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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4804CDY-T1-GE3 | 0.7600 |  | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4804 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 8A | 22mohm @ 7.5a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 23nc @ 10V | 865pf @ 15V | - | |||||||
| Si4567dy-t1-ge3 | - | | 8437 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4567 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.75W, 2.95W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 40V | 5a, 4.4a | 60mohm @ 4.1a, 10V | 2.2V @ 250 µA | 12NC @ 10V | 355pf @ 20V | - | ||||||
 | SUD23N06-31-BE3 | 0.9700 | | 5071 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud23 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SUD23N06-31-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 60 V | 9.1a (TA), 21.4a (TC) | 4.5V, 10V | 31mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 670 pf @ 25 V | - | 5.7W (TA), 31.25W (TC) | |||||
 | Sihfbe30s-ge3 | 1.8400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | 1 (ilimitado) | 742-Sihfbe30s-ge3dkr | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 800 V | 4.1a (TC) | 10V | 3ohm @ 2.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||
 | IRFU4105ZTRL | - | | 8864 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU4105 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 55 V | 30A (TC) | 10V | 24.5mohm @ 18a, 10v | 4V @ 250 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 740 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||
| SQ4410EY-T1_BE3 | 1.5200 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SQ4410 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SQ4410EY-T1_BE3CT | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 15A (TC) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 53 NC @ 10 V | ± 20V | 2385 pf @ 25 V | - | 5W (TC) | |||||
 | Sir642DP-T1-GE3 | - | | 4415 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir642 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 15a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 84 NC @ 10 V | ± 20V | 4155 pf @ 20 V | - | 4.8W (TA), 41.7W (TC) | |||||
| Si4388dy-t1-e3 | - | | 6003 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4388 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.3W, 3.5W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 10.7a, 11.3a | 16mohm @ 8a, 10v | 3V @ 250 µA | 27nc @ 10V | 946pf @ 15V | - | ||||||
 | Si2324ds-t1-be3 | 0.6500 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2324 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 742-Si2324ds-t1-be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 1.6a (TA), 2.3a (TC) | 4.5V, 10V | 234mohm @ 1.5a, 10V | 2.8V @ 250 µA | 10.4 NC @ 10 V | ± 20V | 190 pf @ 50 V | - | 1.25W (TA), 2.5W (TC) | ||||
 | Siha12n50e-ge3 | 1.8700 | | 950 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-Siha12n50e-ge3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 10.5a (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 50 NC @ 10 V | ± 30V | 886 pf @ 100 V | - | 32W (TC) | ||||||
 | SI233338DS-T1-BE3 | 0.5300 | | 9847 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | 742-Si233338ds-t1-be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 5.5a (TA), 6a (TC) | 4.5V, 10V | 28mohm @ 5.5a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 424 pf @ 15 V | - | 1.3W (TA), 2.5W (TC) | ||||||
 | SIRC16DP-T1-RE3 | 1.3600 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SIRC16DP-T1-RE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 57a (TA), 60A (TC) | 4.5V, 10V | 0.96mohm @ 15a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 105 NC @ 10 V | +20V, -16V | 5150 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Cuerpo) | 5W (TA), 54.3W (TC) | ||||||
 | Irf730astrl | - | | 8134 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF730 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 400 V | 5.5a (TC) | 10V | 1ohm @ 3.3a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 30V | 600 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||
| Sir878bdp-T1-RE3 | 1.7000 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir878 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 12A (TA), 42.5A (TC) | 7.5V, 10V | 14.4mohm @ 15a, 10v | 3.4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1850 pf @ 50 V | - | 5W (TA), 62.5W (TC) | |||||
 | SIA406DJ-T1-GE3 | - | | 9002 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA406 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 12 V | 4.5A (TC) | 1.8V, 4.5V | 19.8mohm @ 10.8a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 23 NC @ 5 V | ± 8V | 1380 pf @ 6 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||
 | SQJ402EP-T1_BE3 | 1.5700 | | 1993 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-sqj402ep-t1_be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 32A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 10.7a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 2286 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | ||||||
| Sqja84ep-t1_be3 | 1.2100 | | 9608 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SQJA84EP-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 46a (TC) | 4.5V, 10V | 12.5mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 2100 pf @ 25 V | - | 55W (TC) | ||||||
 | SIB4316EDK-T1-GE3 | 0.4300 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-75-6 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-75-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 4.5a (TA), 6a (TC) | 2.5V, 10V | 57mohm @ 4a, 10v | 1.4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 12V | - | 1.9W (TA), 10W (TC) | |||||||
 | SiHFR120-GE3 | 0.7000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 7.7a (TC) | 10V | 270mohm @ 4.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||||
| Si4436dy-t1-e3 | 0.9400 | | 29 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4436 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 8a (TC) | 4.5V, 10V | 36mohm @ 4.6a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 30 V | - | 2.5W (TA), 5W (TC) | |||||
| Sq4064ey-t1_be3 | 1.0500 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sq4064 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 19.8mohm @ 6.1a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 2096 pf @ 25 V | - | 6.8W (TC) | ||||||
 | SI1442DH-T1-BE3 | 0.4500 | | 4936 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1442 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 12 V | 4A (TA) | 20mohm @ 6a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 33 NC @ 8 V | ± 8V | 1010 pf @ 6 V | - | 1.56W (TA) | ||||||
| Sq4917ey-t1_be3 | 1.5500 | | 22 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sq4917 | Mosfet (Óxido de metal) | 5W (TC) | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 60V | 8a (TC) | 48mohm @ 4.3a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 65nc @ 10V | 1910pf @ 30V | - | ||||||||
| Sir406dp-t1-ge3 | - | | 5288 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir406 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 15a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | 2083 pf @ 10 V | - | 5W (TA), 48W (TC) | ||||
 | SUM90N08-7M6P-E3 | - | | 1249 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum90 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 75 V | 90A (TC) | 10V | 7.6mohm @ 30a, 10v | 4.8V @ 250 µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 3528 pf @ 30 V | - | 3.75W (TA), 150W (TC) | ||||
 | SI5947DU-T1-GE3 | - | | 9649 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® chipfet ™ dual | Si5947 | Mosfet (Óxido de metal) | 10.4w | Powerpak® chipfet dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 6A | 58mohm @ 3.6a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 17NC @ 10V | 480pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SUP85N15-21-E3 | 5.4000 | | 7896 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP85 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 150 V | 85A (TC) | 10V | 21mohm @ 30a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 4750 pf @ 25 V | - | 2.4W (TA), 300W (TC) | |||||
| Sud50n03-16p-ge3 | - | | 8447 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 30 V | 15A (TA), 37A (TC) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 13 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1150 pf @ 25 V | - | 6.5W (TA), 40.8W (TC) | ||||
 | SIHP240N60E-GE3 | 2.9700 | | 419 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SIHP240 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 240mohm @ 5.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 30V | 795 pf @ 100 V | - | 78W (TC) | |||||
 | IRFR1N60A | - | | 5593 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR1 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfr1n60a | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 600 V | 1.4a (TC) | 10V | 7ohm @ 840 mm, 10v | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 30V | 229 pf @ 25 V | - | 36W (TC) |
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