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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFP460LCPBF | 5.3900 |  | 19 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP460 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRFP460LCPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 500 V | 20A (TC) | 10V | 270mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 30V | 3600 pf @ 25 V | - | 280W (TC) | ||||
 | SI1499DH-T1-GE3 | 0.6700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1499 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 1.6a (TC) | 1.2V, 4.5V | 78mohm @ 2a, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 16 NC @ 4.5 V | ± 5V | 650 pf @ 4 V | - | 2.5W (TA), 2.78W (TC) | ||||
 | IRFL9014TRPBF-BE3 | 0.9300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Irfl9014 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 60 V | 1.8a (TC) | 10V | 500mohm @ 1.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | ||||||
 | IRF740A | - | | 6797 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF740 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF740A | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 36 NC @ 10 V | ± 30V | 1030 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||
 | SIA425EDJ-T1-GE3 | - | | 2797 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA425 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4.5A (TC) | 1.8V, 4.5V | 60mohm @ 4.2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | ± 12V | - | 2.9W (TA), 15.6W (TC) | |||||||
 | Sish625dn-t1-ge3 | 0.6300 | | 8685 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8SH | Sish625 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8SH | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 17.3a (TA), 35A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 126 NC @ 10 V | ± 20V | 4427 pf @ 15 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SI7461DP-T1-GE3 | 2.4000 | | 6795 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7461 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 8.6a (TA) | 4.5V, 10V | 14.5mohm @ 14.4a, 10v | 3V @ 250 µA | 190 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
| SiHG35N60E-GE3 | 6.6700 | | 4693 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SiHG35 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 32A (TC) | 10V | 94mohm @ 17a, 10v | 4V @ 250 µA | 132 NC @ 10 V | ± 30V | 2760 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||
 | Si444448dy-t1-e3 | - | | 6508 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4448 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 12 V | 50A (TC) | 1.8V, 4.5V | 1.7mohm @ 20a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 150 NC @ 4.5 V | ± 8V | 12350 pf @ 6 V | - | 3.5W (TA), 7.8W (TC) | ||||
| SI4922BDY-T1-E3 | 1.6000 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4922 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 8A | 16mohm @ 5a, 10v | 1.8V @ 250 µA | 62NC @ 10V | 2070pf @ 15V | - | |||||||
 | SUM27N20-78-E3 | - | | 4642 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum27 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 27a (TC) | 6V, 10V | 78mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 2150 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 150W (TC) | ||||
 | SI3458BDV-T1-E3 | 0.9100 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3458 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 4.1a (TC) | 4.5V, 10V | 100mohm @ 3.2a, 10v | 3V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 30 V | - | 2W (TA), 3.3W (TC) | |||||
| Sir464DP-T1-GE3 | 1.4200 | | 475 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir464 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 3.1mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 3545 pf @ 15 V | - | 5.2W (TA), 69W (TC) | |||||
 | SI5479DU-T1-GE3 | - | | 4442 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® chipfet ™ single | Si5479 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® chipfet ™ single | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 16a (TC) | 1.8V, 4.5V | 21mohm @ 6.9a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 51 NC @ 8 V | ± 8V | 1810 pf @ 6 V | - | 3.1W (TA), 17.8W (TC) | ||||
 | SI6966EDQ-T1-GE3 | - | | 6456 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6966 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.25W | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | - | 30mohm @ 5.2a, 4.5V | 600mV @ 250 µA (min) | 25NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | Irfi9520g | - | | 1099 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi9520 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfi9520g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 100 V | 5.2a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 390 pf @ 25 V | - | 37W (TC) | |||
 | SIA811AdJ-T1-GE3 | 0.5500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA811 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4.5A (TC) | 1.8V, 4.5V | 116mohm @ 2.8a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 13 NC @ 8 V | ± 8V | 345 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.8W (TA), 6.5W (TC) | |||||
| SI7440DP-T1-GE3 | - | | 2964 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7440 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 12a (TA) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 21a, 10v | 3V @ 250 µA | 35 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | |||||
| IRF9540 | - | | 6306 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF9540 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF9540 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 100 V | 19a (TC) | 10V | 200mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 61 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||
| SI3983DV-T1-E3 | - | | 5709 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3983 | Mosfet (Óxido de metal) | 830MW | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 2.1a | 110mohm @ 2.5a, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 7.5nc @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | Siz902dt-t1-ge3 | 1.4900 | | 6870 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Siz902 | Mosfet (Óxido de metal) | 29W, 66W | 8PowerPair® (6x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 16A | 12mohm @ 13.8a, 10V | 2.2V @ 250 µA | 21NC @ 10V | 790pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | SIF902EDZ-T1-E3 | - | | 5291 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 2x5 | SIF902 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.6w | Powerpak® (2x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canales (dual) Drenaje Común | 20V | 7A | 22mohm @ 7a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 14NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| Si444446dy-t1-ge3 | - | | 1502 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4446 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 3.9a (TA) | 4.5V, 10V | 40mohm @ 5.2a, 10V | 1.6V @ 250 µA | 12 NC @ 4.5 V | ± 12V | 700 pf @ 20 V | - | 1.1W (TA) | ||||
 | IRFRC20PBF | 1.2900 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFRC20 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 600 V | 2a (TC) | 10V | 4.4ohm @ 1.2a, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | SIB488DK-T1-GE3 | - | | 8407 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-75-6 | SIB488 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-75-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 12 V | 9A (TC) | 1.8V, 4.5V | 20mohm @ 6.3a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 20 NC @ 8 V | ± 8V | 725 pf @ 6 V | - | 2.4W (TA), 13W (TC) | |||||
 | IRF9510S | - | | 4604 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9510 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF9510S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 100 V | 4A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.7 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | |||
| IRF820Strr | - | | 2066 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF820 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 500 V | 2.5A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||
| IRF720 | - | | 4275 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF720 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF720 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 400 V | 3.3a (TC) | 10V | 1.8ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 410 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||
| SI1401EDH-T1-BE3 | 0.4100 | | 4662 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1401 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 742-SI1401EDH-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 4A (TA), 4A (TC) | 34mohm @ 5.5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 36 NC @ 8 V | ± 10V | - | 1.6W (TA), 2.8W (TC) | ||||||
| IRF9Z34PBF | 1.8300 | | 745 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF9Z34 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irf9z34pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 60 V | 18a (TC) | 10V | 140mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 25 V | - | 88W (TC) |
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