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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI6562CDQ-T1-BE3 | 1.0200 |  | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6562 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1W (TA), 1.6W (TC), 1.2W (TA), 1.7W (TC) | 8-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SI6562CDQ-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 5.7a (TA), 6.7a (TC), 5.1a (TA), 6.1a (TC) | 22mohm @ 5.7a, 4.5V, 30mohm @ 5.1a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 23nc @ 10V, 51nc @ 10V | 850pf @ 10V, 1200pf @ 10V | - | ||||||||||
 | SQ4182EY-T1_GE3 | 1.6500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sq4182 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 32A (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 14a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 5400 pf @ 15 V | - | 7.1W (TC) | |||||||||
 | 2N5547JTXV01 | - | | 3922 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | Un 71-6 | 2N5547 | TO-71 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | |||||||||||||||||
 | SIA413ADJ-T1-GE3 | 0.9200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA413 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 Single | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 12a (TC) | 1.5V, 4.5V | 29mohm @ 6.7a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 57 NC @ 8 V | ± 8V | 1800 pf @ 10 V | - | 19W (TC) | |||||||||
| SIR690DP-T1-RE3 | 0.7316 | | 3012 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir690 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 V | 34.4a (TC) | 7.5V, 10V | 35mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 48 NC @ 10 V | ± 20V | 1935 pf @ 100 V | - | 104W (TC) | |||||||||
 | Si4886dy-t1-e3 | - | | 5268 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4886 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 9.5a (TA) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 13a, 10v | 800mv @ 250 µA (min) | 20 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.56W (TA) | ||||||||
 | SI8821EDB-T2-E1 | 0.4800 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | Si8821 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-microfoot | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 1.6a (TA) | 2.5V, 4.5V | 135mohm @ 1a, 4.5V | 1.3V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 12V | 440 pf @ 15 V | - | 500MW (TA) | |||||||
 | SQM25N15-52_GE3 | 1.4674 | | 2819 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SQM25 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 150 V | 25A (TC) | 10V | 52mohm @ 15a, 10v | 4V @ 250 µA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 2360 pf @ 25 V | - | 107W (TC) | |||||||||
 | IRFR210TRLPBF-BE3 | 1.1700 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR210 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRFR210TRLPBF-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 V | 2.6a (TC) | 1.5ohm @ 1.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||||||
| SQD35N05-26L-GE3 | - | | 7356 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sqd35n | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 55 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 18 NC @ 5 V | ± 20V | 1175 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||
| SUD50N02-09P-E3 | - | | 9366 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 20 V | 20A (TA) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 16 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1300 pf @ 10 V | - | 6.5W (TA), 39.5W (TC) | |||||||
| U441-E3 | - | | 1468 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 71-6 | U441 | 500 MW | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 200 | 2 Canal N (Dual) | 3pf @ 10V | 25 V | 6 Ma @ 10 V | 1 v @ 1 na | |||||||||||||
 | Sir167DP-T1-GE3 | 1.0500 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir167 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 111 NC @ 10 V | ± 25V | 4380 pf @ 15 V | - | 65.8W (TC) | ||||||||
| SQS140ELNW-T1_GE3 | 1.1400 | | 4697 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Geniv | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte de superficie, Flanco Humectable | Powerpak® 1212-8SLW | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8SLW | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 3.000 | N-canal | 40 V | 153A (TC) | 4.5V, 10V | 2.53mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 4051 pf @ 25 V | - | 119W (TC) | |||||||||||
| SI4943CDY-T1-GE3 | 1.7000 | | 6726 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4943 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 8A | 19.2mohm @ 8.3a, 10v | 3V @ 250 µA | 62NC @ 10V | 1945pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||
 | SiHF530-GE3 | - | | 1771 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SIHF530 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 14a (TC) | 10V | 160mohm @ 8.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 26 NC @ 10 V | ± 20V | 670 pf @ 25 V | - | 88W (TC) | ||||||||
 | SI6562DQ-T1-E3 | - | | 7113 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6562 | Mosfet (Óxido de metal) | 1W | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | - | 30mohm @ 4.5a, 4.5V | 600mV @ 250 µA (min) | 25NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||
 | SI3441BDV-T1-GE3 | - | | 4470 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3441 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2.45a (TA) | 2.5V, 4.5V | 90mohm @ 3.3a, 4.5V | 850MV @ 250 µA | 8 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 860MW (TA) | ||||||||
 | Irfib6n60a | - | | 1946 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfib6 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfib6n60a | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 5.5a (TC) | 10V | 750mohm @ 3.3a, 10V | 4V @ 250 µA | 49 NC @ 10 V | ± 30V | 1400 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | ||||||
| SI4542DY-T1-GE3 | - | | 8855 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4542 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 30V | - | 25mohm @ 6.9a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 50nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||
 | Sq7414aen-t1_be3 | - | | 6320 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Sq7414 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | 742-sq7414aen-t1_be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 26mohm @ 5.7a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 980 pf @ 30 V | - | 62W (TC) | |||||||||
 | 3N163-2 | - | | 5994 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN | 3N163 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-72 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 20 | Canal P | 40 V | 50 mA (TA) | 20V | 250ohm @ 100 µA, 20V | 5V @ 10 µA | ± 30V | 3.5 pf @ 15 V | - | 375MW (TA) | ||||||||
 | Siha105n60ef-ge3 | 3.7600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Siha105 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 102mohm @ 13a, 10v | 5V @ 250 µA | 53 NC @ 10 V | ± 30V | 1804 pf @ 100 V | - | 35W (TC) | ||||||||
 | SI1037X-T1-GE3 | - | | 8544 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | SI1037 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 770MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 195mohm @ 770 mm, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 5.5 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 170MW (TA) | ||||||||
| SI7720DN-T1-GE3 | 0.9072 | | 7889 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SI7720 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 12.5mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 1790 pf @ 15 V | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | ||||||||
| VQ1006P-2 | - | | 5878 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | - | VQ1006 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 14 DIPP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 4 Canal N | 90V | 400mA | 4.5ohm @ 1a, 10v | 2.5V @ 1MA | - | 60pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||
 | SIHK155N60EF-T1GE3 | 5.4300 | | 4843 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerBSFN | SiHK155 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak®10 x 12 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 600 V | 18a (TC) | 10V | 52mohm @ 10a, 10v | 5V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1465 pf @ 100 V | - | 156W (TC) | |||||||||
| SIA468DJ-T1-GE3 | 0.6600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA468 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 37.8a (TC) | 4.5V, 10V | 8.4mohm @ 11a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 16 NC @ 4.5 V | +20V, -16V | 1290 pf @ 15 V | - | 19W (TC) | ||||||||
| Sir812dp-t1-ge3 | - | | 5450 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir812 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 1.45mohm @ 20a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 335 NC @ 10 V | ± 20V | 10240 pf @ 15 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | ||||||||
| SQM120N04-1M9_GE3 | 2.1090 | | 2922 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sqm120 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 120a (TC) | 10V | 1.9mohm @ 30a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 270 NC @ 10 V | ± 20V | 8790 pf @ 25 V | - | 300W (TC) |
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