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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQJ459EP-T1_GE3 | 1.4600 |  | 1721 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SQJ459 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 52a (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 3.5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 108 NC @ 10 V | ± 20V | 4586 pf @ 30 V | - | 83W (TC) | |||||
 | SI4814BDY-T1-E3 | - | | 2310 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4814 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.3W, 3.5W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 10a, 10.5a | 18mohm @ 10a, 10v | 3V @ 250 µA | 10NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SiHG33N60E-E3 | 4.1309 | | 3921 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SiHG33 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 33A (TC) | 10V | 99mohm @ 16.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 30V | 3508 pf @ 100 V | - | 278W (TC) | ||||||
 | SiHG085N60EF-GE3 | 6.5600 | | 2537 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg085 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHG085N60EF-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 34a (TC) | 10V | 84mohm @ 17a, 10v | 5V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 30V | 2733 pf @ 100 V | - | 184W (TC) | ||||
 | SIA483DJ-T1-GE3 | 0.5100 | | 118 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA483 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 21mohm @ 5a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 1550 pf @ 15 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||
 | SI7216DN-T1-GE3 | 1.6600 | | 7698 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7216 | Mosfet (Óxido de metal) | 20.8w | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 6A | 32mohm @ 5a, 10v | 3V @ 250 µA | 19NC @ 10V | 670pf @ 20V | - | |||||||
 | SI1011X-T1-GE3 | - | | 8257 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | SI1011 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-89-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 480MA (TA) | 1.2V, 4.5V | 640MOHM @ 400MA, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 4 NC @ 4.5 V | ± 5V | 62 pf @ 6 V | - | 190MW (TA) | ||||
 | Si233333dds-t1-ge3 | 0.4200 | | 8990 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2333 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 6a (TC) | 1.5V, 4.5V | 28mohm @ 5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 35 NC @ 8 V | ± 8V | 1275 pf @ 6 V | - | 1.2W (TA), 1.7W (TC) | ||||
 | SI3440DV-T1-GE3 | 1.5200 | | 54 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3440 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 V | 1.2a (TA) | 6V, 10V | 375mohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 8 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.14W (TA) | ||||||
 | Irf644l | - | | 4905 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF644 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irf644l | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 V | 14a (TC) | 10V | 280mohm @ 8.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | - | |||
 | Sir572DP-T1-RE3 | 2.0200 | | 6390 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen V | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SIR572DP-T1-RE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 V | 14.8a (TA), 59.7a (TC) | 7.5V, 10V | 10.8mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 2733 pf @ 75 V | - | 5.7W (TA), 92.5W (TC) | |||||
 | SiHD14N60E-BE3 | 2.3000 | | 9863 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SiHD14 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SiHD14N60E-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 600 V | 13a (TC) | 10V | 309mohm @ 7a, 10v | 4V @ 250 µA | 64 NC @ 10 V | ± 30V | 1205 pf @ 100 V | - | 147W (TC) | |||||
 | Sud50n03-12p-ge3 | - | | 9132 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 30 V | 16.8a (TA) | 4.5V, 10V | 17mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 25 V | - | 39W (TC) | |||||
 | SI2377EDS-T1-BE3 | 0.5200 | | 8759 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SI2377EDS-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.7a (TA), 4.4a (TC) | 1.5V, 4.5V | 61mohm @ 3.2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 21 NC @ 8 V | ± 8V | - | 1.25W (TA), 1.8W (TC) | |||||||
| IRFR014TRLPBF-BE3 | 1.5900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR014 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRFR014TRLPBF-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 7.7a (TC) | 200mohm @ 4.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||||
 | SI3129DV-T1-GE3 | 0.6800 | | 9953 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SI3129DV-T1-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 80 V | 3.8a (TA), 5.4a (TC) | 4.5V, 10V | 82.7mohm @ 3.8a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 805 pf @ 40 V | - | 2W (TA), 4.2W (TC) | |||||
| IRFR9120TRLPBF-BE3 | 1.6400 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9120 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRFR9120TRLPBF-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 100 V | 5.6a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 390 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | SIDR220DP-T1-RE3 | 2.7700 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8DC | descascar | 1 (ilimitado) | 742-sidr220dp-t1-re3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 87.7a (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 5.8mohm @ 20a, 10v | 2.1V @ 250 µA | 200 NC @ 10 V | +16V, -12V | 10850 pf @ 10 V | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | ||||||
 | Sir870Adp-T1-RE3 | 2.2600 | | 3982 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir870 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 6.6mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 2866 pf @ 50 V | - | 104W (TC) | ||||||
 | IRFBF20PBF-BE3 | 2.4100 | | 975 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Irfbf20 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRFBF20PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 900 V | 1.7a (TC) | 8ohm @ 1a, 10v | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 490 pf @ 25 V | - | 54W (TC) | ||||||
 | IRF610PBF-BE3 | 0.9300 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF610 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | - | 1 (ilimitado) | 742-IRF610PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 3.3a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 36W (TC) | |||||
 | SI1467DH-T1-BE3 | 0.6700 | | 9484 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1467 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 742-Si1467DH-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3A (TA), 2.7A (TC) | 90mohm @ 2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 13.5 NC @ 4.5 V | ± 8V | 561 pf @ 10 V | - | 1.5W (TA), 2.78W (TC) | |||||
 | SiHK085N60EF-T1GE3 | 7.1500 | | 5761 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerBSFN | Sihk085 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak®10 x 12 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHK085N60EF-T1GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 600 V | 30A (TC) | 10V | 85mohm @ 17a, 10v | 5V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 30V | 2733 pf @ 100 V | - | 184W (TC) | ||||
| SQ2362ES-T1_BE3 | 0.6700 | | 6746 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2362 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 4.3a (TC) | 4.5V, 10V | 68mohm @ 2.4a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 550 pf @ 30 V | - | 3W (TC) | ||||||
 | SQJ409EP-T2_GE3 | 1.4900 | | 7432 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SQJ409EP-T2_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 260 NC @ 10 V | ± 20V | 11000 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||||
 | Sum10250e-ge3 | 2.8900 | | 5321 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum10250 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 250 V | 63.5a (TC) | 7.5V, 10V | 31mohm @ 30a, 10v | 4V @ 250 µA | 88 NC @ 10 V | ± 20V | 3002 pf @ 125 V | - | 375W (TC) | |||||
| SUD09P10-195-BE3 | 0.8700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud09 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 100 V | 8.8a (TC) | 4.5V, 10V | 195mohm @ 3.6a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 34.8 NC @ 10 V | ± 20V | 1055 pf @ 50 V | - | 2.5W (TA), 32.1W (TC) | |||||
| SiHD3N50D-BE3 | 0.9200 | | 1899 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | D | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SiHD3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SiHD3N50D-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 500 V | 3A (TC) | 10V | 3.2ohm @ 1.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 30V | 175 pf @ 100 V | - | 69W (TC) | |||||
| SUP36N20-54P-E3 | - | | 2773 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Sup36 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 200 V | 36A (TC) | 10V, 15V | 53mohm @ 20a, 15V | 4.5V @ 250 µA | 127 NC @ 15 V | ± 25V | 3100 pf @ 25 V | - | 3.12W (TA), 166W (TC) | ||||
| SI2303CDS-T1-BE3 | 0.4500 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2303 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 1.9a (TA), 2.7a (TC) | 4.5V, 10V | 190mohm @ 1.9a, 10v | 3V @ 250 µA | 8 NC @ 10 V | ± 20V | 155 pf @ 15 V | - | 1W (TA), 2.3W (TC) |
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