 6.2 NC @ 4.5 V | ± 20V | 365 pf @ 15 V | - | 1.5W (TA), 2.78W (TC) | ||||
 | SQJ402EP-T1_GE3 | 1.5900 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj402 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 32A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 2289 pf @ 40 V | - | 83W (TC) | |||||
 | SiHA12N50E-E3 | 1.8900 | | 8336 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Siha12 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 10.5a (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 50 NC @ 10 V | ± 30V | 886 pf @ 100 V | - | 32W (TC) | |||||
 | SIDR392DP-T1-GE3 | 2.7200 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SIDR392 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8DC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 82a (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 0.62mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 188 NC @ 10 V | +20V, -16V | 9530 pf @ 15 V | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | |||||
 | SISS42DN-T1-GE3 | 0.6825 | | 5178 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | SISS42 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 11.8a (TA), 40.5a (TC) | 7.5V, 10V | 14.4mohm @ 15a, 10v | 3.4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1850 pf @ 50 V | - | 4.8W (TA), 57W (TC) | |||||
 | SI5509DC-T1-GE3 | - | | 3837 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5509 | Mosfet (Óxido de metal) | 4.5w | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 6.1a, 4.8a | 52mohm @ 5a, 4.5V | 2V @ 250 µA | 6.6nc @ 5V | 455pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| Irfpg40pbf | 5.7000 | | 68 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFPG40 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfpg40pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 1000 V | 4.3a (TC) | 10V | 3.5ohm @ 2.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||
| Sum40012el-ge3 | 2.7300 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum40012 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 150A (TC) | 4.5V, 10V | 1.67mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 195 NC @ 10 V | ± 20V | 10930 pf @ 20 V | - | 150W (TC) | |||||
| IRFP264 | - | | 1336 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP264 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFP264 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 250 V | 38a (TC) | 10V | 75mohm @ 23a, 10v | 4V @ 250 µA | 210 NC @ 10 V | ± 20V | 5400 pf @ 25 V | - | 280W (TC) | |||
| IRF710S | - | | 9972 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF710 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF710S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 2a (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 36W (TC) | |||
 | SIE882DF-T1-GE3 | 2.5100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 10-polarpak® (l) | SIE882 | Mosfet (Óxido de metal) | 10-polarpak® (l) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 1.4mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 145 NC @ 10 V | ± 20V | 6400 pf @ 12.5 V | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | |||||
| Irf840atrl | - | | 4537 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF840 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 1018 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
| IRL630SPBF | 2.6300 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL630 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRL630SPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 9A (TC) | 4V, 5V | 400mohm @ 5.4a, 5V | 2V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 10V | 1100 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
 | SIS406DN-T1-GE3 | 0.8100 | | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS406 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 9a (TA) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 12a, 10v | 3V @ 250 µA | 28 NC @ 10 V | ± 25V | 1100 pf @ 15 V | - | 1.5W (TA) | |||||
| IRF624S | - | | 8769 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF624 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF624S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 V | 4.4a (TC) | 10V | 1.1ohm @ 2.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) |
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